I.

- Semiconductores
I.I.- HISTORIA: el desarrollo del transistor y del circuito integrado ha conducido a importantes ventajas de la electrnica. El circuito integrado se utiliza actualmente en cualquier aspecto de nuestra vida dara, desde la televisin hasta el automvil, pasando por la computadora personal. Un aspecto claro de la tecnologa del circuito integrado es la computadora de escritorio la cual ahora tiene mas capacidad que las de hace aos, las cuales llenaban por completo una habitacin. Un avance fundamental en la electrnica ocurri en 1947 cuando se presento el primer transistor. Desde entonces hasta cerca de 1959 el transistor estaba disponible solo como un dispositivo discreto, por lo que la fabricacin de circuitos requiri que las terminales de los transistores se soldaran directamente a las terminales de otros componentes. En 1958 se presento el primer circuito integrado el cual se fabric en germanio aproximadamente al mismo tiempo se introdujo el circuito integrado de silicio. El desarrollo del circuito integrado continu a una gran velocidad a lo largo de la dcada de los 60 basndose fundamentalmente en la tecnologa de transistor bipolar. A partir de ah el transistor de metal oxido semiconductor (MOS) y la tecnologa del circuito integrado MOS han surgido como la fuerza dominante, especialmente en los circuitos integrados digitales. Desde el primer circuito integrado, el diseo de circuitos integrados se ha vuelto mas sofisticado y el circuito integrado mas complejo. En la actualidad un circuito integrado puede contener muchas funciones aritmticas lgicas y de memoria, en un solo chip semiconductor. El principal ejemplo de este tipo de circuito integrado es el microprocesador. 1.2 CONCEPTO DE ELECTRNICA La electrnica es una rama de la fsica que estudia los electrones, la emisin y los movimientos de los mismos en el vaco, en gases o en cuerpos solidos y desde otro punto de vista se aplica tambin este termino a la fabricacin de los dispositivos que utilizan los electrones en el estado libre, como tubos electrnicos, transistores y semiconductores. Otra definicin de electrnica es como la ciencia del movimiento de cargas en un gas, vaco o semiconductor. La microelectrnica se refiere a la tecnologa de los circuitos integrados la cual puede producir un circuito con ms de un milln de componentes en una sola pieza del material semiconductor.

Hoy en da la electrnica tiene gran avance, ya que se habla de la nanotecnologa, esto es la tecnologa a nivel de los tomos.

1.3 DISPOSITIVOS PASIVOS Y ACTIVOS Es un dispositivo elctrico pasivo, la potencia promedio del tiempo en el tiempo entregada a estos dispositivos a lo largo de un periodo infinito, siempre es mayor o igual a cero. Las resistencias, los capacitores y los inductores son ejemplos de dispositivos pasivos. Los inductores y capacitores pueden almacenar energa, pero no pueden entregar una potencia promedio mayor que cero en un intervalo de tiempo infinito. Los dispositivos activos tales como las fuentes de alimentacin de corriente directa, las bateras y los generadores de seales de C.A., son capaces de suministrar potencia. Los transistores tambin se consideran dispositivo activos, puesto que son capaces de promover mas potencia de seal a una carga de lo que reciben. Este fenmeno se denomina amplificacin. La potencia adicional en la seal de salida la brinda la fuente de alimentacin de corriente directa. 1.4 COMPORTAMIENTO DE LOS COMPONENTES PASIVOS EN C.A. Los componentes pasivos tienen distinto comportamiento cuando se les aplican dos corrientes de distinta naturaleza, una alterna y otra continua, la respuesta en corriente directa ya se analiza, falta ver la respuesta de estos elementos en corriente alterna. Las resistencias son los nicos elementos pasivos para las cuales las respuestas en la misma tanto en la corriente alterna como en corriente directa. 1.5 CIRCUITOS ELECTRONICOS En la mayor parte de los circuitos electrnicos hay dos entradas. 1.6 CIRCUITOS DIRECTOS E INTEGRADOS Los circuitos discretos son los que tienen componentes individuales, como: las resistencias, capacitores e inductores. Los circuitos integrados son como los amplificadores operacionales actuales en un circuito integrado importante en la electrnica analgica. 1.7 SEALES ANALOGICAS Y DIGITALES Una seal de voltaje como la que se muestra en la siguiente figura, recibe el nombre de seal analgica. La magnitud de una seal analgica puede tener cualquier valor; la amplitud puede

