Uniwersytet Marii Curie-Skodowskiej w Lublinie Wydzia Matematyki Fizyki i Informatyki Radosaw Szlzak PROMIENIOWANIE TERAHERCOWE.

METODY
GENERACJI I ZASTOSOWANIA

Terahertz radiation. Methods of generation and applications

Praca wykonana w Katedrze Fizyki Teoretycznej Instytutu Fizyki UMCS w Lublinie pod kierownictwem Prof. dr hab. Mirosawa Zaunego

LUBLIN 2011

Z wyrazami szacunku, skadam serdeczne podzikowanie mojemu promotorowi, Panu Prof. dr hab. Mirosawowi Zaunemu za cenne rady, ogromn cierpliwo, nieustajc wyrozumiao, powicony czas i pomoc w pisaniu niniejszej pracy magisterskiej

Prac t dedykuje moim rodzicom, rodzestwu oraz Natalii

Spis treci

1. Wprowadzenie ................................................................................................... 7 1.1. Charakterystyka promieniowania terahercowego ....................................... 9 1.2. Rys historyczny ......................................................................................... 14 2. Podstawy teoretyczne ....................................................................................... 18 2.1. Rwnanie falowe ....................................................................................... 20 2.2. Przenikalno elektryczna i magnetyczna, wspczynnik zaamania ....... 21 2.3 Propagacja fali w materiaach litych i zjawisko odbicia ............................ 24 2.4. Oglne informacje na temat optyki liniowej ............................................ 28 3. Metody generacji promieniowania terahercowego .......................................... 32 3.1 Oscylator fali wstecznej (BWO - Backward Wave Oscillator) .................. 35 3.2 Gyrotron ..................................................................................................... 37 3.3 Lasery ......................................................................................................... 39 3.3.1 Lasery czsteczkowe ........................................................................... 40 3.3.1.1 Laser pracujcy w dalekiej podczerwieni - CO2 ........................... 42 3.3.1.2 Lasery terahercowe ....................................................................... 44 3.3.2 Laser na swobodnych elektronach (FEL - Free Electron Laser) ........ 46 3.3.3 Kwantowy laser kaskadowy (QCL - Quantum Cascade Laser) ......... 49 3.4 Dioda Gunna ............................................................................................... 51 3.5 Dioda IMPATT (Impact Avalanche and Transit-Time diode) ................... 53 4

3.6 Antena fotoprzewodzca (PCA - Photoconductive antenna) ..................... 55 4. Metody detekcji promieniowania terahercowego ............................................ 58 4.1 Bolometry ................................................................................................... 59 4.1.1 Bolometr metalowy ............................................................................. 60 4.1.2 Bolometr nadprzewodnikowy .............................................................. 61 4.1.3 Bolometr pprzewodnikowy .............................................................. 62 4.1.4 Bolometr pprzewodnikowy termistrowy .......................................... 65 4.1.5 Bolometr krzemowy ............................................................................ 66 4.1.6 Bolometr kompozytowy ...................................................................... 67 4.2 Antena fotoprzewodzca (PCA - Photoconductive antenna) ..................... 69 4.3 Detektory piroelektryczne ......................................................................... 70 4.4. Komrka Golaya ....................................................................................... 72 4.5 Tranzystor HEMT (High Electron Mobility Transistor)............................ 73 5. Zastosowania .................................................................................................... 76 5.1 Spektroskopia terahercowa ......................................................................... 78 5.1.1 Spektroskopia w domenie czasu .......................................................... 80 5.1.2 Spektroskopia fourierowska ............................................................... 81 5. 2 Obrazowanie terahercowe ......................................................................... 83 5.3 Zastosowania w astrofizyce ........................................................................ 85 5.4 Komunikacja terahercowa .......................................................................... 87 5.5 Meteorologia............................................................................................... 88 5.6 Zastosowania w biologii i medycynie ........................................................ 89

5.7 Systemy bezpieczestwa ........................................................................... 90 5.8 Zastosowania militarne ............................................................................... 92 5.9 Zastosowania w sztuce .............................................................................. 94 Dodatek 1. Wyprowadzenie rwnania falowego z rwna Maxwella ................ 96 Dodatek 2. Przenikalno elektryczna. Model Drudego. ................................... 100 Dodatek 3. Laser femtosekundowy .................................................................... 104 Bibliografia ........................................................................................................ 107

1. Wprowadzenie [1-3]

Fale elektromagnetyczne towarzysz yciu czowieka praktycznie wszdzie i zawsze. Zaczynajc od prostego (chocia nie wprost oczywistego) przykadu rejestracji przez oko ludzkie wiata, odbioru audycji radiowych, codziennego korzystania z telefonii komrkowej, a na przewietleniach rentgenowskich koczc. Chocia mona przytoczy wiele przykadw z rnych dziedzin ycia, to czy je ten sam proces fizyczny - generowanie i odbieranie fal elektromagnetycznych. Jedyn rnic jest czstotliwo drga pola elektromagnetycznego omawianej fali. Ze wzgldu na rne waciwoci i zastosowania, podzielono widmo promieniowania elektromagnetycznego w zalenoci od dugoci fali na (zaczynajc od fal najkrtszych): promieniowanie gamma, promieniowanie rentgenowskie, ultrafiolet, wiato widzialne, podczerwie, mikrofale oraz fale radiowe. Naley take doda, e nie s to granice obustronnie zamknite, nie udowodniono aby istniaa najmniejsza lub najwiksza moliwa dugo fali. Take nie wystpuje ostry podzia midzy odpowiednimi pasmami, granice zakresw rnych rodzajw fal pokrywaj si dlatego niektre zjawiska, mona zaliczy do oddziaywania promieniowania o rnych nazwach. Charakterystyka i zakres odpowiednich pasm przedstawiony jest na rysunku 1.1. W przedmiotach codziennego uytku najczciej korzystamy z pasma radiowego (np. odbiorniki radiowo-telewizyjne), mikrofalowego (np. kuchenki mikrofalowe, telefony komrkowe, Internet bezprzewodowy) oraz z

podczerwieni (np. piloty, czujniki ruchu, grzejniki). Dodatkowo bardzo szeroko wykorzystywane jest pasmo mikrofalowe i podczerwone w systemach bezpieczestwa, informatyce oraz w medycynie.

Rys. 1.1. Widmo promieniowania elektromagnetycznego i wybrane waciwoci poszczeglnych zakresw. [4] W zwizku z cigym rozwojem bada nad promieniowaniem elektromagnetycznym, a take wzrastajce zapotrzebowanie na nowe technologie spowodoway, e do wykorzystywanego ju spektrum fal elektromagnetycznych naleaoby doda jeszcze jeden zakres - promieniowanie terahercowe. Spowodowane jest to faktem, e cakiem niedawno udao si generowa promieniowanie o wystarczajcej mocy i spjnoci z zakresu terahercowego, ktre znalazo by szerokie zastosowanie. Pasmo te ma stanowi wypenienie luki midzy mikrofalami a podczerwieni dla urzdze, ktre dopiero od niedawna zostay technicznie wykorzystane. Niniejsza praca ma stanowi wprowadzenie do tematu, przedstawienie fizycznych rozdziaach, waciwoci, oraz spodziewanych zostanie zjawisk zwizanych z promieniowaniem elektromagnetycznym o tej czstotliwoci. W pierwszych przedstawiona charakterystyka promieniowania terahercowego, oraz krtki rys historyczny. Nastpnie przedstawione zostan podstawowe informacje teoretyczne, z zakresu elektromagnetyzmu, traktujce o zachowaniu i generacji fal elektromagnetycznych. Po czci teoretycznej, przedstawione zostan metody generacji, oraz opisy urzdze, ktre wytwarzaj 8

promieniowania terahercowe. W kolejnym rozdziale przedstawione zostan metody detekcji i przykadowe detektory. Na zakoczenie zaprezentowane zostan przykadowe zastosowania systemw, wykorzystujcych

promieniowanie terahercowe

1.1. Charakterystyka promieniowania terahercowego

Promieniowanie terahercowe (w literaturze nazywane take: THz, T-rays, promienie T) jest promieniowaniem elektromagnetycznym, ktrego czstotliwo ley pomidzy mikrofalowym i podczerwonym zakresem spektrum elektromagnetycznego. Wartoci czstoci fal, ktre odpowiadaj temu pasmu powszechnie uznaje si zakres od 0,1 do 10 THz . Odpowiada to dugociom fal od 3000 do 30 m. Naley tutaj doda, e w niektrych publikacjach pasmo promieniowania terahercowego jest definiowane jako zakres od 1 do 10 THz lub od 0,3 do 30 THz. Wyrniany w literaturze jest czasem take zakres subterahercowy dla czstotliwoci od 0,1 do 0,3 THz, ale s to rzadkie przypadki. Zainteresowanie promieniowaniem terahercowym wzrasta, poniewa w tym zakresie ujawnia si wiele zjawisk fizycznych, do ktrych bada wymagana jest czsto interdyscyplinarna wiedza. Dodatkowo pasmo terahercowe rozdziela spektrum elektromagnetyczne ze wzgldu na wykorzystanie w zakresie fotoniki (od strony fal podczerwonych), oraz elektroniki (od strony mikrofal). Obecnie znane s ju zastosowania w zakresie obrazowania medycznego, systemw bezpieczestwa, spektroskopii, obserwacji astronomicznych, reflektografii, kontroli jakoci i defektoskopii. Promieniowanie terahercowe odgrywa coraz wiksz rol w astrofizyce, poniewa promieniowanie w tym zakresie wypenia okoo poow jasnoci wszechwiata i 98% fotonw wyemitowanych od Wielkiego Wybuchu mieci si w tym przedziale czstotliwoci. Trzeba jednak przyzna, e moliwoci aparatury terahercowej wci jeszcze nie dorwnuj stosowanym od dawna analogicznym urzdzeniom pracujcym w zakresie podczerwieni i mikrofal. Spowodowane jest to wci 9

istniejcymi

problemami

formowania

bardziej

zbienych

impulsw

terahercowych. Jednak postp technologiczny jaki dokonuje si obecnie, pozwala na coraz to szybsze poprawienie jakoci tych urzdze. Widmo promieniowania elektromagnetycznego z uwzgldnionym pasmem terahercowym przedstawione jest na rysunku 1.1.1.

Rys. 1.1.1. Widmo elektromagnetyczne z uwzgldnieniem zakresu promieniowania terahercowego. Charakterystyczne parametry dla fal o czstociach 0,1 THz, 1 THz oraz 10 THz przedstawione zostay w tabeli 1.1.1 Tabela 1.1.1. Charakterystyczne wielkoci zwizane z promieniowaniem terahercowym Czsto Dugo fali Okres Czsto koowa Energia fotonu Temperatura Liczba falowa 0,1 THz 1 THz 10 THz 3000 m 300 m 30 m 10 ps 1 ps 0,1 ps 0,628 THz 6,28 THz 62,8 THz 0,414 meV 4,14 meV 41,4 meV 4,8 K 48 K 480 K 3,33 cm -1 33,3 cm -1 333,3 cm -1

gdzie: c - prdko wiata, kB - staa Boltzmana, h - staa Plancka.

10

Naley doda, e podana w tabeli liczba falowa, jest wartoci uywan w spektroskopii. Zaleno midzy ktow liczb falow k, a spektroskopow liczb falow , wyraa si wzorem : .

Do rde promieniowania terahercowego wystpujcych naturalnie w przyrodzie mona zaliczy kosmiczne promieniowanie ta. Okoo poowy promieniowania jakie jest we wszechwiecie jest w zakresie terahercowym, a 98% wyemitowanych fotonw podczas Wielkiego Wybuchu pochodzi wanie z tego zakresu. Take fragment z widma promieniowania cia doskonale czarnych jest w zakresie czstotliwoci terahercowych, jak wida z tabeli 1.1.1 maksima promieniowania termicznego w zakresie terahercowym mieszcz si pomidzy 4,8 K i 480 K (co odpowiada od -268C do +207C). Niestety, wikszo z tych rde jest niespjna, oraz o bardzo niskim nateniu i mocy. Oznacza to, e nie da si ich w praktyce wykorzysta, mona jedynie je rejestrowa i analizowa. W zakresie terahercowym, drgania midzyczsteczkowe, wewntrz czsteczkowe oraz rotacje czsteczek maj swoje linie widmowe. Podczas gdy promieniowanie termalne w zakresie podczerwieni pochodzi od spontanicznych przej elektronw na powoce, to promieniowanie terahercowe jest wynikiem wibracji i rotacji moleku gazw, cieczy i staych zwizkw chemicznych. Dziki temu, promienie z zakresu terahercowego tworz charakterystyczne dla danego zwizku rezonanse pozwalajce je bezporednio identyfikowa. Ze wzgldu, e energie fotonw mieszcz si w przedziale od 0,414 do 41,4 meV, promienie terahercowe maj charakter niejonizujcy. Oznacza to brak szkodliwego oddziaywania na organizmy ywe, co mona zastosowa w bezpiecznych technikach obrazowania narzdw wewntrznych, a w niektrych przypadkach pozwala zastpi przewietlenia rentgenowskie w medycynie. Jednym z najwikszych problemw w systemach terahercowych jest zagadnienie dalekiego zasigu. Problem ten wynika z powodu silnego tumienia fal o czstotliwociach terahercowych przez wod zawart w atmosferze, co uniemoliwia wysyanie tego typu promieniowania na odlegoci wiksze ni 11

rednio 300 400 m. Take rozpraszanie na czsteczkach pyu, ktre znajduj si w atmosferze znaczco utrudniaj propagacj fali. Warto doda, e im wiksza jest czstotliwo promieniowania elektromagnetycznego tym silniejsze jest rozpraszanie na czsteczkach. Zaleno t wida ju dla dwch skrajnych czstotliwoci (10 THz i 0,1 THz) w zakresie promieniowania terahercowego. Zasig ten jeszcze bardziej si zmniejsza gdy jest zwikszona wilgotno powietrza, zachmurzenie, dla mga, opady i zanieczyszczenia. Tumienie na atmosferyczne rnych warunkw pogodowych przedstawiono

rysunku 1.1.2. Wykres ten przedstawia zaleno czstotliwoci od tumienia, w danych warunkach pogodowych. Najbardziej niesprzyjajce warunki dla propagacji fal o czstociach terahercowych s w gorcym klimacie tropikalnym, gdzie zarwno wilgotno jak i zawarto pyw jest wysoka.

Rys. 1.1.2. Tumienie atmosferyczne na poziomie morza dla szeciu rnych warunkw pogodowych zakresu terahercowego (STD odchylenie standardowe, Humid wysoka wilgotno, Winter niskie temperatury, Fog zamglenie, Dust- obecno pyw, Rain deszcz) [3]

12

cigu

ostatnich

trzech

dekad ustalono

bada jego

dowiadczalnych siedem

nad

promieniowaniem wasnoci:

terahercowym,

podstawowych

Promieniowanie przenika przez wikszo niemetalicznych i niepolarnych substancji, oznacza to, e mona za pomoc systemw terahercowych analizowa zwarto opakowa bez potrzeby ich otwierania, czy te obserwowa proces gojenia rany bez przymusu zdejmowania opatrunku. Materiay istotne z punktu widzenia bezpieczestwa takie jak materiay wybuchowe, tych rodki chemiczne i bro biologiczna do maj swoje charakterystyki widmowe w zakresie pasma terahercowego. Znajomo sygnatur widmowych mona wykorzysta identyfikacji podejrzanych materiaw przy pomocy spektroskopii terahercowej. Niejonizujcy charakter promieniowania terahercowego nie stanowi ryzyka defektw komrek na poziomie molekularnym podczas ekspozycji organizmu ywego na promieniowanie. Dziki tej wasnoci jest moliwo wyeliminowania aparatw rentgenowskich z niektrych obszarw bada medycznych. Promieniowanie jest silnie absorbowane przez wod, czyli take przez atmosfer ziemsk. Stanowi to problem w pomiarach promieniowania ta kosmicznego, poniewa detektory musz znajdowa si ponad warstw atmosfery. Ograniczony jest take zasig penetracji w organizmach ywych, ze wzgldu na due iloci wody w tkankach. Bardzo wysoki wspczynnik odbicia fal od powierzchni metalicznych. Oznacza to wykorzystanie w systemach ochrony i nadzoru do wykrywania ukrytych pojazdw, amunicji, min, broni oraz innych metalicznych przedmiotw majcych znaczenie ze wzgldw bezpieczestwa. Niski poziom rozpraszania fal terahercowych (dla najmniejszych czstotliwoci) oraz ich kierunkowo powoduje, e sygnay te mog by uyte w komunikacji.

13

 Promieniowanie terahercowe jest znacznie atwiejsze do skupienia i skolimowania ni fale radiowe, dziki czemu atwiej uzyska wiksz intensywno wizki. Ze wzgldu na to, e pasmo terahercowe ley pomidzy submilimetrowymi mikrofalami, a dalek podczerwieni, czenie technologii z obu zakresw moe by stosowane do opracowania nowych technologii terahercowych.

1.2. Rys historyczny

Historia bada i wykorzystania promieniowania terahercowego jest cile zwizana z rozwojem wiedzy nad promieniowaniem podczerwonym i mikrofalowym. Pierwsze badania nad dalek podczerwieni miay miejsce w 1881 roku, gdy astronom Samuel Pierpont Langley (1834-1906) skonstruowa pierwszy bolometr. Wikszo wczesnych prac na temat dalekiej podczerwieni, zostay wykonane przez Heinricha Rubensa (1865-1922), ktrego badania nad promieniowaniem resztkowym (reststrahlen) miay kluczowe znaczenie dla teorii promieniowania ciaa doskonale czarnego, stworzonej przez Plancka. Od czasu wynalezienia urzdze z multipleksowym podziaem czstotliwoci (FDM Frequency Division Multiplexing) w 1949 roku, spektroskopia transformaty Fouriera w dalekiej podczerwieni, staa si standardowym narzdziem w chemii fizycznej. W drugiej poowie XX wieku skonstruowano kilka rde i detektorw promieniowania terahercowego, jak na przykad komrki Golaya. detektory piroelektryczne, kaskadowe lasery kwantowe. Nowoczesne rda polegajce na pulsacyjnym wytwarzaniu promieniowania terahercowego, pochodz z prac Austona, Nussa i Grishkowskyego, ktrzy badali przeczniki fotoprzewodzce oraz emisj dalekiej podczerwienie na nieliniowych krysztaach w latach 80 XX wieku. Dziki tym pionierskim pracom, anteny fotoprzewodzce stay si obecnie jednym z dwch najbardziej popularnych metod wytwarzania i detekcji 14

koherentnych impulsw terahercowych z wysok czuoci. Druga popularna metoda polega na generacji szerokopasmowego promieniowania terahercowego przez rektyfikacje optyczn. Koncepcja wykorzystania promieniowania terahercowego w przemyle pojawiaa si w latach 70 XX wieku. Po raz pierwszy zakres terahercowy w spektrum elektromagnetycznym okreli w 1974 roku J.W. Fleming, przy opisie czstotliwoci linii widmowych [5]. Mimo wczeniejszych prac teoretycznych na ten temat, ktre sigaj poowy lat 20 XX wieku (np. praca E. J. Nicholsa i J. D. Teara z 1925 roku [6]), rozwj technologii terahercowych wstrzymywa brak odpowiedniego sprztu. Jeszcze trzy dekady temu, wiksza cz pasma THz nie bya szczeglnie uywana, poniewa praktycznie nie istniay odpowiednie nadajniki do emitowania konkretnych czstotliwoci. Podobna sytuacja bya dla niewielkiej iloci odbiornikw, ktre zbieray by sygna i odpowiednio go przetwarzay. Pocztkowo uywano technik ze znanych ju systemw mikrofalowych i podczerwonych, prbujc przesun reim pracy w kierunku czstotliwoci terahercowych, tzn. 0,1 - 10 THz. Pierwszymi urzdzeniami ktre ten warunek speniay by oscylatory fali wstecznej (BWO - Backward Wave Oscillator), nazywane take karcinotronami. Jest to generacyjna lampa mikrofalowa, bdca rodzajem lampy o fali wstecznej. Wyrnia si dwa rodzaje BWO - typu M (z polem magnetycznym poprzecznym wzgldem osi lampy) oraz typu O (pole magnetyczne skierowane jest rwnolegle do osi lampy). Typ M zosta zaprezentowany po raz pierwszy 1951 roku przez Bernarda Epszteina, a rok pniej Rudolf Kompfner skonstruowa typ O. Lampy te, charakteryzuj si moliwoci zmiany generowanej czstotliwoci promieniowania mikrofalowego w szerokim zakresie. Innym urzdzeniem, ktre powstao na pocztku lat 60 XX wieku by gyrotron, pocztkowo suy do wytwarzania fal mikrofalowych o niskiej mocy (rzdu miliwatw), lecz z biegiem czasu zarwno reim pracy jak i moc znaczco si zwikszyy. Pierwszymi urzdzeniami generujcymi promieniowanie zbliajce si do zakresu terahercowego tyle, e od strony podczerwonej byy lasery gazowe. Pierwszy laser gazowy zosta wynaleziony w 1960 roku przez Ali Javana i 15

