MOSFETs II

TRANSSTORES DE EFEITO DE CAMPO
Caractersticas do MOSFET de canal p A Fig. 18(a) mostra o smbolo de circuito do MOSFET de enriquecimento de canal p. A Fig. 18(b), mostra o smbolo modificado. Uma seta usada apontando na direco normal do fluxo de corrente. Para o caso habitual de se ligar o substrato source, usa-se o smbolo simplificado da Fig. 18(c).
Caractersticas tenso-corrente do MOSFET
Para um dispositivo canal p a tenso de limiar Vt negativa. Para induzir um canal, aplica-se uma tenso na gate que seja mais negativa de que Vt. vGS Vt ou vSG |Vt| (26)
Polaridades da tenso e da corrente para operao normal
Fig. 18
Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
(d) 38

Caractersticas do MOSFET de canal p Regio de trodo
A corrente de dreno fli para o exterior do terminal de dreno. Para operar na regio de trodo, vDS tem de satisfazer
vDS vGS Vt
(canal contnuo)
(27)
Isto , a tenso de dreno deve ser maior de que a tenso da gate em pelo menos |Vt|. A corrente iD representada de forma idntica equao para o NMOS (eq. 13), substituindo apenas kn por kp
' iD = k p
W L
1 2 (vGS Vt )vDS vDS 2

' k p = p Cox
(28)
vGS, Vt, e vDS so negativos e o parmetro de transcondutncia kp dado por, (29)
Mobilidade das lacunas no canal induzido

39

Caractersticas do MOSFET de canal p Regio de saturao
Para operar na regio de saturao, vDS tem de satisfazer relao:
vDS vGS Vt
(canal estrangulado)
(30)
Isto , a tenso de dreno deve ser menor do que a (tenso da gate + |Vt|). A corrente iD dada pela mesma equao usada para os NMOS (Eq. (21)), substituindo apenas kn por kp
iD =
1 ' W kp (vGS Vt ) 2 (1 + vDS ) 2 L
(31)
vGS, Vt, e vDS so negativos. Para que o transstor PMOS fique activo (on), a tenso da gate tem de ser menor de que a tenso da source de um valor no mnimo igual |Vt|. Para funcionar na zona de trodo a tenso do dreno deve exceder a tenso da gate pelo menos |Vt|, caso contrrio o PMOS opera na saturao.
Fig. 19
40

O papel do substrato - o efeito do corpo
Em muitas aplicaes, o terminal B do substrato (ou corpo) ligado ao terminal da source, pelo que a juno pn formada entre o substrato e o canal induzido (ver fig. 5) fica inversamente polarizado de forma permanente. Em tais casos, o substrato no desempenha nenhum papel no funcionamento do circuito e a sua existncia pode ser ignorada. Nos circuitos integrados, contudo, o substrato usualmente comum a vrios transstores MOS. A fim de manter a condio de polarizao inversa na juno substrato-canal, o substrato habitualmente ligado tenso de alimentao mais negativa num circuito NMOS ( mais positiva num circuito PMOS). A tenso inversa resultante entre a source e o corpo (VSB num dispositivo de canal n) vai afectar o funcionamento do transstor. Para verificar esse efeito, considere-se um transstor NMOS e admita-se que o substrato est negativo relativamente source. A tenso inversa alarga a regio de depleo (ver fig. 2), o que, por sua vez, reduz a profundidade do canal. Para que o canal recupere o seu estado inicial, vGS tem de ser aumentada.
41

O efeito de VSB sobre o canal pode ser mais convenientemente representado como uma alterao da tenso limiar Vt. Concretamente, pode mostrar-se que aumentando a tenso de polarizao inversa do substrato VSB, a tenso Vt aumenta de acordo com a relao. (32) Em que Vt0 a tenso de limiar para VSB = 0; um parmetro ligado ao processo de fabrico, dado por,
2qN A s Cox
(33)
q a carga do electro (1.6x10-19C), NA a concentrao de dopantes do tipo p no substrato e s a permitividade do silcio (11.7 0). O parmetro tem a dimenso de V1/2 e tipicamente igual a 0,4 V e f um parmetro fsico sendo 2f tipicamente igual a 0,6 V.
42