variar continuamente con respecto al tiempo. Los circuitos elctricos que procesan estas seales se denominan circuitos analgicos. Una seal alterna que esta en uno de dos niveles distintos se llama seal digital. Debido a que la seal digital tiene valores discretos, se dice que esta cuantizada. Los circuitos electrnicos que procesan seales digitales se conocen como los circuitos digitales. 1.8 PARMETROS IMPORTANTES DE LA CORRIENTE ALTERNA (C.A.) Frecuencia.- Es el nmero de veces que una corriente alterna cambia de polaridad en un segundo. La unidad de medida es Hertz y se la designa con la letra F. Una definicin mas rigurosa para la frecuencia es el nmero de ciclos completos de corriente alterna que ocurre en la unidad de tiempo. FASE.- Es la fraccin de ciclo transcurrido desde el inicio del mismo, su smbolo es la letra griega (grados ). PERIODO.- Es el tiempo que tarda en producirse un ciclo completo de corriente alterna se denomina con la letra VALOR INSTANTNEO.- Es el valor que toma la tensin en cada instante de tiempo. VALOR MXIMO.-Es el valor de la tensin en cada cresta o valle de la seal. VALOR MEDIO.- Es la media aritmtica de todos los valores instantneos de la seal en un periodo dado = ( )

VALOR EFICAZ.- Es el valor de la corriente alterna que produce el mismo efecto que la corriente directa equivalente = ( )

VALOR PICO A PICO.- Es el valor del voltaje que va desde el mximo al mnimo o de la cresta al valle. 1.9.- OTROS TIPOS DE CORRIENTE ALTERNA. En electrnica se utilizan infinidad de tipos de seales, pero aqu se har referencia a las mas comunes. Onda de C.C. pura Onda sinusoidal Onda cuadrada

Onda triangular Onda diente de sierra Cabe aclarar que las definiciones de los parmetros que se hicieron para una onda sinusoidal se mantienen vlidas para estos tipos de ondas. 1.10 MATERIALES SEMICONDUCTORES 1.10.1 INTRODUCCIN Los materiales generalmente se clasifican de acuerdo a sus resistividades. Aquellos con valores de la resistividad menores de .cm mientras que aquellos que tienen resistividades mayores que .cm se llaman aislante. En la regin intermedia esta una clase de materiales llamados semiconductores. La conductividad de estos materiales cambia en amplios rangos por medio de cambios en la temperatura, excitacin ptica o en contenido de impurezas. Los materiales semiconductores se encuentran en la columna 4 y columnas vecinas a la tabla peridica. Los semiconductores de la columna 4 silicio y germanio, se llaman semiconductores elementales debido a que estn compuestos de una sola especie de tomos, adems de los materiales elementales, los compuestos con tomos de la columna tres y A, as como tambin ciertas combinaciones de las columnas 3 y 4 constituyen los semiconductores intermetalicos o compuestos. Dentro de los semiconductores el silicio se usa para la mayora de los dispositivos semiconductores como los diodos rectificadores, transistores y circuitos integrados. Los emisores de luz semiconductores se hacen de compuestos como el G stato de galio (G a As), fosfato de galio y la combinaciones desegados como Ga As P, los materiales fluorescentes como los que se usan en pantalla de televisin como semiconductores compuestos de la columna 2 y 4 como el sulfuro de zinc, los detectores de luz se hacen con indio y plomo, sedenuro de carlio y otros compuestos como las sales de plomo y sedenuro de plomo; el silicio y el germanio son ampliamente usados en detectores de radiacin nuclear e infrarroja. A principio de los aos 50 el germanio fue el material semiconductor mas usado. Las principales razones para que ahora se use el silicio en que los dispositivos reciben menores corrientes de fuga y puede hacerse crecer trmicamente dixido de silicio de alta calidad.