Williama R. Bennetta, Jr. W laserze tym, gazem roboczym bya mieszanina helu i neonu, co pozwalao na emisje promieniowania o dugoci fali 632,8 nm (czerwie) lub 1,15 m (podczerwie). Dopiero zmiana gazu roboczego na dwutlenek wgla, pozwolia si zbliy do pasma terahercowego. Dokona tego w 1964 roku Kumar Patel. Laser CO2 produkuje fale o dugoci 10,6 m. Kolejnym krokiem byo uycie pprzewodnikw do generowania impulsw terahercowych. Przykadem takiego urzdzenia s dioda Gunna i dioda IMPATT, uywane od poowy lat 60 XX wieku. Diody te, pocztkowo wykorzystywana do generowania mikrofal, z biegiem czasu zostaa dostosowywana do generowania take czstotliwoci terahercowych, co osignito w latach 90. Take prac nad tranzystorem HEMT, sucego do detekcji promieniowania z zakresu od mikrofal do podczerwieni, ktrych pocztki sigaj roku 1969, zaczy przynosi praktyczne efekty dopiero w latach 80 XX wieku. Podobnie byo z laserem na swobodnych elektronach (FEL - Free Electron Laser), ktry zosta skonstruowany w 1976 przez Johna Madeya i pocztkowo generowa mikrofale. W 1994 Federico Capasso konstruuje kwantowy laser kaskadowy (QCL Quantum Cascade Laser). Laser ten musia by chodzony do temperatur helowych. Natomiast w 2008 roku naukowcy z Uniwersytetu Harvarda wraz z Capasso stworzyli pierwszy terahercowy laser (typu QCL), ktry pracuje w temperaturze pokojowej. Praktyczne zastosowania zaczy si pojawia w latach 90 XX wieku. W 1995 roku, pod kierownictwem Nuss i Hu skonstruowano pierwsze urzdzenie obrazujce w zakresie terahercowym. Na rysunku 1.2.1 przedstawiono zblianie si do zakresu terahercowego dla wybranych generatorw, od roku 1960. Jak wida, najbardziej intensywny rozwj technologii terahercowych przypada na ostatnie dwie dekady. Zwizane jest to bezporednio z dwoma faktami - rozwj technologii pprzewodnikowej oraz fakt, e dopiero wtedy zakres ten zosta "odkryty" dla systemw bezpieczestwa, a sytuacja zwizana z zagroeniem terroryzmem na wiecie, jeszcze bardziej przyspieszya badania nad technologiami zabezpiecze i kontroli.

16

Rys. 1.2.1. Rozwj technologii generowania promieni terahercowych od roku 1960. [2] Zasada dziaania przedstawionych wyej urzdze bdzie

szczegowo omwiona w rozdziaach dotyczcych wytwarzania i detekcji promieniowania terahercowego. Tabela 1.2.1. Kalendarium zbliania si do zakresu oraz rozwoju technologii terahercowych. Rok Urzdzenie Zakres czstotliwoci 1881 Bolometr podczerwie Lata 50 XX wieku Komrka Golaya mikrofale - podczerwie Lata 60 XX wieku BWO 0,01 - 1 THz Lata 60 XX wieku Gyrotron 0,001 - 0,3 THz Lata 60 XX wieku Dioda Gunna/IMPATT 0,001 - 1 THz 1964 Laser CO2 28, 30 THz 1976 FEL mikrofale - promieniowanie X Lata 80 XX wieku HEMT mikrofale - podczerwie Lata 80 XX wieku PCA zakres terahercowy 1994 QCL 1 - 100 THz

17

2. Podstawy teoretyczne [1-2,7-8]

Podobnie jak wszystkie fale elektromagnetyczne, promieniowanie terahercowe opisane jest rwnie przez rwnania Maxwella. Rwnania te, stanowi matematyczny opis praw dowiadczalnych z zakresu elektrodynamiki klasycznej (prawa Gaussa, prawo Faradaya, prawo Ampera), ktre zostay uzupenione przez Jamesa Clerka Maxwella w 1861 roku, hipotez o prdzie przesunicia. Rwnania Maxwella s rwnaniami fenomenologicznymi. Wynika to z faktu, e w czasach gdy je formuowano nie znana bya jeszcze atomowa struktura materii. Makroskopowa posta tych rwna, to znaczy uredniona po obszarze wielu atomw jest wyraana wzorami: gdzie: - natenie pola elektrycznego, - indukcja pola magnetycznego, - natenie pola magnetycznego, - indukcja pola elektrycznego, - gsto prdu, - gsto adunku. Makroskopowe pola wektorowe oraz s powizane z polami i zalenociami: 18

(2.1) (2.2) (2.3) (2.4)

 gdzie: - polaryzacja elektryczna, - magnetyzacja, i orodku prnia).

(2.5) (2.6)

s odpowiednio przenikalnoci elektryczn i magnetyczn w (indeks dolny o wartoci 0 przy i oznacza e orodkiem jest

W oglnoci wektor polaryzacji elektrycznej zdefiniowany jest jako suma momentw dipolowych na element objtoci. Z kolei magnetyzacja definiowana jest jako wielko wektorowa rwna stosunkowi caego momentu magnetycznego ciaa do jego objtoci. Wektory i opisuj stan wzbudzenia poszczeglnych pl

elektrycznych i magnetycznych, natomiast wektory i oraz gsto prdu uwzgldniaj obecno orodka materialnego. Wartoci staych i cile wynikaj z atomowej struktury materii. Polaryzacja oraz magnetyzacja zawieraj informacje na temat wasnoci elektromagnetycznych materii w skali mikroskopowej. Pierwsze rwnanie Maxwella (2.1), mwi, e rotacja pola elektrycznego rwna si zmianie indukcji pola magnetycznego w czasie. Oznacza to, e zmienne w czasie pole magnetyczne wytwarza wirowe pole elektryczne. Kierunek i zwrot wytworzonego pola elektrycznego jest jednoznacznie okrelony i jest taki, e jeeli wektor wskazuje kierunek ruchu postpowego ruby prawoskrtnej to kierunek i zwrot wektora jest przeciwny do ruchu obrotowego tej ruby. Drugie rwnanie Maxwella (2.2), wykazuje, e dywergencja pola magnetycznego jest rwna zeru, a to oznacza e pole magnetyczne jest bezrdowe nie istniej adunki (monopole) magnetyczne. Trzecie prawo Maxwella (2.3) mwi, e rotacja natenia pola 19

magnetycznego rwna si gstoci prdw swobodnych. Prdami swobodnymi nazywane si wszelkie prdy, oprcz prdw molekularnych, poniewa prdy molekularne uwzgldnione s w wektorze . Wniosek z tego rwnania jest taki, e prd elektryczny i zmienne w czasie pole elektryczne wytwarzaj wirowe pole magnetyczne. Czwarte prawo Maxwella (2.4) pokazuje, e dywergencja indukcji pola elektrycznego jest rwna gstoci objtociowej adunkw swobodnych. adunki zwizane w atomach orodka uwzgldnione s w wektorze . Oznacza to, e rdem pola elektrycznego s adunki elektryczne. Naley take doda, e rwnania (2.5) oraz (2.6) s prawdziwe tylko w orodkach liniowych i izotropowych.

2.1. Rwnanie falowe

Odpowiednio przeksztacajc rwnania Maxwella, moemy otrzyma rwnanie falowe. Rwnania te pokazuj, e pola elektryczne i magnetyczne s ze sob nierozerwalnie zwizane. Pole elektryczne wytwarza pole magnetyczne, natomiast pole magnetyczne indukuje pole elektryczne. Rwnanie falowe dla orodka materialnego przyjmuj posta: Gdzie: przewodno elektryczna.

(2.1.1) (2.1.2)

Przewodno elektryczna definiowana jest przez zaleno: Rozwizaniami rwna (2.1.1) i (2.1.2) jest liniowo (2.1.3) spolaryzowana,

monochromatyczna fala zalena od pooenia

i czasu : 20

( ( Gdzie: - czsto koowa - wektor falowy

) )

( (

) )

(2.1.4) (2.1.5)

, | | .

Zwizek dyspersyjny, mona uzyska podstawiajc odpowiednio do rwnania falowego jego rozwizanie: (2.1.5) Jak wida, rwnania dla pola elektrycznego oraz s matematycznie takie same, co oznacza e pola te s wzajemnie ze sob powizane. Sposb w jaki mona wyprowadzi z rwna Maxwella rwnanie falowe, jest przedstawiony w Dodatku 1.

2.2. Przenikalno elektryczna i magnetyczna, wspczynnik zaamania

W elektrodynamice wyrniamy przenikalno elektryczn , ktra charakteryzuje waciwoci elektryczne orodka oraz przenikalno magnetyczn , ktra analogicznie okrela waciwoci magnetyczne materiau. Punktem odniesienia jest warto tych parametrw dla prni, gdzie parametr ten jest najmniejszy. Przenikalno elektryczna prni wynosi
12

= 8,854187817 10-

F/m, natomiast

warto przenikalnoci magnetycznej prni wynosi

= 12,566370614 10-7 Vs/Am. Wartoci te, zostay podane przez Komitet Danych dla Nauki i Techniki (CODATA) i s zatwierdzone jako stae fizyczne. W oglnoci przenikalno elektryczna i magnetyczna s tensorami drugiego rzdu, lecz w orodkach izotropowych redukuje si do skalara. W orodkach jednorodnych tensory przenikalnoci elektrycznej i magnetycznej nie zale od wektora pooenia, czyli s takie same w kadym punkcie orodka, w 21

materiaach niejednorodnych mog zmienia si od punktu do punktu. Przenikalno elektryczna poszczeglnych orodkw czsto okrela si poprzez bezwymiarow warto przenikalnoci elektrycznej wzgldnej, oznaczanej jako r. Wielko ta wskazuje, ile razy przenikalno (bezwzgldna) orodka jest wiksza, od przenikalnoci elektrycznej prni: (2.2.1) Wspczynnik r, nazywany take sta elektryczn orodka, przyjmuje wartoci od 1 (dla prni i silnie rozrzedzonych gazw) do dziesitek tysicy (dla ferroelektrykw). Im wiksza jest przenikalno elektryczna orodka, tym wiksza warto indukcji wywoana przy tym samym nateniu pola

elektrycznego . Std zastosowanie dielektrykw o duej wartoci r zmniejsza si oddziaywania elektrostatycznego pomidzy adunkami elektrycznymi. Tym samym powoduje zwikszenie pojemnoci ukadw przewodnikw, co wykorzystuje si w konstrukcji kondensatorw. Jeli czsto fali, a zarazem zmiennego pola elektrycznego, jest porwnywalna z czstoci drga wasnych jonw lub z czstoci drga wasnych elektronw (czsto plazmowa), to przenikalno elektryczna bdzie zalee od czstotliwoci fali. Wynika to z faktu, e pole elektryczne oddziaujc na adunki elektryczne zmienia polaryzacje orodka. Zaleno midzy wartoci przenikalnoci elektrycznej, a czstoci fali elektromagnetycznej , wyraa rwnanie: ( ) Gdzie: ( ) (2.2.2)

- przenikalno elektryczna ta (w przypadku braku swobodnych elektronw) - czsto plazmowa, = , gdzie redni czas pomidzy zderzeniami.

22

Wicej informacji na temat przenikalnoci elektrycznej podane jest w Dodatku 2. Analogicznie jak w przypadku przenikalnoci elektrycznej, przenikalno magnetyczna orodkw materialnych jest to wielko okrelajca zdolno danego materiau do zmiany indukcji magnetycznej pod wpywem natenia pola magnetycznego. Warto przenikalnoci magnetycznej wzgldnej jest rwna stosunkowi przenikalnoci magnetycznej, do przenikalnoci magnetycznej w prni : (2.2.3) Dla prni przenikalno wzgldna jest rwna dokadnie 1. Dla paramagnetykw przenikalno wzgldna jest niewiele wiksza od 1, dla diamagnetykw jest niewiele mniejsza od jednoci - dla obydwu tych typw orodkw rnica jest na tyle niewielka, e w zastosowaniach technicznych czsto si j zaniedbuje przyjmujc warto rwn 1. Inaczej jest w przypadku ferromagnetykw, ktrych przenikalno wzgldna moe by rzdu 106. Wartoci przenikalnoci elektrycznej i magnetycznej wyznaczaj

prdko v rozchodzenia si fal elektromagnetycznych w orodku: (2.2.4) Oprcz przenikalnoci elektrycznej i magnetycznej ktre charakteryzuj struktur atomow materiau przez ktry przechodzi fala elektromagnetyczna, do opisu rozchodzenia si fali wietlnej uywa wspczynnika zaamania. Wspczynnik zaamania orodku. (2.2.5) jest miar zmiany prdkoci fazowej fali elektromagnetycznej w jednym orodku, w stosunku do prdkoci w drugim

23

Gdzie: pocztku,

prdko fazowa fali w orodku, w ktrym fala rozchodzi si na prdko fazowa fali w orodku, w ktrym fala rozchodzi si po

zaamaniu. Poniewa w prni fala elektromagnetyczna propaguje si najszybciej, jest orodkiem odniesienia przy okrelaniu wspczynnika zaamania wiata. Stosunek prdkoci wiat w prni do prdkoci w dowolnym innym orodku, nazywa si bezwzgldnym wspczynnikiem zaamania Wspczynnik zaamania wie si bezporednio z ktami z jakimi fala pada i zaamuje si, co wyraa prawo Snelliusa: (2.2.6) Gdzie: kt padania (pomidzy normaln do powierzchni, a promieniem kt zaamania (pomidzy normaln do powierzchni, a promieniem odbitym). Zwizek pomidzy wspczynnikiem zaamania, a przenikalnoci elektryczna i magnetyczn jest dany zalenoci: (2.2.7)

padajcym),

2.3 Propagacja fali w materiaach litych i zjawisko odbicia

Propagacja fali elektromagnetycznej w przewodniku jest zupenie inna ni w orodku dielektrycznym. W przypadku materiau o przewodnoci o wiele mniejszej ni iloczyn przenikalnoci elektrycznej i czstoci koowej ( zwizek dyspersyjny mona zapisa w postaci: 24 ),

(2.3.1) W tym przypadku amplituda wektora falowego bdzie liczb zespolon: ( ) (2.3.2)

Oznacza to, e fala elektromagnetyczna padajca na przewodnik, pole elektryczne zanika wykadniczo z dugoci tumienia gbokoci penetracji. (2.3.3) , nazywan take

Wikszo metali zachowuj si jak przewodniki idealne dla fal terahercowych. Oznacza to, e pole elektryczne jest bardzo szybko tumione. Dla przykadu, gboko penetracji dla miedzi wynosi = 0,07 m, dla fali o czstotliwoci 1 THz. Jak wida, wielko ta jest praktycznie znikoma w porwnaniu z dugoci fali w prni wynoszcej 300 m. W tabeli 2.4.1. wyliczono wartoci gbokoci penetracji wybranych orodkw skadajcych si z tych samych pierwiastkw na podstawie ich przewodnoci w temperaturze pokojowej. Dla uatwienia oblicze, dla kadego pierwiastka zaoono, e: H/m, = 6,28 THz 1

Tabela 2.4.1. Zestawienie parametru dla rnych pierwiastkw.[2]

Pierwiastek Mied Zoto Glin Magnez Cynk Gal Ow Rt

Przewodno [cm ] w temperaturze 20C 0,596 106 0,452 106 0,377 106 0,226 106 0,166 106 0,678 105 0,481 105 0,104 105

Gboko penetracji [m] 0,07 0,08 0,09 0,12 0,14 0,22 0,26 0,55 25

Gdy fala elektromagnetyczna odbija si lub przechodzi przez dwa liniowe orodki, rwnolega skadowa zarwno wektora oraz jest ciga na granicy orodkw. Zalenoci pomidzy wektorami oraz dla fali padajcej wyraaj para rwna rwnania:
( ) ( )

(2.3.4)

Dla fali odbitej, wektory te speniaj zaleno:

( ) ( )

(2.3.5)

Oraz dla fali przechodzcej wektory i przyjmuj posta: Gdzie: i

( ) ( )

(2.3.6)

s prdkociami rozchodzenia si fali w danym orodku.

Na rysunku 2.3.1. przedstawiona jest zjawisko odbicia i przejcia fali przez orodek. Zaznaczone s promienie: padajcy (indeks dolny I), odbity (indeks dolny R), oraz promie przechodzcy przez orodek (indeks dolny T). Polaryzacja typu s, oznacza, e w polaryzacja, czyli ograniczone w jednym kierunku drgania wektora elektrycznego, padajcej fali jest prostopada do paszczyzny padania. Polaryzacja typu p, oznacza natomiast, e polaryzacja padajcej fali jest rwnolega do paszczyzny padania.

26

Rys. 2.3.1. Odbicie i przejcie fali o polaryzacjach typu s i p w rnych orodkach [1] . Ostatecznie, warunki brzegowe determinuj zaleno pomidzy amplitudami fal odbitych i przechodzcych. Zalenoci te opisuj rwnania Fresnela: Dla polaryzacji typu s: (2.3.7) Dla polaryzacji typu p: (2.3.8) Gdzie: i s wspczynnikami zaamania odpowiednich orodkw. i transmisji
| | | | | | | |

Wspczynniki odbicia

oblicza si wedug wzorw: (2.3.9) (2.3.10)

Wspczynniki te, jak wida z rwna Fresnela (2.3.7) i (2.3.8), zalene s od kta padania. Na rysunku 2.3.2 przedstawiony zosta przykadowy wykres przedstawiajcy zaleno wspczynnikw odbicia i transmisji od kta 27

padajcego promienia. Wspczynniki zaamania w tym przypadku wynosz odpowiednio: oraz .