A equao 32 tambm se aplica a dispositivos canal p com VSB substitudo por VBS (ou de modo alternativo |VSB|.
negativo.
No clculo de , NA substitudo por ND (concentrao de dopantes do poo n no qual o PMOS formado). Para dispositivos canal p, 2f tipicamente 0.75 V e tipicamente -0.5 V1/2. A Eq. (32) indica que um aumento de VSB origina um aumento de Vt, o que, por sua vez, causa uma diminuio de iD mesmo que vGS tenha sido mantida constante. Conclui-se, assim, que a tenso do substrato controla iD; desta forma, o corpo actua como uma segunda gate para o MOSFET, um fenmeno chamado efeito do corpo. O efeito do corpo pode causar uma degradao considervel do desempenho do circuito.
43

Efeitos da temperatura Quer Vt, quer k so dependentes da temperatura.
O valor da tenso limiar Vt diminui cerca de 2 mV por cada C de aumento da temperatura. Esta diminuio de |Vt| causa um aumento correspondente da corrente de dreno, com o aumento da temperatura. Todavia, uma vez que k diminui com a temperatura e este efeito dominante, o efeito global de um aumento da temperatura a diminuio da corrente de dreno. Este interessante resultado aproveitado nas aplicaes dos MOSFETs em circuitos de potncia. Ruptura e proteco da entrada Aumentando progressivamente a tenso do dreno, atinge-se um valor para o qual a juno pn formada pela regio do dreno e o substrato entra em rotura por avalanche. Esta ruptura ocorre geralmente para tenses entre 20 e 150 V e manifesta-se por um sbito aumento da corrente (conhecida por avalanche fraca).
44

Ruptura e proteco da entrada
Um outro efeito de ruptura, que ocorre para tenses mais baixas (cerca de 20 V) nos dispositivos modernos, chama-se perfurao. Manifesta-se nos transstores com canais relativamente curtos, quando a tenso do dreno aumenta a ponto de a regio de depleo que envolve a regio do dreno se estender atravs do canal at source, provocando o aumento rpido da corrente de dreno. A perfurao, normalmente, no causa danos permanentes no transstor. Ainda um terceiro tipo de ruptura ocorre quando a tenso gate-source excede um valor de cerca de 30 V. Trata-se da ruptura da camada de xido da gate e causa a destruio do transstor. Apesar de 30 V ser uma tenso elevada e, portanto, poder pensar-se que dificilmente atingida, deve recordar-se que o MOSFET tem uma impedncia de entrada muito elevada e uma capacidade de entrada muito pequena pelo que mesmo pequenas quantidades de carga esttica acumulada na capacidade da gate podem levar a que esta tenso seja excedida. Para evitar a acumulao de carga no condensador da gate de um MOSFET, os circuitos integrados MOS incluem normalmente dispositivos de proteco da gate, que invariavelmente fazem uso de dodos clamping.
45

RESUMO Transstor NMOS
Caractersticas tenso-corrente do MOSFET Modelo de circuito equivalente para grandes sinais
46

RESUMO Transstor PMOS
Modelo de circuito equivalente para grandes sinais
Caractersticas i-v
47
Circuitos com MOSFETs em corrente contnua
Concretamente, apresenta-se um conjunto de exemplos de anlise e projecto de circuitos com MOSFETs em c.c. Nos exemplos que se seguem, por questes de simplicidade e para focar a ateno na essncia da operao do circuito MOSFET, despreza-se modulao do comprimento do canal, i.e., assume-se que =0. Exemplo 2 Projectar o circuito da Fig. 20 (determinar RD e RS) por forma que o transstor funcione com ID = 0,4 mA e VD = +0.5 V. O transstor NMOS tem Vt = 0.7 V, nCox = 100 A/V2, L = 1 m e W = 32 m. Fig. 20
Despreze o efeito de modulao do comprimento do canal (i.e., admita que = 0).
48
Visto que VD =0.5 V maior de que VG, significa que o transstor NMOS opera na regio de saturao. Assim, usa-se a expresso iD da regio de saturao, para determinar o valor requerido de VGS,
Substituindo resulta
ou Assim, De acordo com a Fig. 20, a gate est ao potencial zero. Assim, a source tem de estar a -1,2V e o valor de Rs pode ser determinado Para estabelecer a tenso de +0.5V no dreno, tem-se de seleccionar RD, do seguinte modo
49

