Os Nanotubos de Carbono

Prof. Dr. Luis Alberto Terrazos Javier

Centro de Educao e Sade da
UFCG
O elemento Carbono
O sexto elemento mais abundante no Universo

tem trs estados de hibridizao








possibilita a formao de estruturas complexas: DNA ou
Protenas
Altropos do Carbono
Diamante Grafite
O grafite o material mais rgido e o diamante o mais duro
O diamante e o grafite apresentam o mais alto ponto de fuso
O diamante e o grafite tem a maior condutividade trmica
O diamante isolante e o grafite condutor da eletricidade
O diamante transparente e o grafite opaco
Descoberta dos fullerenos, 1985
Em 1985, os qumicos Harold Kroto, da Universidade
de Sussex (Reino Unido), James Heath, Sean OBrien,
Robert Curl e Richard Smalley estes da Universidade
de Rice (Estados Unidos)

Em 1996, Smalley, Kroto e Curl ganharam o prmio Nobel
de qumica por essa descoberta
C
60

Descoberta dos Nanotubos de Carbono, 1991
Em 1991, Sumio Iijima observou com um Microscpio de
Transmisso Eletrnica, nanotubos de carbono de
multicamada na amostra de fullerenos produzidos via
descarga de arco.

Em 1993, foi demonstrada a existncia de nanotubos de
nica camada

Dimenso do Nanotubo de Carbono
O DNA possui uma
largura de 2,5 nm

O dimetro de um
nanotubo de 1 nm

largura mdia do
cabelo humano
80.000 nm
Estrutura do Nanotubo
|
|
|
|
.
|

\
|
+ +
+
=
=

nm m n
m
n
a C a C
h h
2 2
1
1 1
2
cos
cos .
u
u

Dimetro do Tubo
ngulo Quiral (u)
) , (
2 1
m n a m a n C
h
= + =

Vetor Quiral (C
h
)
2
1
2 2
) ( . nm m n a c c L
L
d
c c h h
t
+ + = =
=

t
(0,0) (1,0) (2,0) (3,0) (4,0) (5,0) (6,0) (7,0) (8,0)
(1,1)
(2,2)
(3,3)
(4,4)
(5,5)
Zig-Zag
Arm-chair
Propriedades Eletrnicas
ngulo Quiral : u = 30
o

Nanotubo Arm-chair, (n,n)
Nomenclatura : m=n ento (n,n)
n
a
d
c c
t
t

=
3
Dimetro :
Propriedade Eletrnica: metal
Exemplo:
(2,2) d
t
= 0,3 nm
(6,6) d
t
= 0,8 nm
(9,9) d
t
= 1,2 nm
ngulo Quiral : u = 0
o

Nanotubo ZigZag, (n,0)
Nomenclatura : m=0 ento (n,0)
n
a
d
c c
t
t

=
3
Dimetro :
Propriedade Eletrnica:
semimetal n-m=3p
semicondutor n-m=3p (p um inteiro)
Exemplo:
Semimetal: (3,0) d
t
= 0,23 nm
(6,0) d
t
= 0,5 nm
Semicondutor: (4,0) d
t
= 0,3 nm
(8,0) d
t
= 0,4 nm
(10,0) d
t
= 0,8 nm
0
o
< u < 30
o
ngulo Quiral :
Nanotubo Quiral, (m,n)
Nomenclatura : m=n ento (m,n)
Propriedade Eletrnica:
semimetal n-m=3p
semicondutor n-m=3p (p um inteiro)
Exemplo:
Semimetal: (4,1) d
t
= 0,36 nm u = 11
0

(5,2) d
t
= 0,5 nm u = 16
0

Semicondutor: (3,2) d
t
= 0,31 nm u = 0
0

(4,3) d
t
= 0,48 nm u = 0,44
0

Propriedades Mecnicas
Modulo de Young (Y)
Nos mostra o grado de elasticidade do material.
Nanotubo Y ~ 4 x10
12
N/m
2

Diamante Y = 1,25 x 10
12
N/m
2


Ferro Y = 0,21 x 10
12
N/m
2


Ao Y = 0,2 x 10
12
N/m
2


Aplicaes: Compsitos altamente
resistentes, fibras de carbono.

Tensile Strenght
Resistncia a ruptura quando se aplica tenso.
Nanotubo 22 x10
9
N/m
2
100 vezes maior!!!!!!!!
Ao 44 x 10
7
N/m
2



O tubo se comporta mais como um canudo elstico, pois quando
a fora externa removida, os defeitos induzidos pela fora se
reorganizam e o tubo volta a sua estrutura original.


