DISPOSITIVOS ELECTRONICOS Unidad 1: Modelo de los semiconductores extrnsecos e intrnsecos. Dinmica de los portadores.Movilidad y conductividad.

Efecto Hall, su significado conceptual y aplicaciones. Estadsticas de MaxwellBoltzman y Fermi Dirac. Distribucin de portadores en las bandas. Unidad 2: Juntura P-N. Anlisis energtico. Anlisis de las concentraciones de portadores en la juntura. La ecuacin del diodo. Resistencia esttica y dinmica. Capacidad de difusin y capacidad de juntura.. Diodo Varicap. Ecuacin de control de cargas. El diodo como conmutador: factores que afectan el tiempo de respuesta. Diodo Schottky. Diodo Zener. Diodo tnel. Unidad 3: Transistor bipolar de juntura. Anlisis bsico y relaciones entre las corrientes. Efecto de amplificacin de corriente y tensin. Distintas configuraciones circuitales. Anlisis energtico. Concentracin de portadores. Factores que determinan la ganancia. El modelo de Ebers - Moll. Las curvas caractersticas. Modulacin del ancho de la base. Resolucin de circuitos amplificadores de seal grande para continua y alterna. Unidad 4: El transistor bipolar con pequea seal. Modelo de Giacoletto. Circuito del modelo para diferentes intervalos de fecuencia. La variacin de con la frecuencia. La variacin de los parmetros con el punto de polarizacin. Elementos parsitos en el transistor real. Parmetros que aparecen en los manuales y obtencin del circuito equivalente a partir de ellos. Circuito equivalente transferido a la entrada. Ganancia de corriente, tensin y potencia. Aplicaciones. Modelo hbrido h. La relacin de los parmetros incrementales con las curvas caractersticas. Clculo de amplificadores de pequea seal y alta frecuencia. Unidad 5: El transistor bipolar como conmutador. Ecuacin de control de cargas. Conmutacin en la zona activa. Conmutacin en saturacin. Dependencia del comportamiento del circuito en relacin a la forma de conexin. Dependencia de la velocidad de conmutacin en relacin a los parmetros des transistor. Mtodos para aumentar la velocidad de conmutacin. Tecnologa Schottky. Aplicaciones y clculo de tiempos de conmutacin Unidad 6: Transistor de efecto de campo de juntura. Estructura fsica y funcionamiento. Variacin de la corriente de drenaje con la tensin de compuerta. Curvas caractersticas. Formas de polarizacin. Circuito equivalente para pequea seal. Transistores de efecto de campo metal-xido-silicio. Estructura fsica de los distintos tipos. Curvas caractersticas. Circuitos de polarizacin. Circuitos equivalentes incrementales. Transistores MOS de potencia. Aplicaciones. Unidad 7:
Dispositivos optoelectrnicos . Fotoconductores. Fotodiodos. Heterojunturas. Fotodiodos de heterojunturas. Celdas solares. Semiconductores compuestos. Diodos emisores de luz. Dispositivos laser.