Exerccio 3
Redesenhe o circuito da Fig. 20, para o seguinte caso: VDD= - VSS = 2.5 V, Vt = 1V, nCox = 60 A/V2, L = 3 m e W = 120 m, ID=0,3mA e VD = + 0.4 V.
EXEMPLO 3 Projecte o circuito da Fig. 21 para obter uma corrente ID de 80 A. Determine o valor requerido para R e a tenso contnua VD. Admita que o transstor NMOS tem Vt = 0.6 V, nCox = 200 A/V2, L = 0.8 m e W = 4 m. Despreze o efeito de modulao do comprimento do canal (i.e., admita que = 0).
Fig. 21
50

EXEMPLO 3 (cont)
Uma vez que VDG = 0, (VD=VG), o FET est na regio saturao. Assim, A tenso de dreno ser:
A partir da qual se obtm V0V:
O valor requerido para R pode ser determinado como se segue:
Assim,
51

Exerccio 4
Considere o circuito do exemplo 3. Admita que a tenso VD aplicada gate de outro transstor Q2 conforme a Fig. 22. Assuma que Q1 igual a Q2. Determine a corrente e tenso do dreno para Q2.
Fig. 22
52

EXEMPLO 4
Projecte o circuito da Fig. 23 para estabelecer uma tenso de dreno de 0,1 V. Determine a resistncia efectiva entre o dreno e a source neste ponto de funcionamento. Considere Vt = 1 V e kn(W/L) = 1 mA/V2.
Uma vez que a tenso de dreno inferior tenso da gate em 4,9 V e Vt = 1 V, o MOSFET est a funcionar na regio trodo. Assim, a corrente ID dada por
Fig. 23
53

EXEMPLO 4 (cont) O valor de RD pode ser determinado como segue
Num problema prtico de projecto escolhe-se o valor normalizado mais prximo: com resistncias de 5%, 12 k. A resistncia efectiva entre dreno e source pode ser determinada como segue
Exerccio 5 Se no circuito do exemplo 4, o valor de RD duplicado, determine os valores para ID e VD. 54

EXEMPLO 5
Analise o circuito da fig. 24 (a) e determine as tenses nos ns e correntes nos ramos do circuito. Seja Vt = 1 V e kn(W/L) = 1 mA/V2 . Despreze o efeito de modulao do comprimento do canal (i.e., assuma que = 0). Uma vez que a corrente da gate zero, a tenso da gate simplesmente determinada pelo divisor de tenso formado pelas duas resistncias de 10 M, Fig. 24
VG = VDD
RG 2 RG 2 + RG 1
Com esta tenso positiva na gate, o transstor NMOS est em conduo. No sabemos, contudo, se est a funcionar em saturao ou na regio trodo. O procedimento a adoptar j nosso conhecido: assume-se que o transstor est em saturao, resolve-se o problema e verifica-se a validade da suposio. Naturalmente, se se concluir que a hiptese incorrecta, resolve-se novamente o problema, com o transstor a funcionar na regio de trodo.
55

EXEMPLO 5 (cont) Considere-se a Fig. 24 (b). Uma vez que a tenso da gate 5 V e a tenso da source ID 6 (k)= 6 ID, tem-se: Assim, ID dada por
iD =
1 'W kn (vGS Vt ) 2 = 1 x 1 x (5 6 I D 1) 2 2 L 2
O que conduz seguinte equao do 2 grau em ID :
Fig. 24 Esta equao d dois valores para ID: 0,89 mA e 0,5 mA. O primeiro valor leva a uma tenso da source de 6 0,89 = 5,34 V, que superior tenso da gate, pelo que no fisicamente aceitvel, visto que implicava que o transstor NMOS estivesse ao corte. Assim,
Uma vez que VD > VG - Vt o transstor est em saturao, como se tinha admitido.
56