Rys. 2.3.2. Zaleno wartoci wspczynnikw odbicia i transmisji w zalenoci od kta padania dla polaryzacji typu p i s[1]

2.4. Oglne informacje na temat optyki liniowej [9-10]

Zagadnienia optyki nieliniowej s do skomplikowane i nie nale do gwnego tematu tej pracy. Mimo to, warto przedstawi oglne informacje na ten temat, ze wzgldu na fakt, e procesy nieliniowe wykorzystywane s m.in. do generacji promieniowania terahercowego. Nieliniowe zjawiska optyczne, s to zjawiska, ktrych przebieg zaley od natenia promieniowania. W tym dziale optyki, objte s zjawiska nie speniajce zasady liniowej superpozycji fal. Znane z optyki liniowej rwnania materiaowe s jedynie pierwszym przyblieniem. Przyblienie jest suszne dopki stosunek amplitudy pola wartoci pola wewntrznego padajcej fali elektromagnetycznej do jest niewielk wartoci. Pole jest 28

odpowiedzialne za oddziaywania wice elektron z atomami w orodku. Wartoci tego pola s rzdu okoo od 109 do 1011 V/m, dla porwnania natenie pola wiata sonecznego wynosi okoo 600 V/m. Z drugiej strony, natenie pola elektrycznego w falach elektromagnetycznych wygenerowanych przez lasery, moe przyjmowa podobne wartoci. W tym przypadku, pola o takich nateniach nie mona pomija przy opisie oddziaywania fal z orodkiem. Rwnania materiaowe zastpowane s wtedy bardziej zoonymi zalenociami. O ile przy maym nateniu pojawia si polaryzacja proporcjonalna do E, o tyle przy duych nateniach, na warto polaryzacji nakada si oscylacja, proporcjonalna do En, czyli nieliniowo: (2.4.1) Gdzie: makroskopowa polaryzowalno liniowa, polaryzowalno drugiego rzdu, polaryzowalno trzeciego rzdu, . Pojawiajce si oscylacje s rdem tzw. drugiej i wyszych harmonicznych. Dla fal o dugociach poniej kilku mikrometrw, jedynie elektrony s odpowiedzialne za oscylujc polaryzacj. W tym zakresie dugoci fal oddziaywania nieliniowe s najbardziej wydajne. Wektor wymuszonej polaryzacji drga z czstoci wymuszajcego promieniowania, co prowadzi do emisji promieniowania o tej samej czstoci i kierunku prostopadym do drgajcego dipola. Jeli prdko propagacji drugiej harmonicznej jest taka sama, pozostaj one w fazie i stale jest podtrzymywana generacja drugiej i wyszych harmonicznych. Moe to zachodzi jedynie w okrelonych kierunkach w krysztale. Wystpuje wtedy, tzw. dopasowanie fazowe, a druga harmoniczna zostaje silnie wzmocniona. Najczciej jednak, wraz ze wzrostem przebytej drogi w krysztale, pojawia si przesunicie fazowe fali polaryzacji biegncej z inn prdkoci ni wspomniana druga harmoniczna. Analizujc te zagadnienie od strony drgajcego elektronu, przyjmuje si, 29

e elektron pozostajcy w studni potencjau jdra atomowego, pod wpywem sabego pola elektrycznego wykonuje oscylacje harmoniczne. Gdy jednak natenie tego pola znacznie wzronie, pojawiaj si dodatkowe efekty z nieharmonicznoci potencjau i oscylacje elektronu staj si anharmoniczne. Wtedy wanie, pojawiaj si wyrazy proporcjonalne do E2 i wyszych potg. Przy owietlaniu krysztau nieliniowego dwiema wizkami wiata o czstociach koowych i , wystpuj pola i . W wyraeniu .

okrelajcym nieliniow polaryzacj pojawia si wyraz proporcjonalny do

Periodycznie zmiany polaryzacji orodka, oznaczaj zmiany makroskopowego momentu dipolowego, a co za tym idzie emisj promieniowania elektromagnetycznego. W wyniku tego, przy zapewnieniu dopasowania fazowego, powstaj nowe czstoci: (2.4.2) Oznacza to, e nowa czsto jest sum (SFG Sum Frequency Generation) lub rnic (DFG Difference Frequency Generation) czstoci fal, ktre j wytworzyy. Innym sposobem na powstawanie nowych czstoci jest prostowanie optyczne (OR Opticial Rectification). Jest to proces, w ktrym elektryczne padajcej fali zmienia si periodycznie z czstoci funkcja nieliniowej, zalena od kwadratu natenia pola elektrycznego Skadow t mona przedstawi jako sum dwch funkcji: staej od czasu : (2.4.3) Pojawienie si staej polaryzacji nazywane jest optycznym prostowaniem. , co jest pole

(co opisuje padajcej fali. oraz zalenej

), to periodycznie zmienia si rwnie skadowa polaryzacji

Nieliniowo powoduje zmian wspczynnika zaamania

obserwowane w zjawisku Kerra. Jeli przy maym nateniu wiata 30

wspczynnik zaamania wynosi dla danej dugoci fali zmienia si wg. zalenoci:

to w silnym polu

(2.4.3) Gdzie: wspczynnik zaamania drugiego rzdu. W wyniku silnej zalenoci od E2 wspczynnika zaamania zachodzi m.in. zjawisko samoogniskowania. Najwiksze natenie promieniowania wystpuje w rodku wizki, tam te pojawia si znaczy wspczynnik zaamania. Zatem do rodka bd si zaginay promienie z obrzey wizki. W wyniku tego, dochodzi do autokolimacji wizki. Innym zjawiskiem, zwizanym z nieliniowoci jest zagadnienie przepuszczalnoci wiat, w ktrym, w zalenoci od natenia wizki zmienia si przepuszczalno wiata. Materia aby charakteryzowa si nieliniowoci wszystkich rzdw musi spenia warunek braku rodka symetrii. Dodatkowo, z przyczyn czysto technicznych, dobrze jest gdy krysztay s jednorodne optycznie, odpowiednio due, atwe do wycinania i polerowania oraz powinny cechowa si wytrzymaoci na due natenia wiata. Przykadami materiaw nieliniowych s krysztay pprzewodnikw takich jak CdTe, ZnS, GaAs, GaP oraz stosowany najczciej w telekomunikacji nieorganiczny zwizek LiNbO3.

31

3. Metody generacji promieniowania terahercowego [1-2,11-12]

Generowanie promieniowania elektromagnetycznego jest procesem, w ktrym jeden rodzaj energii (np. mechanicznej, elektrycznej) zamieniona jest na zaburzenie pola elektromagnetycznego, a co za tym idzie jego propagacj w postaci fali. Mimo, e pasmo terahercowe ley pomidzy promieniowaniem podczerwonym, a mikrofalami to uycie rde z tych zakresw czstoci jest bardzo trudne, lub w ogle niemoliwe w zastosowaniach dla technologii terahercowych. Postp technologiczny w elektronice i fotonice, doprowadzi do powstania wielu rnych rde promieniowania terahercowego. Ze wzgldu na rodzaj wytworzonego promieniowania, mona wyrni dwa podstawowe typy: emiterw fal cigych (CW - Continuous Wave) produkujcych promieniowanie o staym nateniu oraz emitery fal impulsowych, w ktrych fale elektromagnetyczne s produkowane w pojedynczych pakietach, powtarzanych w okrelonych odcinkach czasu. Charakterystycznym parametrem urzdze wytwarzajcych promieniowanie, jest moc wyjciowa. Na rysunku 3.1 przedstawiono moc konwencjonalnych generatorw promieniowania w zakresie terahercowym. Mona zauway, e zbliajc si do rodka zakresu terahercowego, czyli czstotliwoci 1 THz wydajno wikszoci urzdze spada. Generatory promieniowania terahercowego mona podzieli na dwie grupy - elektroniczne, czyli urzdzenia generujce fale od strony mikrofalowej, oraz od strony podczerwieni, czyli z emitery fotoniczne. Fundamentaln rnic midzy tymi grupami jest fakt, e w przyrzdach elektronicznych nonikiem informacji jest elektron, a w urzdzeniach fotonicznych - foton. Poniewa elektron jest czstk obdarzon mas i adunkiem elektrycznym, z kolei foton jest paczk energii elektromagnetycznej to procesy opisujce wytwarzanie fal rzdz si odmiennymi prawami. Z tego powodu nie mona bezporednio 32

porwnywa urzdze z obu grup pod wzgldem wydajnoci i mocy.

Rys. 3.1 Porwnanie mocy generatorw promieniowania terahercowego. [11] Wyrnia si dwa gwne sposoby wytarzania promieniowania terahercowego. Pierwszy polega na wykorzystaniu nieliniowego orodka (np. krysztaw) do zamiany czstotliwoci promieniowania wpadajcego do orodka. Metody wykorzystania nieliniowego orodka do wytwarzania promieniowania przedstawione s na rysunku 3.2. Czstotliwo promieniowania od strony podczerwonej jest zmniejszana (konwersja dolna), a od stron mikrofalowych czstotliwo fali jest zwikszana (konwersja grna). S to techniki zwizane z oddziaywaniem promieniowania z orodkiem, co skutkuje generowaniem promieniowania terahercowego. Dwa procesy konwersji dolnej - prostowanie optyczne (OR - Optical Rectification) oraz generacja czstotliwoci rnicowej (DFG - Difference Frequency Generation) powoduj powstanie fotonu o czstoci terahercowej T w wyniku interakcji dwch innych fotonw o czstociach 1 i 2 z orodkiem nieliniowym. Impulsy femtosekundowe o terahercowej szerokoci pasma, w wyniku prostowania optycznego, wytwarzaj pojedyncze fale terahercowe, ktrych ksztat jest zbliony do obwiedni fali 33

wejciowej. Wykorzystanie mikrofal w konwersji grnej, polega na zamianie fali wchodzcej z wykorzystaniem diod z bardzo nieliniow charakterystyk prdowo-napiciow.

Rys. 3.2. Generowanie fal terahercowych w orodkach nieliniowych [1] Drugim sposobem wytwarzania fal terahercowych jest uzyskiwanie ich poprzez akceleracje elektronw. Na rysunku 3.3 przedstawiono metody w ktrych wykorzystuje si zmian przyspieszenia elektronw do generacji promieniowania. W tej technice wykorzystuje si zjawiska powodujce wytwarzanie promieniowania elektromagnetycznego zwizane ze zmian przyspieszenia adunkw elektrycznych (take prdw zmiennych w czasie) w pprzewodniku lub w prni. Urzdzeniem bazujcym na wytwarzaniu promieniowania w pprzewodniku, jest emiter fotoprzewodzcy (PCE). Laserowy impuls docierajcy do pprzewodnika generuje adunki elektryczne, ktre znajdujc si w polu elektrycznym zostaj przyspieszane. Powstay w ten sposb prd zmienia si w czasie proporcjonalnie do intensywnoci wizki laserowej, co generuje fale elektromagnetyczn. Podobna sytuacja jest w przypadku, gdy zostaj naoone na siebie dwie, o rnych czstotliwociach wizki laserowe. Powstae w ten sposb dudnienia generuj fal cig w sposb analogiczny jak w przypadku pojedynczego impulsu. Technika polegajca na nakadaniu si wizek laserowych, w efekcie czego otrzymuje si dudnienia 34

optyczne, nazywa si fotomiksingiem (photomixing). Przyspieszanie elektronw w prni, jak to ma miejsce w akceleratorach produkuje bardzo intensywne promieniowanie terahercowe. Do generacji uywa si cigej wizki lub pojedynczych pczkw elektronw. Pczki te powstaj w wyniku wyzwolenia przez impuls femtosekundowy. Nastpnie przyspieszana wizka lub pczek, do prdkoci relatywistycznych, s gwatownie wyhamowywane lub poruszaj si wymuszonym ruchem po okrgu. W obu przypadkach otrzymywane jest promieniowanie hamowania.

Rys. 3.3. Generowanie fal terahercowych poprzez akceleracje elektronw. [1]

3.1 Oscylator fali wstecznej (BWO - Backward Wave Oscillator) [2]

Oscylator fali wstecznej (Backward Wave Oscillator, BWO, karcinotron) jest to lampa mikrofalowa, pracujca w zakresie wysokich czstotliwoci. W lampie tej zachodzi wzajemne oddziaywanie midzy wizk elektronow, a fal elektromagnetyczn rozchodzc si wzdu prowadnicy falowej - falowodu. Z 35

tego powodu okrela si takie urzdzenie jako lampa o fali biecej. Rozrnia si dwa rodzaje lamp o fali biecej: lamp o fali postpujcej, w ktrej fala elektromagnetyczna porusza si w kierunku zgodnym z kierunkiem ruchu wizki elektronowej oraz lamp o fali wstecznej, w ktrej fala porusza si w kierunku przeciwnym do ruchu wizki. Oscylator fali wstecznej, jak sama nazwa wskazuje, jest zatem lamp mikrofalow o fali biecej wstecznej. Wyrnia si dwa rodzaje BWO: z polem magnetycznym poprzecznym wzgldem osi lampy (typ M), oraz z polem magnetycznym skierowanym rwnolegle do osi lampy (typ O). Zasada dziaania BWO polega na oddziaywaniu wizki elektronowej z przemieszczajc si fal elektromagnetyczn. Elektrony s spowalniane przez metalow kratownic (nazywana grzebieniem), przez co wytracana energia kinetyczna elektronw przenoszona jest do fali elektromagnetycznej. Na rysunku 3.1.1. przedstawiony jest schemat budowy BWO. Elektrony w wyniku termoemisji emitowane s przez arzon katod. Nastpnie zostaj przyspieszane w polu elektrycznym wywoanym przyoonym staym napiciem midzy katod a anod. Zewntrzne pole magnetyczne peni funkcj kolimatora dla wizki elektronw. Regularna struktura grzebienia (powtarzajca si co okrelon dugo L), indukuje przestrzennie modulowane podune pole elektryczne, co powoduje zmian energii wizki elektronw. Wystpujce z okrelon czstoci nieregularnoci w grzebieniu powoduj formowanie si paczek elektronowych. Rozchodzca si paczka elektronw wzbudza fale powierzchniow na okresowej strukturze grzebienia. Jeeli prdko elektronw odpowiada prdkoci fazowej fali powierzchniowej to energia kinetyczna elektronw jest przenoszona koherentnie do fali elektromagnetycznej. Oznacza to, e czsto fali jest zalena od prdkoci elektronw. Zmieniajc zatem napicie midzy katod, a anod wpywamy na prdko elektronw, co umoliwia zmian czstotliwoci generowanej fali elektromagnetycznej. Powstae promieniowanie odprowadzane jest falowodami na zewntrz.

36

Rys. 3.1.1. Schemat budowy oscylatora fali wstecznej. [2]

3.2 Gyrotron [13]

Gyrotron, nazywany take gyromonotronem lub maserem elektronowego rezonansu cyklotronowego (ECRM - Electron Cyclotron Resonance Maser) jest to urzdzenie do wytwarzania spjnych fal elektromagnetycznych, o dugociach milimetrowych lub submilimetrowych. Schemat gyrotronu przedstawiony jest na rysunku 3.2.1. Generacja promieniowania zachodzi w tubie, gdzie formowane w wizk elektrony zakrzywiane s przez silne pole magnetyczne. W tubie tej wytworzona jest wysokiej jakoci prnia. Wizka elektronw pochodzi z dziaa elektronowego (electron gun), gdzie arzona katoda emituje w wyniku termoemisji elektrony, ktre s nastpnie formowane w spjn wizk przez cewk (gun coil). Nastpnie, w obszarze silnego pola magnetycznego w cewkach gwnych (main magnetic field coils) tor elektronw zostaje zakrzywiany. Ruch naadowanych czsteczek w polu magnetycznym charakteryzuje si tym, e jest 37

ruchem jednostajnym w kierunku rwnolegym do kierunku wektora indukcji magnetycznej B, a take w paszczynie prostopadej do kierunku tego pola jest ruchem jednostajnym po okrgu. W zwizku z tym wizka elektronw porusza si wewntrz tuby ruchem wirowym, o czstotliwoci cyklotronej c. Warto t, mona obliczy na podstawie wzoru: (3.2.1) gdzie: ,

q - adunek czstki naadowanej, m - masa czstki. W przypadku elektronu stosunek q/m wynosi 1,75882015 1011 C/kg. Poniewa ruch po okrgu jest ruchem przyspieszonym, generowane s fale elektromagnetyczne. Powstae w ten sposb promieniowanie, jest odpowiednio odbijane przez zestaw luster (mirror luncher), a by w kocu wydosta si przez diamentowe okno (diamond window) jako wizka promieniowania

submilimetrowego.

Rys. 3.2.1. Schemat budowy gyrotronu.[14] W zalenoci od potrzeb, urzdzenie moe pracowa w trybie impulsowym lub cigym. Uzyskiwane czstotliwoci na wyjciu gyrotronu 38

mieszcz si w zakresie od okoo 20 do 300 GHz, moc wyjciowa mieci si w zakresie od kilkudziesiciu kilowatw, do kilku megawatw w reimie pracy impulsowej. Jak wida, tylko cz tego zakresu czstotliwoci (100-300 GHz) generowanych prze gyrotron, przypada na promieniowanie terahercowe. Zastosowanie generatora promieniowania o duej mocy, jakim jest gyrotron jest obecnie wykorzystywane midzy innymi do: Bada nad fuzj, gdzie potrzebne jest promieniowanie milimetrowe do podgrzewania plazmy. W przemyle gyrotrony s wykorzystywane do szybkiego nagrzewania rnych substancji (np. podczas formowania szka, spiekania ceramiki) lub ich wyarzania. Wykorzystanie militarne w radarach.

3.3 Lasery [2, 15]

Do generowania promieniowania terahercowego istnieje kilka urzdze, ktre mona zaliczy do wsplnej grupy laserw. Wszystkie te urzdzenia laserowe maj bardzo wan cech wspln - emituj wizk promieniowania spjn i monochromatyczn. Dodatkowo wszystkie bazuj na zjawisku nazywanym emisj wymuszon, chocia procesy ktre powoduj t emisj nie zawsze s takie same. Jednak, wszystkie te urzdzenia zaliczane s generalnie do grupy laserw dalekiej podczerwieni (FIR Laser - Far Infrared Laser), poniewa s w stanie generowa promieniowanie w zakresie conajmniej od 300 GHz do 10 THz. Wyjtkiem jest laser na swobodnych elektronach (FEL), ktry moe produkowa promieniowanie z zakresu od rentgenowskiego do mikrofalowego. Daje to niemal uniwersalne zastosowanie w technologiach terahercowych. Z tego powodu w literaturze mona te spotka si z nazw lasera terahercowego 39

(TL - Terahertz Laser) oznaczajcego urzdzenie produkujce promieniowanie o konkretnej czstotliwoci.

3.3.1 Lasery czsteczkowe

Lasery czsteczkowe (nazywane take molekularnymi), nale do grupy laserw gazowych. Zakres spektralny promieniowania jaki generowany jest w laserach gazowych mieci si pomidzy ultrafioletem, a mikrofalami. Jednak do generacji promieniowania terahercowego, najczciej uywa si laserw czsteczkowych. Jak sama nazwa wskazuje orodkiem czynnym w tego typu urzdzeniu, jest gaz czsteczek. Powoduje to, e oprcz poziomw energetycznych w atomach, istniej dodatkowo przejcia rotacyjno-oscylacyjne. Na rysunku 3.3.1.1 przedstawione s popularne stosowane lasery czsteczkowe pracujce w zakresie redniej i dalekiej podczerwieni.

Rys. 3.3.1.1. Lasery produkujce promieniowanie w zakresach redniej oraz dalekiej podczerwieni. [4] 40

Zasada dziaania laserw gazowych (w tym i czsteczkowych) opiera si na dwch zjawiskach fizycznych: inwersji obsadzeni, oraz emisji wymuszonej. Schematyczny przebieg zmiany obsadze poziomw energetycznych przedstawiony jest na rysunku 3.3.1.2. Inwersj obsadze nazywa si stan, gdy wikszo elektronw jest w stanie wzbudzonym, a nie w stanie podstawowym. Inwersj obsadze w laserach gazowych, uzyskuje si niemal wycznie dziki zderzeniom atomw z elektronami wyadowania elektrycznego. W tym procesie, elektrony wyadowania, zderzajc si z atomami gazu roboczego, przenosz je do stanw wzbudzonych. Stany te, ktre wykorzystywane s do produkcji promieniowania, nazywane s stanami laserowymi. Na pocztku atomy przechodz do stanu wzbudzonego, ktrego czasu ycia jest bardzo krtki, nastpnie, zachodzi bezpromieniste przejcie do stanu metastabilnego. Stan ten charakteryzuje si relatywnie dugim czasem ycia, dziki czemu jest moliwe zebranie wikszej liczby atomw w stanie wzbudzonym. Przejcia z tego stanu do stanw niszych wykorzystywane s w akcji laserowej. Poniewa elektrony maj energi z duego zakresu, skutkuje to powstawaniem wielu stanw wzbudzonych atomw. W celu uzyskania jak najwikszej liczby atomw o tym samym stanie laserowym, korzysta si z gazw pomocniczych. Peni one funkcj magazynu energii przekazywanej atomom w procesie zderze elastycznych. Wyadowania elektryczne w rurze laserowej, moe by impulsowe lub cige, wzbudzane polem o czstoci radiowej. Nieelastyczne zderzenia gazu z elektronami, poza wzbudzeniem atomw, mog rwnie wywoa jonizacj oraz dysocjacje czsteczek. Procesy te ostatecznie mog wzbudzi atomy orodka do stanu laserowego. Proces uzyskiwania inwersji obsadze nazywany jest pompowaniem. Emisja wymuszona natomiast zachodzi, gdy atom bdcy ju w stanie wzbudzonym zderza si z fotonem , ktrego energia jest rwna rnicy energii pomidzy stanem wzbudzonym, a stanem podstawowym. W procesie tym foton nie ulega absorpcji, lecz przyspiesza przejcie wzbudzonego atomu do stanu podstawowego. W efekcie otrzymuje si drugi foton o tej samej energii, zgodny w fazie, ktry porusza si w tym samym kierunku co foton wymuszajcy emisj 41

(w przeciwiestwie do naturalnie zachodzcej emisji spontanicznej, gdzie kierunek promieniowania jest dowolny).

