Transistor IGBT

Smbolo ms extendido del IGBT: Gate o puerta (G), colector (C) y emisor (E). El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del ingls Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrnica de potencia. Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT.

Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no haban sido viables hasta entonces, en particular en los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en maquinas elctricas y convertidores de potencia que nos acompaan cada da y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso: automvil, tren, metro, autobs, avin, barco, ascensor, electrodomstico, televisin, domtica, Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc. Caractersticas Seccin de un IGBT. El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 20 kHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energa como fuente conmutada, control de la traccin en motores y cocina de induccin. Grandes mdulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios. Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington hbrido. Tiene la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conduccin. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutacion de la base pueden ser igualmente altas. En

aplicaciones de electrnica de potencia es intermedio entre los tiristores y los mosfet. Maneja ms potencia que los segundos siendo ms lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros. Circuito equivalentede un IGBT. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta. IGBT o MOSFET? Electrnica de Potencia

Con la proliferacin de opciones entre IGBT y MOSFET resulta cada vez ms complejo, para el actual diseador, seleccionar el mejor producto para su aplicacin. La evolucin de este tipo de dispositivos, nacidos para eliminar el clsico rel de conmutacin de cargas, ha llevado un lento pero continuo proceso (y progreso) pasando, entre otros, por los Transistores Bipolares (BJT), los MOSFET y luego los IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor). En la actualidad encontramos IGBT en variadores de frecuencia, en convertidores de potencia y en grandes mquinas elctricas. Sin embargo, no siempre es necesaria su inclusin cuando el uso de transistores MOSFET puede resolver nuestra necesidad. Conociendo las caractersticas elementales de estos dispositivos semiconductores, dedicados a la conmutacin en sistemas electrnicos de potencia, podremos discernir qu componente se ajusta a nuestras necesidades de diseo.

A pesar de sus enormes limitaciones funcionales, el transistor bipolar fue la nica solucin real y verdadera a las aplicaciones de conmutacin hasta la aparicin en escena de los transistores de potencia MOSFET, durante la dcada del 70 en el siglo pasado. El transistor bipolar (BJT), para funcionar como interruptor de conmutacin, requiere de una (hoy considerada) alta corriente de base para entrar en estado de conduccin o saturacin y adems, es relativamente lento en sus caractersticas de apagado o corte, es decir, en la transicin de la saturacin al corte (actualmente conocida como cola de corriente). Como desventajas adicionales, podemos mencionar en primer lugar que el BJT posee una considerable dispersin trmica debido a su coeficiente de temperatura negativo. La segunda desventaja importante es la incidencia que puede alcanzar en un circuito mientras se encuentra en estado de conduccin. Este efecto (problemtico) se rige por la tensin de saturacin entre Colector y Emisor (Vce), que en muchas aplicaciones suele alcanzar valores de varios voltios, an en condiciones de saturacin total. Si a esto lo comparamos con el contacto de un rel, el BJT no es un elemento totalmente idneo para trabajar como interruptor ya que si la corriente de colector es elevada, la potencia disipada en forma de calor puede llegar a niveles destructivos para el transistor (P = V * I). Cuando las corrientes son pequeas, los BJT pueden ser una solucin econmica, pero si de electrnica de potencia hablamos, su utilizacin es la menos indicada. Un transistror bipolar de potencia clsico utilizado en sistemas de conmutacin tipo "fly-back" El transistor MOSFET, en cambio, es un dispositivo en el que su estado de corte o de conduccin se controla por tensin en su terminal de control, no por corriente. El MOSFET tiene un coeficiente de temperatura positivo, lo que les permite detener fugas o dispersiones trmicas. En estado de conduccin, su resistencia no tiene lmite terico, por lo tanto, su incidencia es notablemente inferior dentro de un circuito elctrico cuando se encuentra en estado de saturacin gracias a que presenta una resistencia final (RDS-on) de unos pocos miliOhms. El MOSFET suele tener tambin incorporado en su encapsulado un diodo, que es particularmente til en el tratamiento de sistemas conmutados de corriente, impidiendo la retroalimentacin destructiva que se origina en este tipo de aplicaciones. A este diodo se lo conoce como Damper. Todas estas ventajas comparativas y algunas otras ms, hicieron que el MOSFET se convirtiera en el dispositivo preferido al momento de la eleccin en los diseos de manejo de

conmutacin de potencia. A pesar de todas las cualidades mencionadas, un punto tecnologa es la potencia mxima de trabajo. Si bien existen dispositivos que pueden trabajar con altas tensiones (VDS > 400 Volts) exista una necesidad de disponer de semiconductores adecuados para aplicaciones industriales de alta corriente (IDS >100 Amperes). Fue as que, a lo largo de la dcada del 80, comenzaron a aparecer en escena los IGBT. Cmo podramos definir al IGBT en pocas palabras? El IGBT es un cruce, un hbrido, entre los transistores MOSFET y los BJT o bipolares que aprovecha las bondades de ambas tecnologas. El IGBT tiene la salida de conmutacin y de conduccin con las caractersticas de los transistores bipolares, pero es controlado por tensin como un MOSFET. En general, esto significa que tiene las ventajas de la alta capacidad de manejo de corriente propias de un transistor bipolar, con la facilidad del control de conduccin por tensin que ofrece un MOSFET. Sin embargo, los IGBT no son dispositivos ideales y entre algunas de sus desventajas encontramos que tienen una relativamente baja velocidad de respuesta (20Khz) y no siempre traen el diodo de proteccin (Damper) que incluyen los MOSFET. En sus primeras versiones, los IGBT eran propensos a entrar abruptamente en conduccin, pero en la actualidad, las nuevas tecnologas de fabricacin estn eliminando este defecto. Otro de los posibles problemas con algunos tipos de IGBT es el coeficiente de temperatura negativo que poseen, que podra conducir al dispositivo a una deriva trmica muy difcil de controlar. Por supuesto, estas desventajas quedan eclipsadas cuando debemos reconocer la capacidad de un IGBT de poder trabajar con varios miles de Voltios y corrientes tan elevadas que permiten hablar de cientos de KiloWatts de potencia controlada. El IGBT es un hbrido entre un BJT y un MOSFET En la batalla entre IGBTs y MOSFETs, ya sea un dispositivo como el otro, pueden demostrar que tiene ventajas y desventajas en un mismo circuito dependiendo de las condiciones de funcionamiento y cada uno ser el indicado para diferentes diseos, pero; Cmo debe un diseador seleccionar el dispositivo correcto para su aplicacin? El mejor enfoque es comprender el rendimiento relativo de cada dispositivo y los valores nominales de corriente y tensin que sean capaces de manejar. El MOSFET es un producto ya maduro y que ha logrado un desarrollo constructivo muy importante. Los IGBT son una nueva tecnologa que superar a los MOSFET por encima de los 300 Volts y los 100 Amperes, pero estos ltimos continan teniendo un crecimiento muy dinmico en el rea de la automocin y la electrnica de consumo, lo que har que su decadencia no resulte tan pronta ni tan sencilla. Cada cual tendr su nicho de trabajo y ser muy importante, para el diseador, aprender a identificar estos espacios para alcanzar un desarrollo industrial eficiente, ajustado a las necesidades operativas del trabajo a realizar. Y t, has utilizado ya algn IGBT en tus desarrollos?. Aspecto de un IGBT con sus indicaciones de conexin