EXEMPLO 6
Projectemos o circuito da Fig. 25 por forma que o transstor funcione em saturao com ID = 0,5 mA e VD= +3 V. Admitamos que o transstor PMOS de enriquecimento tem Vt = -1 V, Kp(W/L)=0,5 mA/V2 e = 0. Determinemos tambm o maior valor de RD que ainda permite o funcionamento na regio de saturao. Uma vez que o MOSFET est em saturao podemos usar obtendo VOV=(VGS-Vt)=+/-1 V. Como VGS tem de ser negativa (VGS < Vt), conclumos que a nica soluo desta equao que faz sentido VGS = -2 V. Ento, como a source est a +5 V, a tenso da gate tem de ser +3 V. Isto pode ser conseguido escolhendo adequadamente os valores de RG1 e de RG2. Uma escolha possvel RG1 = 2 M e RG2 = 3 M. O valor de RD pode ser obtido a partir de RD=VD/ID=3/0,5=6 k O funcionamento em modo de saturao ser mantido at ao ponto em que VD exceda VG de Vt , i.e. VDmax=3+1=4 V Este valor da tenso de dreno obtido com RD dada por RD=4/0,5=8 k 57
Fig. 25
O MOSFET como amplificador e interruptor
Esta importante aplicao do MOSFET deve-se ao facto de que, quando operado na regio de saturao, este actua como uma fonte de corrente controlada por tenso. Variaes na tenso gate-source (vGS) d origem a variaes na corrente de dreno iD. O MOSFET na saturao pode ser usado para implementar um amplificador de transcondutncia. Todavia, o interesse reside em amplificao linear, i.e., em amplificadores cujo sinal de sada (corrente de dreno) tenha um comportamento linear com o seu sinal de entrada (a tenso vGS).
Objectivo: A tcnica usada para obter uma amplificao linear baseia-se na escolha de uma apropriada polarizao (DC) atravs de VGS, qual corresponde uma corrente ID, sendo depois sobreposta a tenso a amplificar vgs. Mantendo vgs pequeno, a variao resultante na corrente de dreno, id, poder ser considerada proporcional a vgs.
58

Operao para grandes sinais Caracterstica de transferncia
A deduo da caracterstica da tenso de transferncia, permite de forma clara visualizar a regio ao longo da qual o transstor pode ser polarizado para operar como amplificador de pequenos sinais, bem como as regies onde este pode operar como interruptor (i.e., totalmente ON ou totalmente OFF) . A Fig. 26, ilustra a estrutura bsica do amplificador MOSFET mais utilizado: O circuito source comum (CS) O nome source comum deve-se ao facto de que quando o circuito visualizado como uma rede de dois portos, o terminal da source ligado massa comum a ambos os portos de entrada (entre gate e source) e de sada (entre dreno e source). Variaes em vGS (ou neste caso, variaes em vI, visto que vGS = vI), do origem a variaes em iD. A tenso de sada v0 vem: Fig. 26
v0 = vDS = VDD RD iD
(34) 59
Determinao da caracterstica da tenso de transferncia do amplificador source comum da Fig. 26. Assuma-se que vI varia entre 0 e VDD. Dois modos de obteno da caracterstica: - grfico - analtico
Modo grfico
O funcionamento do circuito source comum determinado pelas caractersticas iD-vDS do MOSFET e pela relao entre entre iD e vDS, imposta pela ligao do dreno fonte de tenso VDD atravs da resistncia RD. Assim,
vDS = VDD RD iD
ou, de modo equivalente,
(35)
(36)
Trata-se de uma equao linear nas variveis iD e vDS e pode, portanto, ser representada por uma recta no plano iD-vDS.
60
Determinao da caracterstica da tenso de transferncia do amplificador source comum da Fig. 26.
Modo grfico (Cont.)

A Fig. 27 mostra as curvas caractersticas iD - vDS , com a recta sobreposta, de acordo com a eq. 36. Esta recta intersecta o eixo vDS em VDD e tem uma inclinao igual a -1/RD. Uma vez que RD representa a resistncia de carga do amplificador (i.e., a resistncia atravs da qual o amplificador proporciona a sua tenso de sada), a recta na Fig. 27 conhecida como recta de carga. A construo grfica da Fig. 27 pode agora ser usada para determinar v0 (igual a vDS) para um dado valor de vI (vGS=vI). Para um dado valor de vI, localiza-se a correspondente curva iD-vDS e calcula-se v0 a partir do ponto de interseco desta curva com a recta de carga.
Fig. 27 61
Modo grfico (Cont.)