Rys. 3.3.1.2 Zmiana obsadzenia poziomw energetycznych przy pompowaniu, przejciach bezpromienistych i emisji wymuszonej.

3.3.1.1 Laser pracujcy w dalekiej podczerwieni - CO2

W laserze CO2 orodkiem czynnym jest, jak sama nazwa wskazuje, dwutlenek wgla. Dodatkowo w celu zwikszenia efektywnoci dodaje si azot, a take jako gazy pomocnicze ksenon i hel speniajce rol katalizatora. Moc lasera dochodzi do 100 kW przy pracy cigej oraz 1010 kW przy pracy impulsowej. Przy tak duych mocach, ukad laserowy (optyka, rura laserowa, zwierciada), musz by chodzone wod. Dugoci fali jakie mona otrzyma dziki temu laserowi wynosz 9,4 m i 10,4 m. Czsteczka dwutlenku wgla jest liniowa i nie posiada momentu dipolowego. Wyrnia si cztery drgania normalne molekuy CO2: symetryczne walencyjne, niesymetryczne walencyjne oraz podwjnie zdegenerowane drgania deformacyjne. Co mona zapisa w notacji Herzberga, przez trzy liczby

42

cakowite (v1, v2 ,vl3). Liczba l wskazuje na degeneracje poziomu zwizanego z drganiem deformacyjnym atomw w paszczynie prostopadej do wizania.

Rys. 3.3.1.1.1. Rodzaje drga normalnych czsteczki dwutlenku wgla.[15] Zakadajc w przyblieniu, e wszystkie drgania s niezalene od siebie, cakowit energi oscylacyjn mona zapisa wzorem: ( ) ( ) ( ) ( ) (3.3.1.1)

Wyadowanie elektryczne w mieszaninie CO2 - N2 powoduj bardzo efektywne wzbudzenie (od 10% do 30%) czsteczek azotu. W zderzeniach nieelastycznych przekazuj one energi wzbudzenia czsteczkom CO2. Oprcz drga oscylacyjnych czsteczka dwutlenku wgla jednoczenie moe obraca si wok wasnej osi, tj. wykonywa ruchy rotacyjne. Tak wic rotacja czsteczki prowadzi do rozszczepienia poziomw oscylacyjnych, na podpoziomy rotacyjne opisane przez liczb kwantow J. Dla przej dipolowych speniona jest regua wyboru, ktra dopuszcza tylko te przejcia, dla ktrych rotacyjna liczba kwantowa J zmienia si o warto 1 . Przejcia gdzie J = +1, tworz ga typu R przej, natomiast przejcia dla ktrych J = -1 s nazywane przejciami gazi typu P. Mimo, e dugo fali jak produkuje laser CO2 nie mieci si w zakresie terahercowym, laser ten jest czsto wykorzystywany do pompowania innych

43

laserw czsteczkowych, ktre produkuj ju promieniowanie terahercowe. Dlatego jest wanym elementem laserw terahercowych.

Rys. 3.3.1.1.2. Schemat energetyczny czsteczki CO2 z zaznaczonymi przejciami laserowymi i bezpromienistymi. [15]

3.3.1.2 Lasery terahercowe

Lasery pracujce w zakresie terahercowym to w zasadzie zbir laserw dalekiej podczerwieni (FIR - Far Infrared Lasers). Zasada dziaania jest taka sama jak zwykych laserw gazowych. Dodatkowym elementem, ktry ma znaczenie jest wewntrzny falowd stosowany w celu ograniczenia modw lasera w kierunku poprzecznym. W przypadku laserw terahercowych gazem roboczym, nie s pojedyncze atomy ani proste czsteczki, ale bardziej zoone molekuy. Promieniowanie pochodzi z przej rotacyjnych czsteczek. Poniewa molekuy posiadaj stay moment dipolowy, std przejcia rotacyjne zwizane s z promieniowaniem elektromagnetycznym przez oddziaywanie dipolowe. W 44

celu przeniesienia czsteczek do wzbudzonych stanw wibracyjnych, uywa si pompowania optycznego, gdzie wykorzystywane jest promieniowanie z lasera CO2. Dla moleku symetrycznych przejcia wibracyjno-rotacyjne zgodnie z reguami wyboru v = 1, J = (-1,0,+1) oraz K = 0, co jest przedstawione na rysunku 3.3.1.2.1.

Rys. 3.3.1.2.1. Schemat poziomw energetycznych wzbudzenia optycznego oraz proces powstawania promieniowania terahercowego przy zmianach liczby kwantowej J.[2] Wiele zwizkw chemicznych byo badanych pod ktem moliwoci emisji laserowego promieniowania terahercowego. Do najbardziej intensywnych rde, a zarazem najczciej stosowanych zalicza si substancje zestawione w tabeli 3.3.1.1. Tabela 3.3.1.1. Zestawienie laserw terahercowych. [2] Czstotliwo [THz] Czsteczka Moc wyjciowa [mW] 8,0 7,1 4,68 4,25 CH3OH CH3OH CH3OH CH3OH ok. 10 ok. 10 > 20 ok. 100 45

3,68 2,52 2,46 1,96 1,81 1,27 0,86 0,59 0,525 0,245

NH3 CH3OH CH2F2

15

ok. 100 > 100 ok. 10 ok. 200 < 100 ok. 10 ok. 10 ok. 10 ok. 40 ok. 10

NH3

CH2F2 CH2F2 CH3Cl CH3I CH3OH CH3OH

3.3.2 Laser na swobodnych elektronach (FEL - Free Electron Laser) [15]

Nieco odmienn koncepcj laserw, ktra korzysta z emisji wymuszonej, ale nie takiej jak w klasycznych laserach, jest laser na swobodnych elektronach. Rnica polega na tym, e rdem promieniowania s niezwizane z atomami, swobodne elektrony oscylujce w polu magnetycznym. Energia kinetyczna tych czstek, jest zamieniana na energi promieniowania. Schemat lasera na swobodnych elektronach przedstawiony jest na rysunku 3.3.2.1. W tym urzdzeniu, wizka elektronw (electron bunch) przyspieszana jest do prdkoci bliskich prdkoci wiata. Przyspieszone w akceleratorze elektrony przekazywane s do specjalnego magnesu (bending magnet), gdzie s zaginane i wpuszczane do undulatora. energii wizek Undulator, jest to element sucy do zmiany na energi promieniowania wysokoenergetycznych,

elektromagnetycznego. Zbudowany jest z dwch rwnolegych do siebie pyt, ktre to s naprzemiennie zabudowane magnesami trwaymi (permanent magnet) o przeciwnej biegunowoci. Schemat budowy undulatora jest przedstawiony na 46

rysunku 3.3.2.2. Domeny w magnesach naprzeciwlegych ukadaj si w tym samym kierunku. Pomidzy pyty undulatora wstrzykiwana jest wizka elektronw, ktra na skutek dziaania przeciwnych pl magnetycznych zaczyna by zakrzywiana w kierunku prostopadym do kierunku ruchu wizki. Regularne zmiany ruchu w przeciwne strony powoduje, e tor elektronw robi si sinusoidalny.

Rys. 3.3.2.1. Schemat budowy lasera na wolnych elektronach.[16] Uoenie na przemienne magnesw powoduje cige oddziaywanie pola magnetycznego o tym samym kierunku, lecz o przeciwnych zwrotach co skutkuje tym, e naadowana czstka jest nieustannie hamowana i przyspieszana. Jak wiadomo, zmiana przyspieszenia adunku elektrycznego, powoduje powstawanie promieniowania hamowania , ktre emitowane jest w postaci stoka w kierunku ruchu elektronw. Powstae promieniowanie elektromagnetyczne, porusza si z prdkoci wiata, wic wyprzedza elektrony. W procesie tym fala elektromagnetyczna zaczyna oddziaywa z innymi elektronami w wizce. Poniewa elektrony w undulatorze, pod wpywem zmieniajcego si pola magnetycznego nie poruszaj si po linii prostej, lecz s w cigym ruchu wirowym, to promieniowanie na nie padajce moe znajdowa 47

si w fazie lub przeciw fazie. Powoduje to, e w wyniku tego oddziaywania naadowane czstki s dodatkowo przyspieszane lub hamowane w kierunku prostopadym do pierwotnego kierunku poruszajcej si wizki. Z tego powodu, elektrony poruszajce si w undulatorze zagszczaj si w punktach odlegych od siebie o jedn dugo fali (poniewa ich faza rni si o 2). Im duszy jest undulator, tym bardziej widoczne jest zjawisko porcjowania wizki (bunching). Otrzymane w ten sposb paczki elektronw, s nadal przyspieszane w polach magnetycznych undulatora, powodujc nieustanne przyspieszanie i hamowanie. Skutkiem tego, emitowane jest ponownie promieniowanie hamowania. Jeli elektron, ktry je emituje drga w fazie z fal padajc to promieniowanie emitowane, bdzie w takiej samej fazie jak od elektronw pochodzcych z wczeniejszej paczki. Efektem tego, bdzie wzmocnienie fali elektromagnetycznej. Z kolei elektrony, ktre nie s w fazie z ssiadami, zostan do tego "zmuszone" przez obecne promieniowanie, ktre odpowiednio przyspieszy lub zwolni elektrony. Zjawisko to nosi nazw samo wzmacniajcej si emisji spontanicznej (SASE - Self-Amplified Spontaneous Emission). Dziki temu, na wyjciu otrzymuje si wizk bardzo intensywn. Dodatkowo, zmieniajc parametry wizki elektronw mona otrzyma promieniowanie z zakresu od mikrofal po promieniowanie rentgenowskie.

Rys. 3.3.2.2. Budowa undulatora i parametry okrelajce dugoci fali. [17] 48

Zaleno midzy odlegoci midzy porcjami elektronw o tej samej fazie (dugo fali ), a dugoci fali uzyskanej
( )

na wyjciu dana jest rwnaniem: (3.3.2.1)

gdzie: =

= v/c, v - prdko paczki elektronw, c prdko wiata w prni. Laser na swobodnych elektronach ze wzgldu na ogromn moliwo przestrajania, wykorzystywany jest jako praktycznie uniwersalne rdo fal elektromagnetycznych o rnych czstotliwociach, rwnie dla zakresu terahercowego. Ze wzgldw jednak na due rozmiary i dodatkowy sprzt (akcelerator), jest do drogi w budowie i eksploatacji.

3.3.3 Kwantowy laser kaskadowy (QCL - Quantum Cascade Laser) [1819]

Kwantowy laser kaskadowy jest to laser, w ktrym emisja fali wietlnej nastpuje pomidzy poziomami energetycznymi elektronw, wystpujcymi w pamie przewodnictwa pprzewodnikowej heterostruktury. Adekwatnie modyfikujc grubo studni kwantowych i barier w heterostrukturze, mona uzyska rozkad poziomw umoliwiajcy wystpowanie przej laserowych, o oczekiwanej dugoci fali. Odpowiednia struktura energetyczna uzyskana jest poprzez wzrost epitaksjalny zaprojektowanych struktur kwantowych. Wytworzonym w ten sposb cienkim warstwom materiaw, o rnych przerwach energetycznych odpowiada szereg studni kwantowych. Kwantowy laser kaskadowy skada si z serii cienkich warstw pprzewodnikw. Grubo pojedynczej warstwy jest tak maa, e okrelana jako jednowymiarowa studnia kwantowa. Gdy elektron przechodzi z konkretnej warstwy, emituje foton (o 49

dugoci fali okrelonej przez poziomy energetyczne) oraz od razu wchodzi do drugiej studni kwantowej. Przewanie jest uoonych od 25 do 75 aktywnych studni, kada na nieco niszym poziomie energetycznym ni poprzednia. Ilo wyemitowanych fotonw w procesie przechodzenia elektronu, jest rwna iloci studni wytworzonych w materiale. Lasery kaskadowe obecnie generuj w trybie jednomodowym promieniowania pomidzy 1,9 i 4,8 THz z moc wyjciow 90 mW. Emisja promieniowania bazuje wanie na przejciach midzypasmowych elektronw w pamie przewodnictwa, oraz tunelowaniu elektronu pomidzy kaskad studni kwantowych, co zostao schematycznie przedstawione na rysunku 3.3.3.1.

Rys. 3.3.3.1. Proces emisji fotonw w wyniku przechodzenia elektronw midzy podpasmami w studniach kwantowych. [19] Do otrzymanej struktury przykadane jest napicie elektryczne, tak aby poziom podstawowy jednej studni by na tym samym poziomie, co stan wzbudzony drugiej studni. Wzbudzone elektrony przechodzc do stanu podstawowego emituj foton, a nastpnie tuneluj do kolejnej studni kwantowej. Problemem natury fizycznej w laserach kaskadowych jest podtrzymanie emisji. Wynika to z faktu, e redni czas potrzebny elektronowi na tunelowanie przez barier potencjau, jest duszy od czasu wywoania emisji. Z tego powodu 50

poziom podstawowy z biegiem czasu, ma coraz wicej elektronw, ktre blokuj dalsze przejcia ze stanu wzbudzonego. Rozwizaniem tego problemu jest dodanie dodatkowego poziomu energetycznego, ktry bdzie oddalony od poziomu podstawowego o warto rezonansow fononu optycznego, tak aby przejcia z tego stanu na poziom podstawowy nastpoway praktycznie bez opnie. Dziki temu poziom ten pozostaje bez elektronw, umoliwiajc kolejne akty emisji promieniowania. Lasery kaskadowe s kompaktowymi urzdzeniami, o dugoci nie wikszej ni kilka milimetrw i kilkadziesit mikrometrw szerokoci.

3.4 Dioda Gunna [20]

Diod Gunna (inaczej take

TEO - Transferred Electron Oscillator,

generator Gunna), nazywa si przyrzd pprzewodnikowy uywany gwnie w generatorach mikrofalowych. Jest to specjalna forma diody, ktra skada si tylko z pprzewodnikw typu n. Wyrnia si trzy warstwy - dwie zewntrzne, ktre s bardziej domieszkowane (n+) od trzeciej, rodkowej warstwy ktra jest mniej domieszkowana (n-). Po przyoeniu zewntrznego napicia do diody, gradient pola elektrycznego bdzie najwikszy w warstwie rodkowej. Dla sabych pl, warstwa rodkowa bdzie przewodzia prd proporcjonalnie do przyoonego napicia. Jednak powyej pewnej wartoci napicia natenia pola elektrycznego (natenie krytyczne) ruchliwo elektronw zaczyna male. Spowodowane jest to zjawiskiem, w ktrym elektrony wraz ze wzrostem natenia pola elektrycznego przeskakuj z doliny centralnej do doliny satelitarnej. Elektrony w dolinie satelitarnej, maj inn warto wektora falowego ni w dolinie centralnej. Inna jest take warto masy efektywnej. Zjawisko to zostao odkryte przez J. B. Gunna 1962 roku i zostao nazwane jego nazwiskiem. Obszar w ktrym wystpuje te zjawisko nazywa si obszarem o ujemnym oprze 51

rnicowym (NDR region - Negative Differential Resistance region). Obszar ten jest wanie wykorzystywany do generowania fal elektromagnetycznych. Wzrost masy efektywnej w dolinie satelitarnej, powoduje spadek ruchliwoci elektronw, w efekcie czego, wraz ze wzrostem przyoonego napicia maleje pyncy prd. Sytuacja ta prowadzi do tego, e pole elektryczne wewntrz krysztau przestaje by jednorodne. Tworz si domeny silnego i sabego pola, ostro od siebie odgraniczone. Ich granice przemieszczaj si wzdu diody, zgodnie z unoszeniem elektronw przez pole elektryczne. Domeny, docierajc do kocw diody wywouj w zewntrznym obwodzie oscylacje prdu, tym czstsze im mniejsze s rozmiary diody. Pprzewodnikiem z ktrego wykonuje si diody Gunna jest aresenek galu (GaAs). Natenie krytyczne pola elektrycznego w tym materiale wynosi 3,2 kV/cm. Czstotliwo moe by w pewnym stopniu kontrolowana przez umieszczenie diody Gunna w obwodzie rezonansowym. Przy poczeniu diody z rezonatorem, mona uzyska napicie sinusoidalne. Jednym z wariantw diod Gunna, s diody wykonane z silnie domieszkowanego pprzewodnika. Nazywaj si diodami LSA (Limited SpaceCharge Accumlation Diode) i mog generowa impulsy mocy o kilku kilowatw. Zalet diod Gunna jest generowanie podczas pracy niskiego poziomu szumu.

Rys. 3.4.1. Dioda Gunna - zaleno przyoonego napicia do przepywajcego prdu w zjawisku Gunna (b), schemat obwodu oscylatora (c) [21]

52

3.5 Dioda IMPATT (Impact Avalanche and Transit-Time diode) [22-23]

Dioda IMPATT jest diod o wysokiej mocy, uywanej (podobnie jak dioda Gunna) do generowania fal submilimetrowych. Obecnie poszukuje si materiaw o wysokim napiciu przebicia i wyszej cieplnej przewodnoci w celu zwikszenia mocy wyjciowej w tego typu generatorach. Szeroka przerwa energetyczna w wgliku krzemu (SiC) spenia to kryterium i stanowi aktualnie najlepsze rozwizanie, z ktrego obecnie korzysta si w produkcji diod IMPATT. Uzyskano dziki temu promieniowanie od czstoci mikrofalowych do okoo 0,7 THz. Moc promieniowania dochodzi do wartoci 2,5 1011 Wm-2. Budowa diody IMPATT skada si kolejno z obszarw: Wysoko domieszkowany n+, rednio domieszkowany p-, Niedomieszkowany i, Silnie domieszkowany p+. Schemat budowy diody oraz przebieg napicia i natenia prdu przedstawione s na rysunku 3.5.1 Jeeli swobodne elektrony z wystarczajc energi uderzaj w atomy krzemu, mog zerwa wizania kowalencyjne krzemu i uwolni elektrony z tego wizania. Wybity w ten sposb elektron, pod wpywem zewntrznego pola elektrycznego, uzyska energi wystarczajc do wybicia kolejnego elektronu. Proces taki moe si powtarza i w rezultacie otrzymuje si reakcj acuchow produkujc wysok liczb wolnych elektronw oraz duy przepyw prdu. Zjawisko to nazywa si procesem lawinowym. W wyniku tego, obszar typu N+ zostaje przebity i tworzy si obszar lawinowy diody. Elektrony wytworzone w procesie lawinowym dryfuj przez obszar o wysokim oprze w kierunku anody. Dioda IMPATT pracuje w kierunku przeciwnym podczas przebicia. Powstaje 53

wtedy, podobnie jak w diodzie Gunna, obszar o ujemnym oporze rnicowym (NDR). Wystpowanie tego obszaru jest spowodowane przez dwa procesy: Pierwszy proces, lawinowy, prowadzi do zwikszenia liczby par elektron-dziura. Drugi procesem jest dryft elektronw w kierunku obszaru N+. Wytworzone elektrony przemieszczaj si z okrelon prdkoci nasycenia vs. Proces lawinowy powoduje przesunicie fazy o 90. Z kolei proces dryfu moe wnie dodatkowy wkad w przesunicie. Wielko tego przesunicia jest uzaleniona od dugoci obszaru dryfu. Dziki temu, mona uzyska przesunicie fazowe o wartoci 180 midzy zmiennymi sygnaami prdu i napicia spowodowanego skoczonym czasem przelotu nonikw przez warstw adunku przestrzennego. W efekcie, prowadzi to do powstania regionu NDR.

Rys. 3.5.1. Schemat budowy diody IMPATT (a), przebieg napicia i prdu (b), po stronie prawej: rozkad natenia pola, Ek oznacza energi krytyczn, rozpoczynajc proces lawinowy. [23]

54

Niewtpliw zalet tego urzdzenia jest zdolno do generowania wysokich mocy. Natomiast najwiksz wad jest wysoki poziom szumw jaki dioda wytwarza. Wynika to ze statystycznego charakteru procesu lawinowego. Dodatkowo, ze wzgldu na to, e dioda IMPATT pracuje podczas przebicia, czsto wydzielone ciepo powoduje wzrost temperatury do bliskiej temperaturze krytycznej. Problem ten mona zredukowa, zmniejszajc opr urzdzenia.

