LA ELECTRNICA DE POTENCIA

Definicin:
La electrnica de potencia es aquella parte de la electrnica que enlaza la electricidad con la electrnica.
Ejemplos: - Encendido electrnico de un vehculo - Encendido de una televisin - Elevalunas elctrico

Dispositivos de potencia:
Los dispositivos de potencia se van a identificar por las siguientes caractersticas:
Tienen dos estados de funcionamiento: bloqueo y conduccin Son capaces de soportar potencias elevadas El funcionamiento de estos dispositivos tiene que ser posible con poca potencia

EL DIODO DE POTENCIA

Curva caracterstica
A (nodo) i

+
V

i [mA]
(exponencial)

P N

K (ctodo) 0

VD

V [V]

DIODOS DE POTENCIA

-40

i [A] V [Volt.]
0

-2

Concepto de diodo ideal

En polarizacin directa, la cada de tensin es nula, sea cual sea el valor de la corriente directa conducida

i
nodo

+
V

DIODOS DE POTENCIA

curva caracterstica V
En polarizacin inversa, la corriente conducida es nula, sea cual sea el valor de la tensin inversa aplicada

Ctodo

El diodo semiconductor

nodo
nodo
Encapsulado (cristal o resina sinttica)

Terminal
Contacto metalsemiconductor

DIODOS DE POTENCIA

P N
Marca sealando el ctodo

Oblea de semiconductor Contacto metalsemiconductor

Ctodo

Ctodo

Terminal

Encapsulados de diodos
Axiales

1N4148 (Si)

DO 201

DO 204

DIODOS DE POTENCIA

1N4007 (Si)

Agrupacin de diodos semiconductores

2 diodos en ctodo comn Puente de diodos Anillo de diodos

~ +
DIODOS DE POTENCIA

+
+ ~ ~ -

~ -

B380 C3700 (Si)

~ +~

BYT16P-300A (Si) B380 C1500 (Si)

HSMS2827 (Schottky Si)

Encapsulados de diodos
D 61 TO 220 AC

DOP 31

DO 5

DIODOS DE POTENCIA

TO 247 B 44

Encapsulados de diodos
Mdulos de potencia Varios dispositivos en un encapsulado comn

Alta potencia
Aplicaciones Industriales Se pueden pedir a medida

DIODOS DE POTENCIA

Motores

Satlites

Curvas caractersticas y circuitos equivalentes

i
Curva caracterstica ideal
Curva caracterstica real Curva caracterstica asinttica pendiente = 1/rd DIODOS DE POTENCIA

V 0 V
ideal Circuito equivalente asinttico

rd
real (asinttico)

Parmetros
Parmetros en inversa:
VR= Tensin Inversa (Tensin continua capaz que es de soportar el diodo) VRM = Tensin de pico VBR = Tensin de ruptura

IR = Corriente inversa (corriente de fuga)

Parmetros en directa: VD = Tensin en directa I = Corriente directa IAV= Corriente media directa IFM= Corriente mxima en directa IFRM = Corriente de pico repetitiva

DIODOS DE POTENCIA

IFSM= Corriente directa de sobrecarga

Caractersticas fundamentales Tensin de ruptura

Cada de tensin en conduccin

Corriente mxima Velocidad de conmutacin

Tensin de ruptura

DIODOS DE POTENCIA

Baja tensin 15 V 30 V 45 V

Media tensin 100 V 150 V 200 V

Alta tensin 500 V 600 V 800 V

55 V
60 V 80 V

400 V

1000 V
1200 V

Tensin de codo

i
Curva caracterstica real

pendiente = 1/rd

V
DIODOS DE POTENCIA

0 V
A mayor tensin de ruptura , mayor cada de tensin en conduccin
Seal VRuptura VCodo < 100 V 0,7 V Potencia 200 1000 V <2V Alta tensin 10 20 kV >8V

Datos del diodo en corte

Tensin inversa VRRM

Repetitive Peak Voltage

DIODOS DE POTENCIA

La tensin mxima es crtica Pequeas sobretensiones pueden romper el dispositivo

Datos del diodo en conduccin Corriente directa IF Corriente directa de pico repetitivo IFRM
Forward Current Repetitive Peak Forward Current

DIODOS DE POTENCIA

La corriente mxima se indica suponiendo que el dispositivo est atornillado a un radiador

Caractersticas dinmicas Indican capacidad de conmutacin del diodo

R a V1
DIODOS DE POTENCIA

b V2 i
V1/R

i + V t

Transicin de a a b

Comportamiento dinmicamente ideal

V
-V2

Caractersticas dinmicas

Transicin de a a b

R a
V1
DIODOS DE POTENCIA

b V2

i + V

V1/R

trr
ts -V2/R

t
tf (i= -0,1V2/R)

ts = tiempo de almacenamiento (storage time )

tf = tiempo de cada (fall time ) trr = tiempo de recuperacin inversa (reverse recovery time )

V
-V2

Caractersticas dinmicas

Transicin de b a a (encendido) El proceso de encendido es ms rpido que el apagado.

R a b V2 i
DIODOS DE POTENCIA 0,9V1/R 0,1V1/R

i +
V -

V1

td

tr

td = tiempo de retraso (delay time ) tr = tiempo de subida (rise time ) tfr = td + tr = tiempo de recuperacin directa (forward recovery time )

tfr

Caractersticas dinmicas

DIODOS DE POTENCIA

Caractersticas Principales

Corriente directa Tensin inversa Tiempo de recuperacin Cada de tensin en conduccin

DIODOS DE POTENCIA

Encapsulado

Tiempo de recuperacin en inversa

Un diodo de potencia tiene que poder conmutar rpidamente del estado de corte al estado de conduccin. El tiempo que tarda en conmutar se llama : TIEMPO DE RECUPERACIN EN INVERSA Los diodos se pueden clasificar en funcin de su tiempo de recuperacin:

DIODOS DE POTENCIA

Tipos de diodos Se clasifican en funcin de la rapidez (trr) VRRM Standard Fast Ultra Fast Schottky 100 V - 600 V 100 V - 1000 V 200 V - 800 V 15 V - 150 V IF 1 A 50 A 1 A 50 A 1 A 50 A 1 A 150 A trr > 1 s 100 ns 500 ns 20 ns 100 ns < 2 ns

DIODOS DE POTENCIA

Las caractersticas se pueden encontrar en Internet (pdf)

Direcciones web www.irf.com www.onsemi.com www.st.com www.infineon.com

Aplicaciones:
DIODOS DE GAMA MEDIA: Fuentes de alimentacin Soldadores

DIODOS RPIDOS

Aplicaciones en que la velocidad de conmutacin es crtica

Convertidores CD CA

DIODOS DE POTENCIA

DIODOS SCHOTTKY Fuentes de alimentacin de bajo voltaje y alta corriente Fuentes de alimentacin de baja corriente eficientes