Qualitativamente o circuito funciona do seguinte modo: Visto que vGS = vI, verifica-se que para vI < Vt o transstor estar ao corte pelo que iD ser zero e v0 = vDS = VDD. Neste caso o ponto de funcionamento o representado pela letra A. medida que vI > Vt, o transstor fica ON; iD aumenta e v0 decresce. Para valores mais elevados de vI o transstor estar na regio de saturao. Tal corresponde aos pontos ao longo do segmento da recta de carga de A at B.
Nesta regio foi identificado um ponto de funcionamento particular Q, obtido para VGS = VIQ com coordenadas V0Q = VDSQ and IDQ. A operao na regio de saturao permanece at que v0 decresa at um ponto que inferior a vI de um valor Vt volts.
62
Modo grfico (Cont.)

Para o ponto correspondente a vDS = vGS Vt, o MOSFET entra na regio de trodo, (ponto B da Fig. 27). O ponto B definido por
VOB = VIB Vt
Para vI > VIB, o transstor entra mais profundamente na regio trodo. A tenso nesta regio decresce lentamente para zero. O ponto de funcionamento C ilustrado na Fig. 27 obtido para vI = VDD. A tenso de sada correspondente VOC usualmente muito pequena. Esta determinao ponto-a-ponto da caracterstica de transferncia, resulta na curva de transferncia mostrada na Fig. 28.
63
Modo grfico (Cont.)
Fig. 28
64

Operao como interruptor
Como interruptor, o MOSFET opera em pontos extremos da curva de transferncia. O dispositivo est ao corte mantendo vI < Vt, correspondendo regio de operao delimitada pelo segmento XA, com vO = VDD. O Mosfet comuta para o estado ON, aplicando uma tenso prxima de VDD. Nesse caso est a funcionar prximo do ponto C, com vO muito pequeno (no ponto C vO = VOC).
Operao como amplificador linear

Para que o MOSFET opere como amplificador, usa-se o segmento correspondente ao modo saturao da curva de transferncia. O dispositivo polarizado num ponto localizado prximo do meio da curva, sendo o ponto Q um bom exemplo de um ponto apropriado. O sinal de tenso a amplificar (vi) sobreposto tenso DC VIQ, como mostrado na Fig. 28. Mantendo vi suficientemente pequeno de modo a restringir a operao a um segmento quase linear da curva de transferncia, o sinal de tenso de sada vO resultante, ser proporcional a vi.
65

Operao como amplificador linear (cont)
Nestas circunstncias, o amplificador tem um comportamento praticamente linear e vO ter a mesma forma de onda de vi, excepto na amplitude. O ganho no ponto Q dado por
Av =
dvO dvI
v I =VIQ
Assim, o ganho em tenso igual inclinao da curva de transferncia no ponto Q. A inclinao negativa. O amplificador source comum inversor. Tal pode ser verificado a partir das formas de onda de vi e vO. O aumento de vi, conduz distoro do sinal de sada, pois o funcionamento deixa de estar restrito a um segmento quase linear da curva de transferncia.
66

Seleco apropriada do ponto Q
Visto que o sinal de sada sobreposto tenso DC VOQ ou VDSQ, importante que VDSQ seja tal de modo a permitir a excurso desejada do sinal de sada. Isto , VDSQ deve ser menor de que VDD, por uma quantidade aprecivel e maior de que VOB por uma quantidade suficiente, para permitir uma completa excurso do sinal de sada. Se VDSQ prximo de VDD, os picos positivos sero cortados. Se VDSQ prximo da fronteira da regio trodo, o MOSFET entrar nesta regio para a parte do ciclo prxima dos picos negativos. O projectista dever ter em conta o valor de RD que determina a curva de transferncia. , por este motivo, mais apropriado localizar o ponto Q fazendo referncia ao plano iD vDS. Este ponto ilustrado na Fig. 29. 67

Seleco apropriada do ponto bias Q
A Fig. 29 mostra duas rectas de carga e correspondentes pontos de funcionamento. O ponto Q1, no permite que a parte positiva do sinal oscile (demasiado prximo de VDD). O ponto Q2 demasiado prximo da fronteira da regio do trodo e pode no permitir suficiente oscilao da parte negativa do sinal.
Fig. 29
68
Expresses analticas para a caracterstica de transferncia