3.6 Antena fotoprzewodzca (PCA - Photoconductive antenna) [12, 24]

Antena fotoprzewodzca, nazywana take emiterem jest to urzdzenie wykorzystujce wzrost przewodnoci elektrycznej pprzewodnikw i izolatorw, co jest wywoane wewntrznym efektem fotoelektrycznym. PCA skada jest z wysoko rezystancyjnej cienkiej warstwy do ktrej s podczone dwie metaliczne elektrody. Dua oporno tej warstwy powoduje, e upyw prdu jest zaniedbywalnie may. Warstwa ta zbudowana jest ze zwizkw pprzewodnikowych zoonych III-V. Najczciej stosuje si arsenek galu (GaAs), ktry wzrasta epitaksjalnie na podou z p izolacyjnego arsenku galu (SI-GaAs). Rnic pomidzy tymi dwiema warstwami, jest redni czas ycia wzbudzonych nonikw. W cienkiej warstwie GaAs czas ten krtszy ni 1 ps, natomiast zasilanym w SI-GaAs, czas ycia zczu nonikw anteny, wynosi okoo 500 ps. Pikosekundowe impulsy prdem promieniowania terahercowego wytwarzane s w poprzez wzbudzenie jej

staym

femtosekundowym impulsem laserowym. Wicej informacji na temat lasera femtosekundowego zamieszczone jest w Dodatku 3. Schemat budowy PCA jest przedstawiony na rysunku 3.6.1.

55

Rys. 3.6.1. Schemat budowy anteny fotoprzewodzcego przeznaczonej do generacji promieniowania terahercowego.[12] Na podou z pprzewodnika (Semiconductor substrate), umieszczone s dwie metalowe elektrody uoone na ksztat prostej anteny dipolowej (PC antenna). Odlego pomidzy nimi nie jest wiksza ni kilka mikrometrw. Pomidzy metalowe elektrody, przyoonej jest napicie stae, nie wiksze ni 40 V. Gdy femtosekundowy impuls o intensywnoci ( ) i energii fotonw wyszej ni energia pasma zabronionego, uderza w przerw pomidzy elektrodami, czyli w cienk warstw GaAs, generowane s w pasmach przewodnictwa i walencyjnych odpowiednio elektron i dziura. Stae napicie pomidzy elektrodami nadaje przyspieszenie powstaym wolnym nonikom, na skutek dziaania siy kulombowskiej. Jednoczenie zmniejsza si gsto adunku gwnie poprzez oddziaywanie z defektami sieci krystalicznej. W wyniku przepywu nonikw do odpowiednich elektrod wytwarza si dipolowy rozkad adunku, ktry generuje impuls elektryczny. Prd impulsowy powstay w wyniku przyspieszania wolnych nonikw jest rdem pikosekundowych impulsw promieniowania elektromagnetycznego. Wygenerowana w ten sposb fala elektromagnetyczna, przechodzi do psferycznej krzemowej soczewki (Si hemishperical lens). Ksztat i wspczynnik zaamania tej soczewki s tak dobrane, aby zebra i ukierunkowa powsta fal w taki sposb, eby otrzyma uyteczny impuls terahercowy. Z powodu szybkiej rekombinacji nonikw (redni czas ycia okoo 1 ps), czas generacji impulsu terahercowego jest 56

porwnywalny z czasem trwania laserowego impulsu ktry wytworzy te noniki. Gsto prdu jaka zostaje wytworzona przez impuls laserowy opisuje wzr: ( ) gdzie: - gsto fotononikw, - adunek elementarny, - ruchliwo nonikw, - natenie pola elektrycznego przyoonego midzy elektrodami. Antena fotoprzewodzca jest obecnie jednym z najczciej uywanych generatorw promieniowania terahercowego. Urzdzenie te, suy take do detekcji promieniowania terahercowego, co jest wspomniane w rozdziale na temat detekcji. Z tego powodu, e zarwno do generacji jak i do detekcji uywa si tego samego urzdzenia, w celu rozrnienia generator promieniowania nazywa si emiterem fotoprzewodzcym (PCE Photoconductive Emiter). ( ) (3.6.1)

57

4. Metody detekcji promieniowania terahercowego [12, 25-26]

Detekcja sygnau optycznego zaley od charakterystyki szumowej caego ukadu detekcyjnego. Parametrem, ktry okrela zaleno sygnau do szumu jest SNR (Signal to Noise Ratio). Jest to stosunek mocy elektrycznej wytwarzanej przez impuls promieniowania do mocy elektrycznej szumu. Miar czuoci detektorw optycznych jest wspczynnik mocy rwnowanej szumom - NEP (Noise Equivalent Power). Definiuje si go jako moc sygnau dla ktrego SNR = 1. Szum spowodowany wewntrznymi fluktuacjami temperatury detektora wyraa grny limit NEP wzorem: gdzie: - staa Boltzmana, - temperatura czujnika, - przewodno cieplna detektora. Dla maego wspczynnika osigalne s niskie wartoci (4.1)

. o wartoci

Przykadowo dla temperatury okoo 50 mK oraz wspczynniku okoo 10 fW/K, przy niskich fluktuacjach ta warto 10-20 W/Hz1/2, co osignito ju w niektrych bolometrach.

moe by rzdu

Detektory promieniowania elektromagnetycznego mona podzieli na dwie grupy - detektorw termicznych oraz detektorw fotonowych. W detektorach termicznych padajce promieniowanie w wyniku absorpcji, powoduje wzrost temperatury elementu fotoczuego. Powoduje to zmian waciwoci materiau z ktrego jest wykonany ten element. Przykadowo zmiana temperatury moe zmieni oporno ukadu (bolometry), lub zmieni polaryzacj elektryczn (piroelektryki). W oglnoci, efekty termiczne nie zale od dugoci fali padajcego promieniowania (pomijajc fale o wysokiej energii, 58

ktre

wpywaj

na

substancje

destruktywnie).

Wielko

sygnau

jest

proporcjonalna do mocy padajcego promieniowania, ale nie zaley od jego widmowego skadu. czuoci od Detektory fotonowe wykazuj selektywn zaleno fali ktra padajcego promieniowania dugoci

elektromagnetycznego. W porwnaniu z detektorami termicznymi, detektory fotonowe charakteryzuj si wikszymi szybkociami odpowiedzi oraz wiksz czuoci.

Rys. 4.1. Wykres przedstawiajcy wzgldna czuo widmow detektora termicznego i fotonowego. [26]

4.1 Bolometry [7, 20-21]

Bolometrem nazywa si urzdzenie z rodzaju detektorw termicznych zdolne do odbierania niemale prawie caoci promieniowania padajcego. Przekazanie bolometr energii si promieniowania do pomiaru powoduje cakowitego zmiana przewodnictwa energii fal elektrycznego, co daje mierzalny sygna. Z powodu tej unikalnej wasnoci, nadaje strumienia elektromagnetycznych, emitowanych z badanego ciaa dobiegajcych do czujnika urzdzenia. Przy znanej odlegoci emitera czna energia pochaniana przez bolometr w jednostce czasu umoliwia bezporednie temperatury efektywnej ciaa wysyajcego promieniowanie. Pierwszy bolometr zosta 59

wynaleziony w 1878 roku przez amerykaskiego astronoma Samuela Pierponta Langleya, do pomiaru energii promieniowania sonecznego. Pojawienie si nowych technik sprawio, e wcigu w lat 1940-2010 czuo bolometrw zwikszya si z NEP o wartoci 10-10 do 10-20 W/Hz1/2, co przedstawione jest rysunku 4.2.

Rys. 4.2. Wzrost czuoci na podstawie wspczynnika NEP dla bolometrw w latach 1940-2010. [12]

4.1.1 Bolometr metalowy

Zasada dziaania bolometrw metalowych, opiera si na zjawisku zmiany opornoci elektrycznej czujnika temperaturowego wskutek nagrzewania si go w wyniku pochaniania mierzonego promieniowania. Zmian opornoci elektrycznej detektora mierzy si przewanie w ukadzie mostkowym. Czujniki takie wykonuje si w postaci cienkich warstw rnych metali. Grubo takich warstw mieci si w przedziale od 0,110-6 m do 110-6 m. W celu lepszego pochaniania padajcego promieniowania, powierzchni detektora pokrywa si warstw czerni platynowej, ktra to odznacza si duym wspczynnikiem 60

pochaniania w szerokim zakresie dugoci fal. Metalami z jakich wykonuje si czujniki bolometrw to nikiel, zoto, platyna, antymon lub bizmut. Zdolno pomiaru przyrostu temperatury wywoanego promieniowaniem nie przekracza 10-6 - 10-7 K. W najlepszych bolometrach metalowych wspczynnik NEP nie jest mniejszy od 610-11 W/Hz1/2. Staa czasowa, ktra okrela czas po ktrego upywie ustalaj si warunku cieplne ukadu, wynosi okoo 1 s. Gdy ilo ciepa wydzielajcego si w czujniku w wyniku pochaniania promieniowania jest rwna iloci ciepa oddawanego przez detektor do otoczenia, mona obliczy przyrost temperatury wzorem: (4.1.1.1) gdzie: - wspczynnik pochaniania, - strumie promieniowania padajcy na warstw czujnika, - staa chodzenia (RC - Refrigeration Constant). Warto natenia prdu pyncego przez miernik wczony w przektn mostka, jest proporcjonalna do strumienia energii promieniowania padajcego na czujnik bolometru.

4.1.2 Bolometr nadprzewodnikowy

Bolometry nadprzewodnikowe maj czujniki w postaci drutu z materiau nadprzewodzcego, pozostajcego w temperaturze przejcia w stan nadprzewodnictwa. Przez drut ten przepywa pomiarowy prd elektryczny. Pod wpywem padajcego na czujnik promieniowania temperatura drutu ronie, wskutek czego oporno zostaje czciowo przywrcona. W zwizku z tym powiksza si spadek napicia na drucie mierzony za porednictwem ukadu potencjometrycznego. Wskutek gwatownego przejcia ze stanu przewodnictwa normalnego w stan nadprzewodnictwa, odbywajcego si w przedziale zaledwie kilku tysicznych kelwinw, bolometr nadprzewodnikowy odznacza si du 61

czuoci, Niska temperatura pracy takiego bolometru zapewnia niski poziom szumw i ma pojemno ciepln, dziki czemu prg czuoci takich bolometrw wynosi od 10-10 do 10-20 W. Prg czuoci bolometru nadprzewodnikowego, jest niszy od progw czuoci innych bolometrw. Bolometry nadprzewodnikowe znajduj powszechne zastosowane w technice jako odbiorniki promieniowania z zakresu podczerwieni i dalekiej podczerwieni (do ktrej mona zaliczy promieniowanie terahercowe). Fakt ten

wykorzystywany jest w spektrometrach do otrzymania widm absorpcyjnych. Wykorzystuje si je rwnie do okrelenia na odlego temperatury nagrzanych cia.

1 - Cienka folia aluminiowa suca jako odbiornik promieniowania. 2 - Nadprzewodzce doprowadzenia oowiane niewydzielajce ciepa Joule'a. 3 - Osona prniowa 4 - Grzejnik 5 - Elektroniczny termometr 6 - Kpiel helowa 7 - Pomocnicza kpiel helowa 8 - Rurka, przez ktr doprowadza si promieniowanie

Rys. 4.1.2.1. Schemat budowy bolometru nadprzewodnikowego (wg Thomsona i Goodmana). [25]

4.1.3 Bolometr pprzewodnikowy

W nowoczesnych bolometrach stosuje si obecnie pprzewodniki. Zalet tego rozwizania jest fakt, e temperaturowy wspczynnik opornoci (TWR) na 1K jest wikszy ni w bolometrach innego typu. Zmiana opornoci spowodowana ogrzaniem elementu bolometru, jest przetwarzana w napicie 62

poprzez wczenie bolometru w obwd mostka Wheatsone'a. Bolometry pprzewodnikowe s stosowane do detekcji promieniowania o maym nateniu. Rezystancja tych urzdze zmienia si ekspotencjalnie z temperatur : (4.1.3.1) gdzie: - rezystancja w temperaturze odniesienia
,

wspczynnik proporcjonalnoci, zaleny od materiau bolometru. Temperatur odniesienia niskich temperaturach , jest zwykle temperatura pokojowa. W bardzo (poniej 10K), charakter przewodnictwa w

pprzewodnikach o duej koncentracji, zmienia si na przewodnictwo typu hoppingowego. Jest to ruch elektronu (lub dziury) przez pasmo wzbronione. W odrnieniu od zjawiska tunelowania, gdzie czstka przechodzi bezporednio z jednego poziomu na drugi, defekty sieci krystalicznej powoduj powstanie w pamie wzbronionym lokalnych, dozwolonych poziomw energetycznych, ktre nosz nazw poziomw puapkowych (trapping levels). Rnica pomidzy tunelowaniem, a przewodnictwem hoppingowym jest przedstawiona na rysunku 4.1.3.1.

Rys. 4.1.3.1. Struktura pasmowa ukadu metal - dielektryk - metal (a) oraz schematyczne przedstawienie tunelowania i przewodnictwa hoppingoweg (b)[7] 63

Jeeli gsto lokalnych poziomw puapkowych jest dua i odlegoci midzy nimi s mae (poniej 3 nm) to mog wystpi zjawiska kwantowe i elektrony w niezerowym polu elektrycznym bd porusza si "skaczc" z jednej puapki do drugiej. Zaleno oporu od temperatury przyjmuje w przewodnictwie hoppingowym posta:

(4.1.3.2)

gdzie:

- rezystancja w temperaturze odniesienia T0, wspczynnik proporcjonalnoci.

Pprzewodniki, uywane do produkcji bolometru to najczciej wgiel, nikiel, german, kobalt, pprzewodnikw. krzem, cyna, mangan i selenek talu. Na rysunku 4.1.3.2 przedstawiono czuo detektorw w zakresie niskich temperatur dla wybranych

Rys. 4.1.3.2. Zaleno NEP w zakresie bardzo niskich temperatur dla bolometrw pprzewodnikowych. Linia ciga przedstawia teoretyczn warto NEP dla bolometrw germanowych w nieobecnoci ta.[26]

64

4.1.4 Bolometr pprzewodnikowy termistrowy

Dziaanie tego typu bolometrw polega na wasnociach termistorw. Termin ten pochodzi od skrcenia angielskiego terminu thermally sensitive resistor. Termistorem nazywamy rezystor pprzewodnikowy, ktre odznaczaj si duym wspczynnikiem temperaturowym rezystancji. Urzdzenie te wykonane jest najczciej z tlenkw metali, takich jak mangan, kobalt i nikiel. Montowane s zwykle na podou szafirowym. termistorw: Termistory o ujemnym wspczynniku temperaturowym (NTC Negative Temperature Coefficient). Przy wzrocie temperatury, zmniejsza si rezystancja. Termistory NTC stosowane s w pomiarach niskotemperaturowych rzdu 10 K. Termistory o dodatnim wspczynniku temperaturowym (PTC Positive Temperature Coefficient), nazywany take pozystorami. Zwikszajc temperatur, zwiksza si opr urzdzenia. Termistory o skokowej zmianie rezystancji (CTR Critical Temperature Resistor). Przy przekroczeniu pewnej temperatury krytycznej, obserwowana jest naga zmiana (wzrost lub spadek) rezystancji. Zaleno oporu od temperatury T w termistorach typu NTC i PTC jest dana wzorem: ( Gdzie: ( )) , (4.1.4.1) Wyrnia si trzy rodzaje

- rezystancja w temperaturze odniesienia - temperaturowy wspczynnik rezystancji.

Poniewa w elementach takich jak termistory zaleno oporu od temperatury, jest zwizana przede wszystkim z zalenoci koncentracji nonikw od temperatury, oraz waciwociami samego pprzewodnika, temperaturowy wspczynnik rezystancji oblicza si ze wzoru:

65

(4.1.4.2) Gdzie: szeroko pasma wzbronionego, staa Boltzmanna, temperatura. Bolometry termistorowe maj du oporno, okoo 2 M, czuo od 102 do 104 V/W oraz wspczynnik NEP rzdu 10-9 - 10-10 W/Hz1/2. Bolometry tego typu mog dziaa w temperaturze pokojowej. Wykorzystuje si je do detekcji promieniowania elektromagnetycznego w zakresie od dalekiej podczerwieni do fal milimetrowych.

4.1.5 Bolometr krzemowy

Koncepcja budowy bolometrw krzemowych korzystajc z technologii mikromechaniki (MEMS Micro Electro Mechanical Systems) pojawia si po raz pierwszy w laboratorium Honeywell w 1979. Schemat budowy bolometru skonstruowany w tym laboratorium przedstawiony jest na rysunku 4.1.5.1. Mimo e technologie MEMS mona stosowa dla wielu materiaw, to krzem nadawa si do tego najlepiej, ze wzgldu na istniejcy ju proces technologiczny budowy mikroprocesorw krzemowych. Dodatkowo uycie krzemu pozwala na monolityczne poczenie wykonanych mikrostruktur. Podstawowym elementem jest pytka z azotkiem krzemu (Si3N4) o gruboci 0,5 m. Pytka ta utrzymywana jest na dwch nkach na wysokoci 2 m od podoa, co zapewnia odpowiednio du rezystancje termiczn midzy pytk a otoczeniem. Aktywnym materiaem jest tlenek wanadu (V2O3, czciej VO2). Substancje te charakteryzuj si odwracalnymi przejciami fazowymi ze stanu pprzewodnikowego (nisze temperatury), do stanu metalicznego (wysze temperatury Tlenek ten jest naparowywany na pytk. Za sygnalizowanie zmian temperatury na pytce odpowiedzialne s monolitycznie zintegrowane obwody elektryczne, w postaci 66

tranzystorw ktre dodatkowo wzmacniaj powstay sygna elektryczny. Pooone s one poniej mostka i poczone elektrycznie cienkimi warstwami metalicznymi (Ni-Cr) o gruboci okoo 50 nm, ktre osadzone s na nkach pytki. ). Przerwa pomidzy pytk a cienkowarstwow warstw odbiciow wynosi okoo 2,5 m. Stanowi to wnk rezonansow midzy bolometrem a reflektorem. Tego typu struktury s bardzo odporne na zniszczenia - wytrzymuj wstrzsy rzdu kilku tysicy g. Fizyczna granica termicznej izolacji dla krzemu wynosi okoo 108 K/W. Stosujc mikromechanik, bolometry krzemowe uzyskay wysok rezystancj termiczn w strukturach, dochodzc nawet do 107 K/W. Po scaleniu wielu takich elementw, otrzymuje si matryc w ktrej typow wielkoci piksela jest kwadrat o wymiarach 50 na 50 m.

Rys. 4.1.5.1. Bolometr krzemowy opracowany przez laboratoria Honeywell. [26]

4.1.6 Bolometr kompozytowy

W celu detekcji promieniowania milimetrowego lub submilimetrowego grubo bolometru powinna mie od jednego do kilku milimetrw. Zwikszenie gruboci powoduje wzrost pojemnoci cieplnej, a w nastpstwie tego spada 67

czuo detektora. eby zniwelowa ten efekt, produkuje si bolometry kompozytowe, czyli detektory o strukturze nie jednorodnej, zoonej z kilku komponentw o rnych waciwociach. Standardowo, bolometr skada si z trzech czci - warstwy absorpcyjnej, struktury waciwej detektora (podoe) oraz czujnika temperatury, co przedstawiono na rysunku 4.1.6.1. Najczciej warstwa absorpcyjna wykonana jest z bizmutu lub stopu chromu i niklu (Cr-Ni). Powierzchnia tej warstwy jest celowo poczerniania, w celu jak najwikszej absorpcji. Struktura waciwa wraz z warstw absorpcyjn stanowi dla czujnika temperatury element pochaniajcy o duej powierzchni efektywnej. Dlatego sam czujnik moe mie niewielkie wymiary, co przekada si na nisk pojemno ciepln. Dziki temu moliwie jest wykonanie detektora o wikszej powierzchni bez pogorzenia jego charakterystyki. Takiego typu bolometry s wraliwe na szeroki zakres dugoci fal: od okoo 2 mm do 2 m. Dodatkowo detektory te charakteryzuj si sta czuoci w funkcji dugoci fali. W celu redukcji szumw take bolometry kompozytowe wymagaj chodzenia do niskich temperatur.