1.10.2 IMPUREZAS Propiedades electrnicas y pticas de los materiales semiconductores se afectan fuertemente por medio de impurezas, las cuales se pueden agregar en cantidades controladas con precisin. Tales impurezas pueden ser usadas para variar las conductividades de los semiconductores en un amplio rango y aun alterar la naturaleza de los procesos de conduccin por medio de portadores de cargas negativas, aportadores de carga positiva. A este proceso controlado de adiccin de impurezas se le llaman contaminacin o dopado. 1.10.3 CONCEPTO DE HUECO A temperaturas basas de K los electrones del enlace estn fuertemente ligados a los nucleos de los atomos y a pesar de la disponibilidad de cuatro electrones de valencia, el cristal tiene baja conductividad. A temperatura ambiente de K, algunos enlaces covalentes se rompern debido a la absorcin de energa trmica por el cristal. La energa que se precisa para romper el enlace covalente del tomo es de 0.72 Ev para el germanio y de 1.1 e V para el silicio a temperatura ambiente, la importancia del hueco es primordial ya que sirve como portador de electricidad, comparable en su efectividad con el electrn libre. El mecanismo por el cual los huecos contribuyen a la conductividad es el siguiente: cuando un enlace queda incompleto aparece un hueco y resulta relativamente fcil al electrn de valencia del tomo vecino deja su enlace covalente y llenar este hueco. Un electrn que deja su enlace para llenar un hueco deja a su vez otro hueco en su posicin inicial; por lo tanto el hueco se mueve efectivamente en direccin contraria al electrn. El movimiento hueco en una direccin significa el traslado de una carga negativa a igual distancia pero en direccin opuesta. El argumento de que los huecos equivalen a cargas positivas libres, se justifica de manera formal por medio de la mecnica cuntica, pero una verificacin experimental puede hacerse mediante el efecto denominada Efecto Hall. El semiconductor puro o intrnseco es aquel en que el nmero de hueco es igual al nmero de electrones libres. 1.10.4 IMPUREZAS DOMADORAS ACEPTORAS Si un semiconductor intrnseco se le aade una pequea cantidad de tomos trivalentes o pentavalentes, se transforman en un semiconductor impurificado, contaminado, dopado o extrnseco.

1.10. 5 SEMICONDUCTOR TIPO N Si la impureza tiene 5 electrones de valencia, como el antimonio, fosforo o arsnico, se obtiene la estructura cristalina y los tomos de las impurezas substituirn algunos tomos del germanio o del silicio, del cristal. Por consiguiente a temperatura ambiente todos los 5 electrones del material son donados a la banda de conduccin. A esto se debe a que este nivel se le llame nivel donador y a los tomos de las impurezas donadas o de tipo N. Si un material semiconductor intrnseco se contamina con impurezas donadas o de tipo N, no solo aumenta el numero de electrones, sino que tambin el numero de huecos disminuye por debajo del que tenia el semiconductor intrnseco. 1.10.6 SEMICONDUCTORES TIPO P Si se aaden impurezas trivalentes como el boro, galio o indio, aun semiconductor intrnseco solo se puede completar tres enlaces covalentes, y la ausencia correspondiente al cuarto enlace constituye un hueco, y por tanto son conocidos con el nombre de impurezas aceptoras o aceptadoras o impurezas tipo P. Cando se agregan impurezas aceptores del tipo P se forma n nivel discreto de energa permitida que esta justamente por encima de la banda de valencia. Una consecuencia de la impurificacin del semiconductor intrnseco es que no solo aumenta la conductividad del material, sino que sirve para producir un material en que los portadores de electricidad pueden ser de uno o de otro tipo sea huecos o electrones. Por consiguiente un material semiconductor tipo N los electrones predominan y son cortadores mayoritarios, en material tipo P los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones son portadores minoritarios. 1.11 DIODO La palabra diodo es un termino que significa dos electrodos en donde di significa dos y odos significa electrodos. El primer componente electrnico que se obtuvo al unir en material tipo N con un material tipo P fue llamado diodo, es el mas sencillo de todos los componentes semiconductores, sin embargo tiene una gran importancia dentro de los sistemas electrnicos mas complejo. El material bsico utilizado en la construccin de la mayora de los diodos es el silicio. Aadiendo tomo de otro elemento como por ejemplo el boro. El diodo se compone de materiales tipo N y tipo P.