As curvas i v que descrevem a operao do MOSFET nas trs regies: corte, saturao e trodo, podem ser facilmente usadas para deduzir expresses analticas para os trs segmentos da caracterstica de transferncia na Fig. 28 Segmento da regio de corte (XA)
vI Vt e vO = VDD vI Vt e vO vI Vt
Segmento da regio de saturao (AQB)
Desprezando a modulao do comprimento do canal e substituindo a expresso para iD,
iD =
vem,
1 W ( n C ox ) 2 L
2 (vI Vt )
em
vo = VDD RD iD
(37)
1 W vo = VDD R D n C ox (vI Vt ) 2 2 L
69
Expresses analticas para a caracterstica de transferncia

A eq. 37 pode ser usada para deduzir uma expresso para o ganho em tenso AV, para o ponto Q para o qual vI = VIQ. Assim, usando,
dv Av = O dvI
v I =VIQ
W Av = R D n C ox (VIQ Vt ) L
(38)
O ganho de tenso proporcional aos valores de RD, ao parmetro de transcondutncia kn = nCox, a W/L e tenso overdrive no ponto de polarizao (V0V = VI0 Vt). Uma outra expresso simples e muito til para o ganho em tenso, pode ser obtida substituindo vI = VIQ e v0 = VOQ na eq. 37, utilizando a eq. 38 e substituindo VIQ Vt = V0V. Resulta, assim,
Av =
2(VDD VOQ ) VOV
2VRD VOV
(39)
Onde VRD a queda de tenso DC na resistncia de dreno RD, i.e., VRD = VDD VOQ.
O ponto terminal (B) do segmento da regio de saturao caracterizado por VOB = VIB Vt
(40) 70
Expresses analticas para a caracterstica de transferncia (cont.)

As coordenadas do ponto B podem ser determinadas substituindo vO = VOB e vI = VIB na eq. 37 e resolvendo a equao resultante em simultneo com a eq. 40. Segmento da regio trodo (BC)
vI Vt e vO vI Vt
Substituindo a expresso para iD, na regio trodo, em
iD = ( n C ox )
W 1 2 (vI Vt )vO vO L 2
vO = VDD RD iD
(41)
Resulta (desprezando o termo de 2 ordem):
W (vI Vt ) vo = VDD / 1 + R D n C ox L
Usando a expresso para rDS (Eq. (15)), a resistncia source-dreno prxima da origem do plano iD vDS ,
rDS
W = 1 / n C ox (vI Vt ) L
vO = VDD
rDS rDS + RD
(42)
71
Expresses analticas para a caracterstica de transferncia (cont.)

A expresso apresentada faz sentido: para valores pequenos de v0 o MOSFET funciona como uma resistncia rDS, que forma com RD um divisor de tenso. Em regra rDS << RD, pelo que a equao 39 reduz-se a EXEMPLO 7 Para que a anlise realizada anteriormente seja mais concreta, considere o circuito source comum da Fig. 26, para o caso em que kn (W/L) = 1mA/V2, Vt = 1 V, RD = 18 k e VDD = 10 V. RESOLUO Determine-se, inicialmente as coordenadas de pontos importantes na curva de transferncia. (a) Ponto X (b) Ponto A
vO VDD
rDS RD
(43)
vI = 0 V , vI = 1 V ,
vO = 10 V vO = 10 V
72

EXEMPLO 7 (cont.) (c) Ponto B: Substituindo,
vI = VIB = VOB + Vt
2 9VOB + VOB 10 = 0
vI = VOB + 1
e vO = VOB na eq. 37, resulta:
S uma das razes tem sentido fsico, nomeadamente, Pelo que,
VOB = 1 V
VIB = 1 + 1 = 2 V
(d) Ponto C: Da eq. 41, vem :
VOC =
10 = 0.061 V 1 + 18 1 (10 1)
Este valor muito pequeno, o que justifica a utilizao da expresso aproximada dada pela eq. (41).
73