Rys. 4.1.6.1. Schemat bolometru kompozytowego. [26]

68

4.2 Antena fotoprzewodzca (PCA - Photoconductive antenna) [12, 24]

Antena fotoprzewodzca, o ktrej bya mowa w rozdziale dotyczcym generacji promieniowania terahercowego moe suy take jako detektor. Modyfikacj jest zastosowanie dodatkowego obcienia oporowego, w celu badania zmiennoci sygnau elektrycznego przy przechodzeniu impulsu terahercowego. Optymalna przerwa pomidzy metalowymi elektrodami, jest w przyblieniu rwna rednicy plamki lasera femtosekundowego. Wicej informacji na temat lasera femtosekundowego zawarte jest w Dodatku 3. Schemat budowy anteny fotoprzewodzcej przystosowanej promieniowania terahercowego, przedstawiony jest na rysunku 4.2.1 do odbioru

Rys. 4.2.1. Schemat budowy anteny fotoprzewodzcej przeznaczonej do detekcji promieniowania terahercowego. [12] Wzmacniacz prdu podczony do elektrod dostarcza sygna

proporcjonalny do natenia pola elektrycznego padajcego promieniowania elektromagnetycznego. Impuls promieniowania terahercowego wpadajcy do psferycznej krzemowej soczewki, skupiany jest w jednym miejscu oddajc ca 69

energi w przerwie pomidzy elektrodami. Z drugiej strony, w te samo miejsce uderza impuls femtosekundowy, generujc lokaln plazm. Padajcy na detektor impuls terahercowy moduluje plazm, wpywajc na przepyw prdu midzy dwiema elektrodami. Odczytywany sygna jest proporcjonalny w ksztacie i nateniu do promieniowania terahercowego, ktre zostao pochonite przez detektor. Istotnym dla detekcji promieniowania, jest warunek aby w czasie ycia tej plazmy na detektor pad impuls terahercowy. Wida wic e systemy generacji i detekcji zoone z anten fotoprzewodzcych, musz pracowa w tym samym, dobrze zsynchronizowanym w czasie ukadzie optycznym.

4.3 Detektory piroelektryczne [2]

Piroelektryki s to materiay, ktre posiadaj zdolno do generowania siy elektromotorycznej, pod wpywem zmian temperatury. Krysztay piroelektrykw s spontanicznie spolaryzowane, poniewa kada komrka elementarna posiadaj wypadkowy moment dipolowy skierowany do konkretnej osi krysztau. Spontanicznej polaryzacji towarzyszy adunek powierzchniowy, ktry jest redukowany przez wolne noniki tworzc stan rwnowagi. obserwacje powstawania zjawiska separacji adunkw Ze wzgldu na to, e SEM generowana przez piroelektryki jest bardzo maa, elektrycznych powstajcych na krysztaach wskutek zmiany temperatury przeprowadza si sposobem opylania. Schemat budowy detektora piroelektrycznego przedstawiony jest na rysunku 4.3.1. Pomidzy dwie elektrody, umieszcza si kryszta piroelektryczny prostopadle do jego polaryzacji. Jedna z elektrod jest rwnoczenie absorberem promieniowania. Wytworzone ciepo w procesie absorpcji podnosi temperatur krysztau piroelektrycznego. Wzrost temperatury powoduje spadek spontanicznej polaryzacji, a rwnoczenie adunku powierzchniowego. Elektrody podczone do dwch przeciwlegych powierzchni krysztau tworz kondensator. Jeeli 70

obwd

jest

zamknity,

pynie

prd

kompensujcy

zmian

adunku

powierzchniowego. Gsto adunku powierzchniowego jest zwizany z polaryzacj wzorem: gdzie: - wektor polaryzacji, - wektor jednostkowy, prostopady do powierzchni. Na powierzchni detektora, prd jest wywoany zmian polaryzacji:
( )

(4.3.1)

(4.3.2)

gdzie:

- pole powierzchni. , powysze

Poniewa zmiana polaryzacji jest wynikiem zmiany temperatury rwnanie mona zapisa w postaci:

(4.3.3) gdzie: - wspczynnik piroelektryczny okrelajcy jak wraliwa jest

polaryzacja materiau na zmian temperatury. Ze wzgldu na to, e powstay w tym procesie prd jest zbyt may do pomiaru wykorzystuje si wzmacniacze o wysokiej impedancji. Wynika to z faktu, e detektory wykorzystuj napicie zmienne poniewa w stanie rwnowagi nie jest generowany przez krysztay prd.

71

Rys. 4.3.1. Schemat budowy detektora piroelektrycznego. [2] Powszechnie stosowanymi materiaami do detektorw piroelektrycznych s siarczan trjglicyny (TGS), deuterowany siarczan trglicyny (DTGS), tantalan litu (LiTaO3) oraz tytanian baru (BaTiO3). Detektory na bazie TGS i DTGS s stosunkowo wysokiej czuoci w zakresie czstotliwoci terahercowych, w porwnaniu do innych detektorw piroelektrycznych.

4.4. Komrka Golaya [2]

Komrki Golaya s jednymi z najbardziej skutecznych urzdze wykrywajcych promieniowanie terahercowe. Ogromn zalet tego typu detektorw jest fakt, e charakteryzuj si wysok czuoci w temperaturze pokojowej. Komrki Golaya suce pierwotnie do detekcji dalekiej podczerwieni pracuj take w caym zakresie terahercowym. Zasada dziaania opiera si na rozszerzaniu cieplnym gazu. Schemat budowy detektora przedstawiony jest na rysunku 4.4.1. Wpadajce promieniowanie przechodzc przez okienko (window) jest absorbowane przez warstw pochaniajc (absorbing film). Zaabsorbowana energia zwiksza temperatur niewielkiej iloci gazu zamknitej w komorze pneumatycznej (pneumatic chamber). Prowadzi to do zwikszenia przez gaz objtoci, na skutek rozszerzalnoci cieplnej. Uzyskany przez to wzrost cinienia, zaczyna deformowa elastyczne lustro (flexible mirror), ktre jest przymocowane z tyu komory. Od drugiej strony zainstalowana jest dioda emitujca wiato (LED), ktre skupione jest na elastycznym lustrze. Odbita wizka wiata od lustra jest skupiana na fotodetektorze, ktry zbiera cae odbite od lustra promieniowanie. Ze wzgldu na rnego typu deformacje lustra, promienie bd rnie uginane. Wysoko czuo komrki Golaya wymaga przez elementy z ktrych jest zbudowana spenienia kilku istotnych warunkw. Najkorzystniejsz jest gdy jedynym elementem, ktry wymienia ciepo jest warstwa pochaniajca. W tym celu, materiay z ktrych 72

zbudowane jest okienko i komora pneumatyczna musz by izolatorami termicznymi o wysokiej jakoci. Ponadto gaz powinien by przezroczysty, dla caego zakresu przechodzcego promieniowania. Przewodnictwo cieplne gazu take powinno by moliwie jak najmniejsze. Dlatego powszechnie stosowanym gazem jest ksenon, ktry spenia te wymagania. Zwykle osigan przez komrki Golaya wartoci wspczynnika NEP jest przedzia 0,1-1 nWHz1/2.

Rys. 4.4.1. Schemat budowy komrki Golaya. [2]

4.5 Tranzystor HEMT (High Electron Mobility Transistor) [27]

Tranzystor o wysokiej ruchliwoci elektronw HEMT, nazywany take tranzystorem o modulacji domieszkowej (MODFET Modulation Doped Field Effect Transistor) jest tranzystorem polowym zawierajcym zcza pomidzy dwoma materiaami z rnymi przerwami energetycznymi (heterozcza). Przepyw prdu pomidzy dwoma zczami omowymi rdem (source) i drenem (drain), jest kontrolowany przez trzeci kontakt bramk (gate). Najczciej bram jest zczem Schottkyego. Zalet tego typu tranzystorw, jest praca na niskim poziomie szumw z moliwoci pracy w przy czstociach od 73

mikrofali do podczerwieni. Tranzystor HEMT zbudowany jest z warstw epitaksjalnych struktur, co przedstawione jest na rysunku 4.5.1

Rys. 4.5.1. Epitaksjalna struktura tranzystora HEMT [27] Cao wzrasta na podou z zbudowanego z p izolacyjnego arsenku galu (SIGaAs). Kluczowym elementem w tranzystorach HEMT jest specjalne zcze PN, ktre jest heterozczem. Skada si z poczenia rnych materiaw, ktre s uywane po obu stronach zcza. Najczciej uywanymi materiaami w takim zczu jest GaAs oraz AlGaAs. GaAs zapewnia wysoki poziom ruchliwoci elektronw, co ma ogromne znaczenie w dziaaniu tranzystora. Elektrony z warstwy typu n, przemieszczaj si przez sie krystaliczn i wiele z nich zblia si do heterozcza. Elektrony te tworz cienk warstw, ktra jest ograniczona przez bariery potencjau pomidzy wyszym pasmem wzbronionym w AlGaAs, i niszym w GaAs. Cienka warstwa elektronw nazywana jest dwuwymiarowym gazem elektronowym (2DEG - 2 Dimensional Electron Gas). W tym regionie elektrony mog porusza si swobodnie, poniewa nie istniej adne inne elektrony od domieszek, z ktrymi mogyby si zderza. Ruchliwo w gazie elektronowym jest bardzo wysoka. Napicie przyoone do bramy tworzy barier Schottkyego, ktra mona uy do modulacji liczby elektronw w kanale, w ktrym jest gaz elektronowy. Dziki temu, mona kontrolowa poziom przewodnictwa urzdzenia. Padajcy kwant promieniowania terahercowego 74

powoduje

wzbudzenia

drga

kolektywnych

dwuwymiarowego

gazu

elektronowego w kanale, ktre nastpnie s odczytywane jako zmiany w przepywie prdu przez tranzystor. Istnieje take moliwo wykorzystania tranzystora HEMT jako generatora promieniowania terahercowego. Zasada dziaania polega na przyoeniu pola elektrycznego pomidzy rdem, a drenem. Niestety, obecnie moc promieniowania uzyskana w ten sposb jest zbyt maa aby wykorzysta w je w praktyce. Tranzystory HEMT zostay wykorzystane do badania promieniowania ta w sondzie Planck, umieszczonej na orbicie okooziemskiej w 2009 roku.

75

5. Zastosowania [1-2]

Wykorzystanie promieniowania terahercowego, wynika gwnie z jego zdolnoci wnikania w gb wielu materiaw organicznych, bez adnych uszkodze zwizanych z jonizacj jakie spowodowaoby obecnie uywane w defektoskopii promieniowanie rentgenowskie. Take specyficzne pochanianie przez wod promieniowanie terahercowe moe by uywane do rozrniania artykuw spoywczych na podstawie zawartoci wody i tuszczw oraz ich kontroli jakoci. Podobnie w przypadku bada nad lekami, badania nad zawartoci substancji chemicznych w farmaceutykach dziki spektroskopowym widmom pozwalaj jednoznacznie oceni proces i skad podczas produkcji. Z drugiej strony istniej ju systemy bezpieczestwa bazujce na promieniowaniu terahercowym. Dotyczy to gwnie lotnisk, gdzie mona szybko przeskanowa baga i pasaerw w celu znalezienia nielegalnych substancji, materiaw wybuchowych czy te broni. Korzystajc z faktu e fale terahercowe s niemal cakowicie odbijane przez metale, w systemach wojskowych su m.in. do wykrywania ukrytych min, bomb i amunicji. Obecnie prowadzone s take badania z wykorzystaniem promieniowania terahercowego nad dynamik fazy skondensowanej oraz dowiadczenia zwizane z procesami zwijania biaek w komrkach. Od duszego czasu wykorzystanie zakresu terahercowego interesuje take astronomw, dziki czemu mona bada promieniowanie reliktowe, a take obserwowa obiekty zasaniane przez oboki pyu. Najwiksze jednak nadzieje niesie wykorzystanie promieniowania terahercowego w medycynie. Techniki obrazowania pozwalayby na szybkie i skuteczne wykrycie komrek rakowych, wgld w proces gojenia ran bez zdejmowania opatrunku oraz szukanie obcych cia i zmian podskrnych. Zastosowanie niejonizujcego promieniowania o takiej wydajnoci mogoby zastpi uywanie promieniowania rentgenowskiego w wielu badaniach, co zwikszyoby poziom bezpieczestwa takich bada.

76

Mona wydzieli pi gwnych kierunkw zastosowa promieniowania terahercowego: Obrazowanie medyczne promieniowanie terahercowe przenika przez kilku milimetrow warstw tkanek, o niskiej zawartoci wody. Wyjtkiem s zby w ktrych promieniowanie jest w stanie wnika gboko, na kilka centymetrw, bez adnych uszkodze. Kontrola bezpieczestwa i inne promieniowanie substancje terahercowe potrafi penetrowa ubrania i ujawnia ukryt bro. Materiay wybuchowe, czynniki biologiczne niebezpieczne posiadaj specyficzn sygnatur widmow, ktra pozwala na ich jednoznaczn identyfikacj Spektroskopia terahercowa spektroskopia moe mierzy substancje, ktre s nieprzezroczyste w wietle widzialnym i bliskiej podczerwieni. W szczeglnoci drgania wibracyjne, rezonanse fononowe i rozpraszanie nonikw adunkw elektrycznych s typowe w zakresie terahercowym, co uatwia identyfikacje zoonych zwizkw chemicznych. Przemys obwody elektryczne, czci urzdze i zawarto opakowa mona wizualizowa w zakresie terahercowym bez potrzeby ich otwierania i niszczenia. Dziki temu, mona okreli stopie uszkodze i ubytkw w substancjach, a take proporcje w skadnikach. Komunikacja szybsze i bardziej kierunkowe wysyanie danych. cza bezprzewodowe w czstotliwociach terahercowych zapewniaj wikszy transfer danych. Jak wida, promieniowanie terahercowe moe by wykorzystane w wielu dziedzinach nauki i techniki. Zaczynajc od podstawowych bada nad natur wszechwiata, poprzez kontrole jakoci w przemyle, a koczc na rozbudowanych systemach bezpieczestwa. Mona ju teraz stwierdzi, e urzdzenia wykorzystujce promieniowanie terahercowe maj i bd miay coraz wiksze zastosowanie w rnych obszarach naszego ycia, zwaszcza gdy 77

technologie oparte na tym promieniowaniu zaczn wypiera urzdzenia rentgenowskie, ktre stosowane s obecnie w wielu dziedzinach. Oczywiste wydaje si, e wszystkich zastosowa uycia promieniowania terahercowego nie sposb wymieni. Z biegiem czasu pojawiaj si coraz to nowsze koncepcje i wdraane s coraz to bardziej udoskonalane systemy. W niniejszym rozdziale zostan przedstawione wybrane zastosowania

promieniowania terahercowego.

5.1 Spektroskopia terahercowa[1-2, 28-29]

Jak ju byo wspomniane, wykorzystanie spektroskopowych metod w zakresie terahercowym jest bardzo istotne, poniewa w tym zakresie wiele substancji chemicznych ma specyficzne tylko dla siebie widmo. Jest to wane, nie tylko ze wzgldu na badania naukowe, ale take przez wzgld na systemy bezpieczestwa dziki czemu mona jednoznacznie zidentyfikowa materiay wybuchowe, substancje toksyczne i rodki odurzajce. Ze wzgldu na unikaln wasno promieniowania terahercowego, ktre z atwoci przenika przez wikszo plastikowych, tekstylnych i kartonowych opakowa, wykrywanie ukrytych substancji oraz stwierdzenie ich skadu chemicznego nie stanowi wikszego problemu. Wyrnia si dwie techniki spektroskopowe, ktre mog by

wykorzystane do pomiarw spektralnych, zarwno w trybie odbiciowym jak i transmisyjnym. S to spektroskopia w domenie czasu (TDS Time Domain Spectroscopy), nazywana krcej spektroskopi czasow oraz spektroskopia fourierowska (FTIR Fourier Transform Infrared Spectroscopy). Metody te bd opisane w dalszej czci tego rozdziau. Obecnie, spektroskopia terahercowa obejmuje zakres od 0,3 THz do 20 THz, co odpowiada spektroskopowym liczbom falowym od 10 cm-1 do 600 cm-1. Najwicej widm 78

zostao dotychczas zebranych w zakresie od 0,5 THz do 3 THz (co odpowiada spektroskopowym liczbom falowym od 16,6 cm-1 do 100 cm-1). Dostpne s w sieci Internet darmowe bazy widm spektralnych rozmaitych zwizkw w zakresie terahercowym. Adresy internetowe tych baz zestawione s w literaturze pod pozycjami [30], [31], [33] oraz [34]. Przykadowe widma spektralne w zakresie terahercowym uzyskane za pomoc spektroskopii w domenie czasu i spektroskopii fourierowskiej prezentuje rysunek 5.1.1. Rysunek ten przedstawia heksogen (RDX) oraz pentryt (PETN). Substancje te s jednymi z najsilniejszych znanych kruszcych materiaw wybuchowych.

Rys. 5.1.1. Porwnanie widm dla zwizkw RDX i PETN uzyskanych za pomoc spektrometrii TDS i FTIR [28] Oprcz laboratoriw, w ktrych od 20 lat wykorzystywane s techniki spektroskopowe w zakresie terahercowym, coraz wicej placwek publicznych zaopatrza si w skanery wykrywajce potencjalnie niebezpieczne materiay. Obecnie ju na lotniskach, dworcach kolejowych, metrach i innych centrach transportowych s w uyciu tego typu urzdzenia. Zamachy z 11 wrzenia 2001 roku oraz widmo globalnego terroryzmu przyczynio si do raptownego rozwoju i wprowadzania tego typu systemw bezpieczestwa. Przykadem firmy ktra opracowuje oraz wdraa metody spektroskopowe oparte na technologiach terahercowych jest TeraView, powstaa w kwietniu 2001 roku, poprzez wydzielenie jako niezalena jednostka z laboratoriw Toshiby. 79

5.1.1 Spektroskopia w domenie czasu

Spektroskopia w domenie czasu jest technik w ktrej waciwoci materiau badane s za pomoc krtkich impulsw promieniowania terahercowego. Schemat typowej instalacji aparatury spektroskopu przedstawiony jest na rysunku 5.1.1.1

Rys. 5.1.1.1. Schemat typowej aparatury spektroskopu w dziedzinie czasu [1] Zarwno do wytwarzania jak i do detekcji promieniowania terahercowego su anteny fotoprzewodzce (PCA). Generator pobudzany jest impulsem z lasera femtosekundowego. Wicej informacji na temat lasera femtosekundowego zamieszczone jest w dodatku 3. Czas generacji impulsu terahercowego jest porwnywalny z czasem trwania impulsu femtosekundowego. Antena fotoprzewodzca generuje impulsy w reimie terahercowym, gdy czas trwania impulsu laserowego jest nie mniejszy ni 100 fs. Generatory wytwarzaj szereg impulsw o czstociach terahercowych, ktre maj ten sam cykl co padajce na nie impulsy laserowe. Czsto cyklu mieci si w wartociach od 70 MHz do 80 MHz dla typowych komercyjnych femtosekundowych laserw. Energia wygenerowanego impulsu przez emiter fotoprzewodzcy jest rzdu 10 nW, a szeroko widmowa rzdu 500 GHz. Wysz czstotliwo impulsu 80

terahercowego uzyskuje si zwajc impuls laserowy. Wytworzony impuls, po przejciu przez prbk zmienia swj ksztat ze wzgldu na absorbcj, oraz faz ze wzgldu na dyspersj. Zmodyfikowana w ten sposb fala elektromagnetyczna pada na fotoprzewodzcy detektor, ktry rwnolegle jest nawietlany impulsem femtosekundowym w celu wytworzenia plazmy, ktra nastpnie pod wpywem fali elektromagnetycznej jest modulowana. Modulacja plazmy wpywa na przepyw prdu w detektorze, ktry jest proporcjonalny w ksztacie i nateniu do impulsu terahercowego. Aby mc porwnywa impuls terahercowy z prbki, w spektroskopii w dziedzinie czasu najpierw mierzy si czysty impuls, bez prbki. Zebrane dane s nastpnie przetwarzane przez komputery do postaci transformaty Fouriera, dziki czemu mona atwiej porwnywa rne wyniki pomiarw.