Las caractersticas de un diodo son similares a la de un interruptor sencillo, es decir que solo puede conducir corriente en una sola direccin. Idealmente Polarizacin directa=conduce Polarizacin inversa=no conduce 1.12 EL DIODO EMICONDUCTOR 1.12.1 SMBOLO El diodo semiconductor se forma juntando los materiales tipo N y tipo P como el diodo es un dispositivo de dos terminales permite tres posibilidades de polarizacin, sin polarizacin, con polarizacin directa y con polarizacin inversa. 1.12.2 DIODO SIN POLARIZACIN En esta condicin cualquiera de los portadores minoritarios, como los huecos den el material tipo N, que se encuentran dentro de la regin de agotamiento, pasaran directamente al material tipo P. Mientras mas cercanos se encuentre el portador minoritario de la unin J., mayor ser la atraccin de la capa de iones positivos en la regin de agotamiento del material tipo N. Los portadores mayoritarios, como los electrones en el material tipo N, deben sobreponerse a las fuerzas de atraccin de la capa de iones positivos del material tipo N y a la capa de iones negativos del material tipo P. Las magnitudes relativas de los vectores de flujo, son tales que el flujo en cualquier direccin es igual a cero. Por consiguiente en ausencia de voltaje de polarizacin, el flujo neto de la carga en cualquier direccin para un iodo semiconductor es cero. 1.12.3 EL DIODO EN CONDICIONES DE POLARIZACIN INVERSA Si un potencial externa se aplica a travs de la unin P,N de tal forma que la terminal positiva se encuentre conectada con el material tipo N y el material tipo P con la terminal negativa. El numero de iones positivos en la regin de agotamiento del material tipo N se incrementar debido al gran numero de electrones libres atrados por el potencial positivo del voltaje aplicado. Por las mismas razones el numero de iones negativos se incrementar en el material tipo P. el efecto por lo tanto es una ampliacin de la regin de agotamiento, esta ampliacin establecer una barrera de potencial demasiado grande para ser superada por los portadores mayoritarios. Adems de una reduccin efectiva de flujo de los portadores mayoritarios. Sin embargo el nmero de portadores que estn entrando a la regin de agotamiento no cambiarn.

A la corriente que existe bajo condiciones de polarizacin inversa se le llama corriente de saturacin inversa. La corriente de saturacin inversa es de unos cuantos micros amperes. 1.13 APROXIMACIONES DEL DIODO 1.13.1 PRIMERA APROXIMACION DEL DIODO Se considera que el diodo conduce bien en polarizacin directa y no conduce en polarizacin inversa. En trminos de circuito un diodo ideal acta como un interruptor. Cuando el diodo esta polarizado directamente es como un interruptor cerrado y cuando esta polarizado inversamente es como un interruptor abierto. Aun cuando esta aproximacin del diodo parezca exagerada, es un buen principio para saber como operan los circuitos con diodos. Habr ocasiones en que la aproximacin ideal ser demasiada inexacta; por esta razn se necesita de una segunda y tercer aproximacin. 1.13.2 SEGUNDA APROXIMACIN DEL DIODO Se necesita 0.7 volts para el diodo de silicio sea realmente un buen conductor. Cuando el voltaje de la fuente es grande no tiene importancia los 0.7 volts; pero cuando el voltaje de la fuente es pequeo, se debe de considerar el voltaje de codo. No hay flujo de corriente hasta que aparecen los 0.7 volts aplicados al diodo en ese momento el diodo conduce, sin importar la magnitud de la corriente directa. La idea es pensar que el diodo es un interruptor en serie con una batera de 0.7 volts. Si el voltaje de la fuente es mayor a 0.7 volts o si el voltaje de la fuente es negativo, el interruptor se abre. 1.13.3 TERCERA APROXIMACIN DEL DIODO En la tercera aproximacin del diodo se incluye la resistencia interna del diodo. El voltaje adicional aparece aplicado a la resistencia interna de tal manera que el voltaje total del diodo es mayor a 0.7 volts. Ejemplo: utilizando la segunda aproximacin del diodo encontrar la corriente del diodo en el circuito siguiente. 1.14 TIPOS DE DIODOS Y SIMBOLOGA 1.14.1 DIODO SCHOTTKY 1.14.1.1 INTRODUCCIN