EXEMPLO 7 (cont.)
Vamos agora determinar a polarizao do amplificador de modo a operar num ponto apropriado do segmento da regio de saturao. Visto que este segmento se estende desde vO = 1 V a 10 V, escolha-se operar a VOQ = 4 V. Este ponto permite a excurso do sinal em ambas as direces, proporcionando um ganho em tenso mais elevado do que seria obtido com o valor mdio (i.e., VOQ = 5.5 V). Para operar a uma tenso de sada DC de 4V, a corrente de dreno dc tem de ser,
ID =
VDD VOQ RD
10 4 = 0.333 mA 18
A tenso overdrive requerida VOV, pode ser calculada usando
W 2 1 iD = k 'n VOV L 2
VOV =
2 0.333 = 0.816 V 1
O MOSFET tem de ser operado com uma tenso gate- fonte, dada por,
VGSQ = Vt + VOV = 1.816 V

74

EXEMPLO 7 (cont.)
O ganho em tenso deste amplificador, para este ponto de polarizao, pode ser determinado a partir da eq. (38):
Av = 18 1 (1.816 1) = 14.7 V/V

Para perceber a operao de amplificao, aplica-se um sinal de entrada vi de 150 mVpp de amplitude, com forma de onda triangular. A Fig. 30 mostra um tal sinal sobreposto tenso DC de polarizao VGSQ = 1.816 V Como mostrado, vGS varia linearmente entre 1.741V e 1.891 V, em torno do valor de polarizao de 1.816 V. Correspondentemente, iD, ser:
Para vGS = 1.741 V, iD = Para vGS = 1.816 V, iD = Para vGS = 1.891 V, iD = 1 1 (1.741 1) 2 = 0.275 mA 2 1 1 (1.816 1) 2 = 0.333 mA 2 1 1 (1.891 1) 2 = 0.397 mA 2
Fig. 30
75

EXEMPLO 7 (cont.)
Note-se que o incremento negativo em iD (0.333-0.275) = 0.058 mA, enquanto o incremento positivo (0.3970.333) = 0.064 mA, os quais so ligeiramente diferentes. Tal indica que o segmento da curva iD vGS ( ou de modo equivalente, da curva vO vI), no perfeitamente linear, como era esperado. A tenso de sada varia em torno do valor de polarizao VOQ = 4 V e ter os seguintes limites:
Para vGS = 1.741 V, iD = 0.275 mA e vO = 10 0.275 18 = 5.05 V Para vGS = 1.891 V, iD = 0.397 mA e vO = 10 0.397 18 = 2.85 V
Assim, enquanto o incremento positivo 1.05 V, a excurso negativa um pouco maior (1.15 V), uma vez mais como resultado da caracterstica de transferncia no-linear. A distoro de vO pode ser reduzida, diminuindo a amplitude do sinal de entrada. Um outro ponto de vista acerca da operao do amplificador, pode ser obtido considerando a sua anlise grfica, mostrada na Fig. 31.
76

EXEMPLO 7 (cont.) Note-se que medida que vGS varia, devido a vi, o ponto de operao instantneo move-se ao longo da recta de carga. Note-se, ainda, que polarizando o transstor para um ponto de funcionamento no centro da regio de saturao , assegura-se que o ponto de operao instantneo, permanece sempre na regio de saturao e assim a distoro nolinear minimizada.
Fig. 31
77

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Caractersticas tenso-corrente do MOSFET

Polaridades da tenso e da corrente para operao normal

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1 2 (vGS Vt )vDS vDS 2

vGS, Vt, e vDS so negativos e o parmetro de transcondutncia kp dado por, (29)

Mobilidade das lacunas no canal induzido

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Para operar na regio de saturao, vDS tem de satisfazer relao:

1 ' W kp (vGS Vt ) 2 (1 + vDS ) 2 L

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Caractersticas tenso-corrente do MOSFET Modelo de circuito equivalente para grandes sinais

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Modelo de circuito equivalente para grandes sinais

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Circuitos com MOSFETs em corrente contnua

Despreze o efeito de modulao do comprimento do canal (i.e., admita que = 0).

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A partir da qual se obtm V0V:

O valor requerido para R pode ser determinado como se segue:

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Exerccio 5 Se no circuito do exemplo 4, o valor de RD duplicado, determine os valores para ID e VD. 54

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O que conduz seguinte equao do 2 grau em ID :

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