Propriedades Trmicas
Alta Condutividade Trmica
um bom condutor de eltrons e do calor

Condutividade do calor:

Diamante 3320 W/m.K

Nanotubo 6600 W/m.K
Estudo Terico dos Nanotubos de Carbono
Calculo da Estrutura Eletrnica
Equao de Khon-Sham (tipo Equao de Schrdinger
) ( ) ( ) (
2
2
2
r E r r V
m
lm lm lm
=
(

+ V

xc NN Ne ee
V V V V r V + + + = ) (
Potencial Eletrosttico
Mtodos de Primeiros Princpios
Full-Potential Linear Augmented Plane Wave ( FP-LAPW)
Teoria funcional da Densidade
Potencial total
Orbitais atmicos e Ondas Planas como funes de base
Espao recproco
Sistemas peridicos
Spanish Initiative for Electronic Simulations with Thousands of
Atoms (SIESTA)
Teoria funcional da Densidade
Pseudo Potencial
Orbitais atmicos
Sistemas no peridicos, sistemas com muitos tomos
Estrutura de Bandas do Grafite
(10,0)semicondutor
(9,0)metal
Nanotubos de Carbono - Aplicaes
Carbon nanotube field effect transistor(Dekker)
Nanotubos de Carbono - Aplicaes
Biocompatveis
So citotxicos contato com eles mata as clulas
Uma micrografia de fluorescncia mostra clulas de ovrio de
hamster ligadas a nanotubos de carbono recobertas com um
polmero parecido
com mucina.
Nanotubos de Carbono - Aplicaes
Msculos Artificiais
Alkali Metal Doping of Carbon Nanotubes in the Low-Concentration Regime: Non-
Homogeneous Deformations and Defect States
L. A. Terrazos
1
and R. B. Capaz
2

1
Centro de Educao e Sade, Universidade Federal de Campina Grande

2
Instituto de Fsica, Universidade Federal do Rio de Janeiro e Diviso de Metrologia de Materiais, Inmetro
Experimental Motivation
Theoretical Simulation
Estrutura de Bandas do nanotubo semicondutor (10,0)
a) Nanotubo Puro
b) Impureza K
E
F

E
F

-20 -10 0 10 20
-100
-80
-60
-40
-20
0


A
q


(
1
0
-
3
)

(
e
/
a
t
o
m
)
Z ()
O = 0,0
Charge Distribution
-20 -10 0 10 20
-10
-9
-8
-7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3


A
L
/
/



(
1
0
-
3
)




(

)
z ()
O =0
Parallel Strain Deformation
-20 -10 0 10 20
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0


A
L
I

(
1
0
-
3
)



(

)
z ()
O=0.16
Perpendicular Strain Deformation
Strain Deformation Average
Estrutura do Grafeno
Grafite
Folhas de
Grafeno
Eltrons relativsticos (Dirac ) em sistemas da matria condensada
em 2D
Grafeno
Abstract
Superclula de 448 tomos, espao entre os
planos de 20
Ponto de Dirac
Estrutura de Bandas do Grafeno
Revisitando o defeito Stone-Wales em Grafeno
L. A. Terrazos
1
and R. B. Capaz
2

1
Centro de Educao e Sade, Universidade Federal de Campina Grande
2
Instituto de Fsica, Universidade Federal do Rio de Janeiro e Diviso de Metrologia de Materiais, Inmetro
O defeito Stone-Wales um defeito topolgico que ocorre em grafeno e
nanotubos de carbono.

Este defeito importante tanto no crescimento de fullerenos como no
mecanismo de deformao plstica de nanotubos sob tenso.

A pesar de extensivamente estudado sob o ponto de vista terico, ainda h
uma considervel variao nas energias e barreiras de formao reportadas.
Resultados mais recentes sugerem energias de formao de cerca de 5 eV e
barreiras em torno de 9 eV, que tornariam estes defeitos bastante improvveis
em grafeno no tensionado.

Defeito Stone-Wales
C-C
ab
= 1.32 , C-C
bc
= 1,45 (defeito Stone-Wales)
C-C
AB
= 1.42 (grafeno puro)
Densidade de Estados
grafeno
total
SW
total
SW
f
E E E =
Energia de formao do defeito Stone-Wales
) (
SW
f
E
=
SW
total
E
Energia total do defeito em grafeno
=
grafeno
total
E
Energia total do grafeno puro

E
f
SW

5.61 eV
(GGA)
5.14 eV
(LDA)
4.8 eV [6]
[6] L. Li, S. Reich e J. Robertson, Phys. Rev. B 72, 184109 (2005).