5.1.2 Spektroskopia fourierowska

Spektroskopia fourierowska jest popularn metod pomiarow, suc gwnie do bada zwizkw organicznych oraz bada procesw niskoenergetycznych, czyli ruchw translacyjnych i rotacyjnych moleku). Ta metoda analityczna jest stosowana w zakresie podczerwieni i dalekiej podczerwieni, co czsto odpowiada rejonowi terahercowemu. Widmo otrzymuje si porednio poprzez dokonanie transformaty Fouriera sygnau, mierzonego w funkcji pooenia ruchomego zwierciada. Schemat typowej instalacji aparatury spektroskopu fourierowskiego, przedstawiony jest na rysunku 5.1.2.1.

81

Rys. 5.1.2.1. Schemat typowej aparatury spektroskopu fourierowskiego [29] Promieniowanie wychodzce ze rda jest na pocztku dzielone na dwie wizki. Droga optyczna pierwszej jest staa, natomiast droga drugiej wizki jest zmienna. Przez prbk przechodzi wizka polichromatycznego promieniowania z caego zakresu czstoci obsugiwanych przez spektroskop. Po przejciu przez prbk pierwsza wizka interferuje z drug, dziki czemu uzyskuje si widmo interferencyjne. Ze wzgldu na moliwo manipulacji pooeniem zwierciada, rnica drg optycznych dla obu wizek zmienia si w czasie. Efektem tego s docierajce do detektora wizki przesunite w fazie. Zmieniajca si rnica drg optycznych obu wizek powoduje sekwencj wzajemnych interferencji konstruktywnych i destruktywnych., przez co otrzymuje si interferogram. Uzyskana zaleno natenia promieniowania wizek od ich rnicy drg optycznych zostaje przeksztacona w widmo, dziki analizie fourierowskiej. Dziki zastosowaniu komputerw, uzyskanie widma jest bardzo szybkie.

82

5. 2 Obrazowanie terahercowe [35]

Promieniowanie terahercowe przenika w gb niepolarnych i

niemetalicznych materiaw takich jak papier, plastik, ubrania, drewno i ceramika, ktre zwykle s nieprzezroczyste dla wiata widzialnego. Z tych materiaw take wykonuje si rnego rodzaju opakowania i pokrowce, przez co promieniowanie terahercowe moe by uyte do niedestruktywnego sprawdzenia przedmiotw ukrytych w zamknitych pojemnikach. Metale maj bardzo ma grubo wnikania oraz s silnie odbijajce w zakresie terahercowym. Oznacza to, e metale cakowicie blokuj promieniowanie terahercowe. Z kolei materiay wykonane z plastiku s jedynie czciowo nieprzezroczyste dla promieniowania terahercowego. Fakt ten, e istnieje wyrany kontrast pomidzy metalem a plastikiem, uatwia kontrol rozmaitych obiektw w plastikowych opakowaniach. Ze wzgldu na to, e woda jest bardzo absorbowana w zakresie terahercowym, nawodnione substancje wykazuj silny kontrast do substancji ktre je otaczajc. Oprcz specyficznych waciwoci wody i metali, wiele innych substancji ma charakterystyczne widma w zakresie terahercowym, ktre mona wykry w obrazowaniu terahercowym.
Tabela 5.2.1 Waciwoci optyczne wybranych materiaw w zakresie terahercowym. Wartod wspczynnika absorbcji i odbicia n podane s dla czstoci 1 THz. [2]

Materia Cieka woda Metal Plastik Pprzewodnik

Waciwoci optyczne Wysoka absorbcja ( = 250 cm-1) Wysoki poziom odbicia (>99,5%) Niska absorbcja ( < 0,5 cm-1) Niski wspczynnik odbicia (n ~ 1,5) Niska absorbcja ( < 1 cm-1) Wysoki wspczynnik odbicia (n ~ 3-4)

Pierwsze urzdzenie do obrazowania w zakresie terahercowym, zostao opracowane w 1995 roku. Wiele istniejcych systemw opiera si na generacji i detekcji pojedynczego cyklu impulsw przy uyciu zaawansowanych laserw 83

femtosekundowych. Ultrakrtkie impulsy pochodzce z tego lasera pobudzaj fotoprzewodzcy emiter (PCE), ktry generuje fale terahercowe, ktre po przejciu przez badany orodek trafiaj do detektora - fotoprzewodzcej anteny (PCA) i zostaj przekonwertowane na mierzalny impuls. Oprcz przecznikw fotoprzewodzcych, w urzdzeniach obrazujcych do generacji promieniowania uywa si take oscylatora fali wstecznej (BWO). Rejestrowanie obrazu obserwowanego obiektu mona wykona za pomoc detektora punktowego, pojedynczej linijki lub caej matrycy detektorw. Obecnie nie skonstruowano matrycy czujnikw terahercowych o zadowalajcych parametrach, a linijki nie s powszechnie dostpne. Trwaj prace nad wykorzystaniem pojedynczego detektora do rejestracji obrazw. Zarwno sposoby wykorzystujce linijk jak i pojedynczy detektor, zawieraj ruchome elementy umoliwiajce skanowanie. W tym celu wykorzystywane s obrotowe zwierciada lub systemy przesuwania czujnika, stosowane przez firm SynView. Przykadowe urzdzenie do obrazowania tej firmy przedstawione jest na rysunku 5.2.1.

Rys. 5.2.1. Urzdzenie do obrazowania SynViewScan, umoliwiajcy zeskanowanie powierzchni 70x60 cm. Firma SynView. (rdo: SynView, http://www.synview.de)

84

5.3 Zastosowania w astrofizyce [36]

Promieniowanie terahercowe, jak i cay zakres podczerwieni jest jednym z najbardziej badanych zakresw spektrum elektromagnetycznego w astrofizyce. Wynika to z faktu, e promieniowanie reliktowe (promieniowanie ta), czyli fale elektromagnetyczne, ktre niemale jednorodnie wypenia wszechwiat, maj czstotliwoci zblione do zakresu terahercowego i submilimetrowego. Poniewa promieniowanie te jest pozostaoci po wczesnych etapach ewolucji wszechwiata, badanie w tym zakresie, pozwala odpowiedzie na fundamentalne pytania odnonie powstania i reakcji zachodzcych w modym wszechwiecie. Przykadem takich bada jest misja kosmiczna Planck, prowadzona przez Europejsk Agencj Kosmiczn (ESA), trwajca od 2009 roku ktrej zadaniem s pomiary m.in. promieniowania ta. Na rysunku 5.3.1 jest przedtawiony jeden z wielu rozkadw promieniowania, jaki zosta zebrany podczas misji. Jako detektory uyte zostay bolometry nadprzewodzce oraz tranzystory HEMT.

Rys. 5.3.1. Rozkad promieniowania reliktowego wykonany przez satelit Planck, po roku pracy. (rdo: ESA, http://www.esa.int/)

85

Innym zastosowaniem promieniowania terahercowego w astrofizyce jest obserwacja cia niebieskich, ktre w wietle widzialnym zakryte s przez oboki gazowe lub py kosmiczny. Dziki zdolnoci przenikania przez orodki niepolarne promieniowanie terahercowe umoliwia wgld do dotychczas niewidocznych rejonw wewntrz galaktyk i mgawic. Take badanie wewntrznych warstw atmosfer planet i zjawisk tam zachodzcych jest moliwe przy tego tupu obserwacjach. Ze wzgldu jednak na siln absorpcj promieniowania terahercowego przez atmosfer ziemsk, najlepsze wyniki uzyskuje si dziki obserwacjom na orbicie lub w grnych warstwach atmosfery. Przykadem takiego przedsiwzicia jest prowadzony od 2004 roku przez NASA projekt SOFIA (Stratospheric Observatory For Infrared Astronomy), ktry umoliwia take w zakresie terahercowym obserwacje nieba z pokadu samolotu. Przykadowe zdjcia wykonane w ramach tego projektu przedstawione s na rysunku 5.3.2

Rys. 5.3.2. Obserwacje w zakresie terahercowym wykonane w ramach projektu SOFIA: mgawica Omega (M17) oraz zdjcie Jowisza w zakresie widzialnym i terahercowym, (rdo: NASA, http://nasa.gov/) 86

Warto zauway, e projekt SOFIA, jest jak dotd najwikszym tego typu obserwatorium. W celu wyeliminowania pochaniania przez par wodn promieniowania terahercowego, wysoko z jakiej s prowadzone obserwacje jest niemniejsza ni 12 000 m.

5.4 Komunikacja terahercowa [37]

Komunikacja wykorzystujca pasmo terahercowe oferuje wiele korzyci w zakresie rozmiarw i przepustowoci anteny. W porwnaniu z mikrofalami (Wi-Fi, GSM), komunikacja terahercowa ma wiksze moliwoci to zwikszenia przepustowoci. Take w porwnaniu z nimi, fale terahercowe z natury s bardziej kierunkowe. Komunikacja terahercowa, moe by uznana za bezpieczne cze komunikacyjne. Wysoka przepustowo moe umoliwi bezpieczne poczenie duych sieci, gdzie pojemno danych jest zwikszona dodatkowo o silnie zaszyfrowane dane. Take promieniowanie o tej czstotliwoci jest bardziej odporne na zaguszanie innymi falami, co take utrudnia potencjalnym agresorom ataki zakcajce. Kierunkowo zapewnia mniejszy obszar w ktrym rozchodz si fal, co zmniejsza ilo moliwych podsuchw w przestrzeni. Od krtkofalowej strony spektrum elektromagnetycznego,

promieniowanie terahercowe ma mniejsze tumienie od promieniowania podczerwonego w tych samych warunkach pogodowych. Dziki temu, moliwa jest komunikacja w warunkach w ktrych podczerwie zawodzi. Z drugiej jednak strony zwikszona wilgotno, opady, mga, zanieczyszczenia atmosfery znacznie redukuj zasig. Zmienne w czasie wahania rzeczywistego wspczynnika zaamania w atmosferze prowadzi do efektw scyntylacji w komunikacji bezprzewodowej. Dla promieniowania terahercowego, efekty te s

87

mniejsze ni dla promieniowania podczerwonego. Dziki temu, komunikacja terahercowa zapewnia dusze poczenia. Dodatkowym atutem komunikacji w zakresie terahercowym jest fakt, e zakres ten nie jest jeszcze w wikszoci uregulowany prawnie. W Stanach Zjednoczonych, zarezerwowany jest zakres do 275-300 GHz dla komunikacji mobilnej, w Europie, zakres czstoci powyej 275 GHz jest dostpny. W Polsce zagospodarowaniem czstotliwoci radiowych zajmuje si Urzd Komunikacji Elektronicznej (UKE).

5.5 Meteorologia [2]

Promieniowanie terahercowe i jego sposb rozchodzenia si w atmosferze moe przysuy si do lepszego przewidywania pogody, obserwacji zmian klimatycznych oraz przewidywania klsk ywioowych. Ze wzgldu na du czuo w tumieniu fal terahercowych przez wod, mona mierzy wilgotno, obserwowa czsteczki lodu w powietrzu, a take bada przebieg zjawisk w chmurach i warstwach atmosfery. Jest to przydatne zwaszcza w systemie wczesnego ostrzegania przed huraganami i lokalnymi ulewami. Ponadto analizujc rozkad promieniowania na wikszych obszarach, mona uzyska wysokiej rozdzielczoci map temperatur. Przykadem tego typu zastosowa jest przedstawiony na rysunku 5.5.1 tzw. radar chmur (cloud radar), pracujcy w Rutherford Appleton Laboratory (RAL). Urzdzenie te, za pomoc

promieniowania terahercowego i podczerwonego, bada w czasie pionowy rozkad kropelek wody i krysztakw wody jaki znajduje si nad stojcym nieruchomo radarem.

88

Rys. 5.5.1. Wykres przedstawiajcy zaleno tumienia od odlegoci w cigu 50 minut pracy radaru chmur (rdo: http://www.stfc.ac.uk) Ze wzgldu na trudnoci zwizane z propagacj i tumieniem fal terahercowych w rnych warunkach pogodowych i na rnych wysokociach, wci trwaj badania nad udoskonaleniem technik zastosowa promieniowania terahercowego w meteorologii.

5.6 Zastosowania w biologii i medycynie [1, 39]

Ze wzgldu na nisk energi fotonw, promieniowanie terahercowe nie jest w stanie zjonizowa moleku w komrkach. Ta waciwo sprawia, e promieniowanie terahercowe moe by zastosowane do bada nad organizmami ywymi. Dua cz bada wykorzystujca technologi terahercow, prowadzona jest do bada nad ustaleniem struktury i skadu biaek, kwasw nukleinowych i obserwacji zmian zachodzcych w tkankach. Z drugiej stronny, silna absorbcja przez wod, powoduje e promieniowanie terahercowe nie jest w stanie wnika gboko przez skr, co uniemoliwia badanie narzdw wewntrznych pooonych gbiej, wewntrz ciaa. Okazuje si jednak, e w niektrych przypadkach silna absorbcja nie musi by wad, lecz moe by take zalet. Badania dotyczce struktury wewntrznej i metabolizmu rolin przeprowadzane s w rnych warunkach nawodnienia, 89

dziki czemu otrzymuje si materia porwnawczy. Na rysunku 5.6.1 pokazane jest przykadowe badanie nawadniania roliny. Za pomoc promieniowania terahercowego stara si obecnie opracowa metody wczesnego wykrywania chorb. Po raz pierwszy skorzystano z tego, w celu wykrycia prchnicy zbw, badajc zmiany gstoci wewntrz zba pacjenta. Z kolei obserwowano ju przebieg gojenia si ran po oparzeniach. Wszelkie zmiany podskrne mona byo obserwowa bez zdejmowania pacjentowi bandau i tym samym naraania go na infekcje.

Rys.5.6.1. Badanie dotyczce nawadniania roliny. Li roliny przewietlony promieniowaniem terahercowym (a), wykres przedstawiajcy zaleno transmitancji od miejsca na liciu. Pomiary robiono 10, 60, 190 i 470 minut po nawodnieniu (b). W miejscach gdzie rolina pobraa wicej wody jest kolor ciemniejszy. [1]

5.7 Systemy bezpieczestwa [2, 40-41]

Poczenie dwch technik obrazowania i spektroskopii pozwala na skonstruowanie urzdze, dziki ktrym mona wykrywa i przeciwdziaa potencjalnym zagroeniom. Zadaniem systemw terahercowych jest wykrywanie

90

i identyfikacja materiaw niebezpiecznych. Ze wzgldu na zoono tego problemu, stosuje si dwie procedury: Wykrywanie narzdzi niebezpiecznych typu noe, bro palna itd., ktre zwykle s ukryte w bagaach, pod ubraniem lub w przerobionych schowkach (patrz rysunek 5.7.1). Stosuje si w tym celu techniki zwizane z obrazowaniem terahercowym. Dotyczy to zwaszcza przedmiotw metalowych, od ktrych promieniowanie terahercowe jest cakowicie odbijane.

Rys. 5.7.1. Zdjcie walizki z ukrytymi przedmiotami, widocznymi po przewietleniu promieniowaniem terahercowym o czstoci 0,2 THz [2] Identyfikacja materiaw prawnie zakazanych lub niebezpiecznych dziki wykorzystaniu widm spektralnych, charakterystycznych dla

poszukiwanych substancji (patrz rysunek 5.7.2). Zebrane widmo z podejrzanego obiektu, bdzie mona za pomoc komputera porwna z umieszczonymi w bazie danych widmami wzorcowymi, dziki czemu moliwa bdzie szybka i bezbdna identyfikacja.

91

Wyrnia si dwa tryby pracy takich systemw aktywny i pasywny. W trybie aktywnym, badany obiekt jest najpierw przewietlany promieniowaniem terahercowym pochodzcym z emitera lub macierzy emiterw. W zalenoci jakiego typu pomiary s prowadzone, detektor moe znajdowa si po tej samej stronie co emiter (ukad odbiciowy), lub po stronie przeciwnej (ukad transmisyjny). Tryb pasywny z kolei polega na detekcji promieniowania, ktre emitowane jest przez sam badany obiekt, czyli promieniowanie temperaturowe, zgodne z rozkadem Plancka. W trybie tym, ze wzgldu na nisk emisyjno promieniowania naley stosowa detektory o wystarczajco duej czuoci. W praktyce, najczciej uywa si pary fotoprzewodzcych anten (PCA).

Rys. 5.7.2. Porwnanie widm spektralnych heksogenu (RDX) w trybie transmisyjnym i odbiciowym. [2]

5.8 Zastosowania militarne [41]

Pasmo terahercowe jest obecnie szeroko badane dla zastosowa militarnych. Spowodowane jest to ogromnymi korzyciami, jakie mogyby przynie wdroone technologie na polu walki. Badania te mona podzieli na dwa gwne zastosowania: do ataku (ofensywne) oraz do obrony (defensywne). 92

Zastosowanie ofensywne, polega na wytworzeniu broni termicznej. Dziaanie tej borni oparte jest na emisji fal z zakresu terahercowego, ktre przechodzc swobodnie przez ubrania, wnika w skr na gboko kilku milimetrw. Promieniowanie te powoduje zwikszenie temperatury, przez co wywoane uczucie parzenia. Efekt ten ma zmusi przeciwnika do wycofania si, bez wywoywania dugotrwaych fizycznych obrae. W 2007 roku, Armia Stanw Zjednoczonych zaprezentowaa oficjalnie dziaanie w peni funkcjonalnej broni tego typu. System ten nosi nazw ADS (Active Denial System).

Rys. 5.8.1. Pojazd bojowy Humvee z zamontowanym systemem ADS [4] Zastosowania defensywne, s to systemy ktre maj zmyli urzdzenia przeciwnika, lub wykry jego wczeniejsze dziaanie. Przykadem jest wczesne wykrywanie rozpylonej borni chemicznej lub biologicznej. Wykrywanie tego typu substancji polega na spektroskopowej analizie widm w zakresie terahercowym. Wysoko rozdzielcza spektroskopia, zapewnia wykrywanie jednej czsteczki na miliard przy niskim cinieniu. Innym przykadem zastosowa technologii terahercowej jest skorzystanie z technik noktowizyjnych. Dziki temu, mona oceni gdzie znajduje si przeciwnik gdy jest zakamuflowany, lub czy znajduje si za przeszkod typu mur, ciana, drzewo. W analogiczny sposb mona pozna jaki typ uzbrojenia osobnik nosi pod mundurem. Podobnie 93

badajc promieniowanie odbite, mona uzyska informacj na temat zakopanych min, co zwykle jest informacj od ktrej zaley ycie onierzy. Zastosowania technologii terahercowych w militariach jest wci badana i rozwijana. Ze wzgldu na wysoki poziom tajnoci, wikszo rozwiza i bada nie jest i nie bdzie publicznie udostpniania.

Rys. 5.8.2. Powyej: Zdjcia metalowego bloku pod powierzchni mokrego piasku w zakresie terahercowym dla rnych gbokoci, a) gboko 5 mm, b) gboko 10 mm, c) gboko 20 mm. Poniej: rysunek potencjalnego wykorzystania tej techniki w wykrywaniu ukrytych min. [2]

5.9 Zastosowania w sztuce [1]

Promieniowanie terahercowe moe by take zastosowane w badaniu dzie sztuki. Obrazy malarskie pokrywane s substancj zabezpieczajc je przed niekorzystnym wpywem rodowiska zewntrznego - werniksem. Z biegiem 94

czasu, werniks starzeje si, a jego stopie przepuszczalnoci wiata w wielu miejscach maleje, co uniemoliwia obserwacje szczegw waciwego pokrycia farb obrazu. Zanim nastpi prace konserwatorskie, wykonuje si zdjcia w dalekiej podczerwieni, ktre ujawniaj jakie szczegy s pod przyciemnion warstw werniksu. Promieniowanie terahercowe oprcz tej funkcji, dodatkowo moe poda dokadny skad chemiczny farby, oraz precyzyjnie ustali ile na obrazie jest warstw i jak jest ich skad chemiczny. Maa dugo fali, jak ma promieniowanie terahercowe dodatkowo moe pomc w okreleniu jak grube s te warstwy. Techniki zwizane z badaniem warstw i ich skadu za pomoc odbitego promieniowani nazywa si reflektografi. Interesujc wasnoci jest moliwo odczytywania niewyranych lub celowo zamazanych napisw na dokumentach, co przedstawiono na rysunku 5.9.1. Jest to moliwe poniewa naoony tusz (moe by to farba, atrament itp.) naoony na zaschnit warstw innego tuszu, nie pochania tak samo promieniowania podczerwonego jak byyby wymieszane w jednym czasie. W wyniku tego, to co w wietle widzialnym nie da si zobaczy, w podczerwieni staje si to ju moliwe.