Un diodo schottky esta formado por la unin de un metal como el platino con silicio tipo N. estos dispositivos tienen almacenamiento de carga despreciable que se utilizan en aplicaciones de conmutacin de alta velocidad. El platino acta como un material aceptador para los electrones cuando esta unido al silicio tipo N. As como el material esta conectado al silicio tipo N, los electrones se difunden inicialmente en el metal. Esta difusin hace que el material tipo N se empobrezca de electrones cerca de la unin j, y por consiguiente adquiera un potencial positivo. Cuando este voltaje positivo llegue a ser suficientemente grande, impide la posterior difusin de los electrones. POLARIZACION DIRECTA Cuando se aplica exteriormente el voltaje positivo suficientemente entre las terminales del diodo, los electrones de la regin N estn sometidos a un potencial positivo en el lado del metal de la unin j, y aparece una circulacin de electrones. POLARIZACION INVERSA Cuando se invierte el voltaje aplicado al diodo de modo que el material tipo N se hace positivo con respecto al platino, el voltaje en la cara N aumenta por encima del nivel indicado y no hay circulacin de corriente. Cuando el diodo schottky funciona de modo directo, la corriente debida a los electrones que se mueven desde el silicio tipo N a travs del metal. Como los electrones se mueven libres a a travs del metal, el tiempo de combinacin es muy pequeo el orden de 10 picosegundos. 1.14.1.2 ALAMCENAMIENTO DE CARGA Debido al tiempo de vida de los portadores minoritarios, las cargas de un diodo polarizado directamente se almacenan temporalmente en diferentes bandas de energa cerca de unin. Cuanto mayor sea la corriente de polarizacin directa mayor es el numero de cargas almacenadas. Este efecto se denomina almacenamiento de carga. 1.14.1.3 TIEMPO INVERSO DE RECUPERACIN (TIR) El almacenamiento de cargas es importante cuando se trata de conmutar un diodo en su estado de conduccin a su estado de no conduccin. Por que si repentinamente se invierte la polarizacin del diodo, las cargas almacenas pueden fluir en la direccin inversa por un momento. Cuanto mayor sea el tiempo de vida, tanto mayores sern las cargas que puedan contribuir a la corriente inversa.

El tiempo que toma un diodo con polarizacin directa para que ya no opere, se denomina tiempo inverso de recuperacin. El tiempo inverso de recuperacin es el tiempo que requiere la corriente inversa para disminuir el 10 % de la corriente de polarizacin directa. El tiempo inverso de recuperacin es tan corto en diodos de seales pequeas, que no se nota su efecto en frecuencias menores de 10 MG; el tiempo inverso de recuperacin solo se toma en cuenta para frecuencias mayores a 10 MG. 1.14.1.4 EFECTO SOBRE LA RECTIFICACIN A bajas frecuencias la salida se comporta bien por que esta es la clsica seal rectificada de media onda. Conforme la frecuencia aumenta al orden de los megahertz, la seal de salida empieza a desviarse de su forma normal.