Rys. 5.9.1. Odczytanie zamazanego podpisu w wietle podczerwonym (rdo: http://swiatobrazu.pl) Ze wzgldu na nisz energi, promieniowanie terahercowe, w przeciwiestwie do analogicznych bada w ultrafiolecie lub promieniowaniu rentgenowskim, nie niszczy badanego obrazu i nie wpywa na jego odbarwienia, co jest bardzo wane gdy chodzi o bezcenne dziea sztuki.

95

Dodatek 1. Wyprowadzenie rwnania falowego z rwna Maxwella [7-8]

Rozwaajc najprostszy przypadek, gdy orodkiem w ktrym propaguje si fala elektromagnetyczna jest prnia. W tym przypadku, w przestrzeni nie ma adnego adunku, wic take nie ma gstoci adunku ( wystpuje gsto prdu ( posta:

), oraz nie

). Rwnania Maxwella dla prni przyjmuj

(D.1.1) (D.1.2) (D.1.3) (D.1.4)

Nastpnie naley wykona rotacj na rwnaniach (D.1.1) i (D.1.3). Otrzymamy wtedy zalenoci: ( ( ) ) ( (

(D.1.5)

(D.1.6)

Kolejnym krokiem jest skorzystanie z tosamoci operatorw wektorowych, ktra zamienia podwjn rotacj na posta: ( ) ( ) (D.1.7)

Wykorzystujc powysz tosamo dla pl i oraz podstawiajc rwnania (D.1.2) i (D.1.4) otrzymujemy zalenoci : 96

( (

) )

( (

) )

(D.1.8) (D.1.9)

Po przyrwnaniu rwna (D.1.5) i (D.1.6) z rwnaniami (D.1.8) i (D.1.9) oraz przeniesieniu wyrazw na lew stron otrzymujemy:

(D.1.10) (D.1.11)

Dodatkowo, uwzgldniajc zaleno pomidzy prdkoci wiata w orodku, a staymi i : (D.1.12) ), ).

Gdzie: - prdko wiata w prni (c = - wspczynnik zaamania (n = Ostatecznie mona zapisa:

rwna jest liniowo

(D.1.13) (D.1.14) spolaryzowana,

Rozwizaniami

powyszych

monochromatyczna fala zalena od pooenia ( ( Gdzie: - czsto koowa - wektor falowy | | . ) )

( ( ) )

i czasu : (D.1.15) (D.1.16)

Kierunek i zwrot wektora falowego jest taki sam jak rozchodzca si fala elektromagnetyczna. 97

Zaleno pomidzy wektorami i a wektorem , mona zbada podstawiajc do rwna (D.1. 2) i (D.1.4) rwnania fal z rwna (2.1.15) i (2.1.16).

( (

) )

( (

) )

(D.1.17) (D.1.18)

Powysze rwnania s poprawne, gdy speniona jest zaleno midzy wektorami pl elektrycznym i magnetycznym a wektorem falowym: (D.1.19)

Iloczyn skalarny dwch wektorw rwny zero oznacza to, e pola i s prostopade w stosunku do wektora , wynika std te, e fala

elektromagnetyczna jest fal poprzeczn. Wstawiajc natomiast do rwnania (D.1.13) rwnanie (D.1.15) otrzymujemy:

(D.1.20)

Po zredukowaniu i przeksztaceniu tego rwnania, otrzymujemy zwizek dyspersyjny: (D.1.21)

Zwykle jednak uywa si rwna Maxwella w orodku materialnym, gdzie wystpuj zarwno adunki swobodne, jak i prdy przenoszenia. Take w zalenoci od orodka, zmieniaj si wartoci wzgldnej przenikalnoci elektrycznej i magnetycznej . Rwnania Maxwella przyjmuj wtedy posta:

(D.1.22) (D.1.23) (D.1.24) 98

(D.1.25)

Wyprowadzenie rwnania falowego dla rwna Maxwella w orodku, jest analogicznie jak dla ukadu tych rwna dla prni. Po wykonaniu rotacji na rwnaniach (D.1.22) i (D.1.24), a nastpnie skorzystaniu z tosamoci operatorw wektorowych (D.1.7) otrzymujemy rwnania:

(D.1.26) (D.1.27)

Nastpnie moemy skorzysta z definicji przewodnoci , ktra zwizana jest z gstoci prdu oraz wektorem natenia pola elektrycznego zalenoci: Take wyraenie zwizane z gradientem adunku powysze rwnania mona uproci do postaci:

(D.1.28) = 0, dziki czemu

(D.1.29) (D.1.29)

Gdzie wektor indukcji pola magnetycznego zamieniono na wektor natenia pola zgodnie z zalenoci

99

Dodatek 2. Przenikalno elektryczna. Model Drudego. [1, 7-8]

Oddziaywanie fala nonik jest jednym z podstawowych zjawisk zachodzcym przy przechodzeniu fali elektromagnetycznej przez materia. W przypadku promieni terahercowych, dominujcym oddziaywaniem jest oddziaywanie fala swobodny elektron. Wynika to z faktu, e w przewodnikach i pprzewodnikach jest dua gsto swobodnych nonikw. Opis tego oddziaywania mona wyjani opierajc si na klasycznym modelu Drudego. Model ten zakada: W przewodnikach sie jonw jest otoczona przez gaz elektronw, ktre mog porusza si po nim swobodne, analogicznie jak teorii kinetycznej gazw, W temperaturach wyszych ni zero bezwzgldne, zderzeniami poruszaj si po liniach prostych, Przyoenie do przewodnika pole elektryczne, powoduje przyspieszenie elektronw, wprawiajc je w dodatkowy ruch o skadowej wzdu przyoonego pola. W tym modelu, kady noniki s od siebie niezalene i nie ma midzy nimi oddziaywa z wyjtkiem zderze. Zakada si, e wystpuj jedynie kolizje midzy nonikami a jonami sieci krystalicznej i s to zdarzenia natychmiastowe. Okres pomidzy dwiema kolizjami z udziaem tego samego nonika, nazywany jest rednim czasem zderze , ktry nie zaley od pooenia ani od prdkoci elektrony s w cigym ruchu. Podobnie jak czsteczki zwykego gazu, elektrony midzy

100

nonika. Bazujc na tym przyblieniu, mona zapisa rwnanie ruchu opisujce zachowanie nonika adunku, na ktry oddziauje pole elektryczne fali e-m: (D.2.1) Gdzie: - masa efektywna nonika, adunek nonika, natenie pola elektrycznego, przemieszczenie, czas. W warunkach rwnowagi, redni czas zderze zapisuje si wzorem: (D.2.2) Gdzie: - ruchliwo nonikw.

Dla przykadu, redni czas zderze w niedomieszkowanym krzemie wynosi 1,51 ps gdzie masa efektywna elektronu wynosi = 0,19 me (me masa spoczynkowa elektronu), przy ruchliwoci = 1400 cm2/Vs. Przesunie nonika przez pole elektryczne powoduje powstanie dipoli elektrycznych, przez co otrzymuje si lokaln polaryzacj w materiale: ( ) (D.2.3)

Gdzie: - wzgldna przenikalno elektryczna (dla czstoci padajcej fali) bg - przenikalno elektryczna ta (przy braku swobodnych elektronw) 0 przenikalno elektryczna prni liczba powstaych dipoli Korzystajc ze wzoru na polaryzacj (D.2.3), rwnanie ruchu (D.2.1) mona zapisa w postaci: (D.2.4) Gdzie:

101

Kada fala elektromagnetyczna moe by opisana jako suma szeregu fal monochromatycznych przez transformat Fouriera. Oddziaywanie pomidzy fal, a orodkiem, moe by take przestawiona jako suma poszczeglnych oddziaywa monochromatycznych fal. zalenociami: (D.2.5) (D.2.6) Gdzie: czsto koowa, podatno elektryczna, definiowana jako Kada monochromatyczna fala i wywoana przez ni polaryzacja, jest prost harmoniczn oscylacj opisywan

Podstawiajc rwnania (D.2.5) i (D.2.6) do rwnania ruchu (D.2.1) otrzymujemy: ( ) (D.2.7)

Korzystajc z definicji na podatno elektryczn, podstawiamy powysze rwnanie do wzoru na przenikalno elektryczn dla konkretnej czstoci: ( ) Definiujc parametr : rwnanie (D.2.8) mona uproci i przeksztaci do postaci zespolonej: ( ) Parametr (
( )

(D.2.8)

(D.2.9)

(D.2.10)

nazywa si czstoci plazmow (POF Plasma Oscillation

Frequency) i opisuje czsto wasn oscylacji pooenia swobodnych elektronw. Czsto plazmowa jest proporcjonalna do pierwiastka kwadratowego z gstoci swobodnych nonikw w materiale. Dla przykadu, metale maj bardzo wysok gsto elektronw, wic take ich czsto 102

plazmowa jest wysoka, zlokalizowana w pamie ultrafioletowym. Gsto swobodnych nonikw w pprzewodnikach zmienia w zalenoci od materiaw i warunkw otoczenia takich jak domieszkowanie, temperatura itp. Dlatego pprzewodniki maj bardzo rne czstoci plazmowe. Przenikalno elektryczna ta dla krystalicznego krzemu wynosi bg = 11,7. W tym przypadku gsto swobodnych elektronw wynosi 6 1013 cm-3, = 0,047 THz. Natomiast dla krzemu bdcego samoistnym pprzewodnikiem, gsto swobodnych elektronw wynosi jest rzdu 6 1010 cm-3 , czsto plazmowa jest mniejsza ni 0,01 THz. Oznacza to, e promieniowanie terahercowe jest przezroczyste dla krzemu. Jak wida, czsto plazmowa orodka okrela jego przezroczysto dla promieniowania elektromagnetycznego. Gdy czsto fali elektromagnetycznej jest mniejsza od czstotliwoci plazmowej, wwczas wzgldna przenikalno elektryczna orodka staje si ujemna fala nie moe si w nim rozchodzi i zostaje cakowicie odbita. Dla fal o wikszej czstoci orodek moe sta si przezroczysty.

103

Dodatek 3. Laser femtosekundowy [1, 15, 42-43]

Do generacji ultrakrtkich impulsw optycznych uywany jest laser femtosekudnowy (1 fs = 10-15 s). Najczciej stosowanym orodkiem czynnym w tego typu laserach jest tlenek aluminium domieszkowany tytanem (Ti:Al2O3), ktry tworzy kryszta syntetycznego szafiru, gdzie okoo 0,1 % jonw Al3+ zastpiona jest jonami Ti3+ dziki czemu mona zbudowa laser szafirowy (Ti:shappire). Laser tego typu ma najwiksze pasmo emisji, dlatego jest powszechnie stosowany. Inne, rzadziej uywane materiay, dziki ktrym mona generowa impulsy femtosekundowe, podane s w tabeli D.3.1
Tabela D.3.1. Orodki wykorzystywane do budowy laserw femtosekundowych [1]

Orodek czynny Ti:shappire Rodamina 6G (barwnik) Cr:LiSAF, Cr:LiCAF, Cr:LiSCAF Szko neodymowe Wkna domieszkowane iterbem Wkna domieszkowane erbem

Pasmo emisji 650 1100 nm 600 650 nm 800 1000 nm 1040 1070 nm 1030 1080 nm 1520 1580 nm

Bez wzgldu na rodzaj orodka czynnego, lasery femtosekundowe dziaaj w reimie synchronizacji modw (mode-locking). W przeciwiestwie do laserw ktre generuj promieniowanie w swobodnych warunkach, tzn. wytwarzaj chaotyczn mieszanin modw poprzecznych i podunych z rnic faz midzy modami, ktra jest zmienna w czasie. Synchronizacja modw zachodzi, gdy uda si wymusi utrzymanie staej rnicy faz midzy modami. Przy spenieniu tego warunku, emisja lasera odbywa si w odstpach czasowych danych wzorem: 104

(D.3.1) Gdzie: dugo rezonatora, prdko wiata. Czas trwania pojedynczego impulsu mona atwo wyliczy z prostej zalenoci: (D.3.2) Gdzie: N liczba modw generowana przez rezonator optyczny. Liczba modw, zaley natomiast od szerokoci linii emisji spontanicznej (czyli fluorescencji) i dugoci rezonatora:

Gdzie:

szeroko linii emisji spontanicznej, dugo fali, w ktrej emisja spontaniczna ma maksimum natenia.

Rys. D.3.1. Czasy trwania impulsw i odstpw midzy nimi dla emisji lasera pracujcego w reimie synchronizacji modw. Schemat typowego lasera femtosekundowego, gdzie orodkiem czynnym jest Ti:Al2O3 przedstawiony jest na rysunku D.3.2. Wida na rysunku, po za standardowymi elementami kadego lasera, takimi jak zwierciada tworzce rezonator, dodatkowy element, skadajcy si z dwch pryzmatw. Jest to tzw. 105

linia dyspersyjna, ktra wprowadza faz kompensujc dyspersj pochodzc od pozostaych elementw, takich jak kryszta orodka czynnego, zwierciada, powietrze. Zamiast pryzmatw, do tego celu korzysta si take ze zwierciade z ujemn, kontrolowan dyspersj.

Rys. D.3.2. Schemat lasera femtosekundowego i soczewki Kerra [1] Kolejnym nietypowym elementem jest system wymuszajcy synchronizacj modw. Stosuje si tzw. metod soczewkowania Kerra. Jest to proces, w ktrym korzysta si ze zjawiska Kerra, ktry polega na zmianie wspczynnika zaamania materiau, wraz z nateniem przyoonego pola elektrycznego. W efekcie, mona w ten sposb wymusi dwjomno substancji, ktre w normalnych warunkach tej waciwoci nie wykazuj. Zmiany intensywnoci wizki o dugoci nanosekund s wzmacniane przez obiektyw Kerra i dugo impulsu dalej jest skracana, a do osignicia wyszego natenia pola w centrum impulsu. Wicej na temat efektu Kerra i zjawisk z niego wynikajcych zamieszczone s w literaturze [33]. Laser szafirowy, posiada pasmo absorbcji z zakresu okoo 400-600 nm. Dziki czemu mona go pompowa laserem argonowym oraz laserami neodymowymi (Nd:YAG, Nd:YLF, Nd:YVO). Dziki laserowi szafirowemu uzyskuje si wizk w zakresie spektralnym od 650 do 1100 nm, z maksimum o czstotliwoci okoo 800 nm. Dodatkowo, mona zastosowa podwajacza czstotliwoci, uzyskujc dodatkowo przedzia okoo 325-550 nm. 106

Bibliografia

[1] Yun-Shink Lee, Principles of Terahertz Science and Technology, Springer, New York, 2009. [2] Xi-Cheng Zhang, Jingzhou Xu, Introduction to THz Wave Photonics, Springer, New York, 2010. [3] P. Mukherjee, B. Gupta, Terahertz (THz) Frequency Sourcesand Antennas A Brief Review, Int J Infrared Milli Waves 29 10911102 (2008). [4] http://en.wikipedia.org/ [5] J. W. Fleming, High resolution submillimeter-wave Fourier-transform spectrometry of gases, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., 22 1023-1025 (1974). [6] E. J. Nichols and J. D. Tear, Joining the infrared and electric wave spectra, Astrophys. J., 61 1737 (1925). [7] Jan Petykiewicz, Optyka falowa, PWN, Warszawa, 1986. [8] Z. Pitek, P. Jaboski, Podstawy teorii pola elektromagnetycznego, WNT, Warszawa 2010. [9] Praca zbiorowa (red. A. Wrblewski), Encyklopedia fizyki wspczesnej, PWN, Warszawa, 1983 [10] R. W. Boyd, Nonlinear Optics, Academic Press, San Diego, 1992 [11] Mike Cooke, Filling the THz gap with new applications, SemiconductorTODAY, 2 39-43 (2007).

107

[12] F. Sizov, A. Rogalski, THZ detectors, Progres in Quantum Electronics 34 278-347 (2010). [13] M. K. Hornstein, Design of a 460 GHz Second Harmonic Gyrotron Oscillator, MIT, 2001. [14] http://media-1.web.britannica.com [15] Bernard Zitek, Lasery, Wydawnictwo Naukowe Uniwersytetu M. Kopernika, Toru, 2009 [16] http://www.rficdesign.com [17] http://clio.lcp.u-psud.fr [18] Barbara Kolczyska, Lasery kaskadowe, UMCS, Lublin 2009 [19] S. Katz, A. Vizbaras, R. Meyer, M. Amann, Injectorless quantum cascade lasers, J. Appl. Phys. 109 081101 (2011) [20] V. Gruinskis, J. Zhao, P. Shiktorov, E. Starikov, Gunn Effect and THz Frequency Power Generation in n+- n - n+ GaN Structures, 297 341-344 (1999) [21] http://wonda.iae.kyoto-u.ac.jp [22] C. Schoellhorn, M. Morschbach, H. Xu, W. Zhao, E. Kasper, S-Parameter Measurements of the Impedance of mm-Wave IMPATT Diodes in Dependency on the Current Density, Journal of Microwaves and Optoelectronics, 3 81-96 (2004) [23] W. Marciniak, Przyrzdy pprzewodnikowe i ukady scalone, WNT, Warszawa 1987 [24] Kh. Nerkararyan, S. Hovsepyan, E. Gevorgyan, N. Margaryan, Coherent Terahertz Emission From Photoconductive Antenna, Armenian Journal of Physics, 1 234-241 (2008) [25] Jzef Wojtas, Promieniowanie termiczne i jego detekcja, WNT, Warszawa, 2008 108

[26] Z. Bielecki, A. Rogalski, Detekcja sygnaw optycznych, WNT, Warszawa, 2001 [27] L. Aucoin, HEMTs and PHEMTs, UCSB, Santa Barbara, 2009 [28] A. Schmuttenmaer, Exploring dynamics in the far-infrared with terahertz spectroscopy, Chemical Reviews 104 17591779 (2004) [29] R. M. Silverstein, F. X. Webster, D. J. Kiemle, Spektroskopowe metody identyfikacji zwizkw organicznych, PWN, Warszawa 2008 [30] http://thzdb.org/ [31] http://www.frascati.enea.it/THz-BRIDGE/ [33] http://webbook.nist.gov/chemistry/thz-ir/ [34] http://www.riken.jp/THzdatabase/ [35] W. L. Chan, J. Deibel , D.l M. Mittleman, Imaging with terahertz radiation, Rep. Prog. Phys. 70 13251379 (2007) [36] S. Withington, Terahertz astronomical telescopes and instrumentation, Phil. Trans. R. Soc. Lond., 362 395-402 (2004) [37] J. Federici, L. Moeller, Review of terahertz and subterahertz wireless communications, Journal of applied physics, 107 1-21 (2010) [39] Peter H. Siegel, Terahertz Technology in Biology and Medicine, IEEE Transactions on microwave theory and techniques, 52 (2010) 2438-2447 [40] N. Palka, Spectroscopy of Explosive Materials in the THz Range, Acta Physica Polonica A, 118 1229-1231 (2010) [41] Dwight L. Woolard, Terahertz Science And Technology For Military And Security Applications, World Scientific, Singapore, 2007

109

[42] P. F. Moulton, Spectroscopic and laser characteristics of Ti:Al2O3, Opt. Soc. Am. B, 3 124-133 (1986) [43] L. J. Qian, X. Liu, F. W. Wise, Femtosecond Kerr-lens mode locking with negative nonlinear phase shifts, Optics Letters, 24 166-168 (1999)

110