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1.2.2 Memoria.

MEMORIA RAM RAM : Siglas de Random Access Memory, un tipo de memoria a la que se puede acceder de forma aleatoria; esto es, se puede acceder a cualquier byte de la memoria sin pasar por los bytes precedentes. RAM es el tipo ms comn de memoria en las computadoras y en otros dispositivos, tales como las impresoras.

Hay dos tipos bsicos de RAM: DRAM (Dynamic RAM), RAM dinmica SRAM (Static RAM), RAM esttica

Los dos tipos difieren en la tecnologa que usan para almacenar los datos. La RAM dinmica necesita ser refrescada cientos de veces por segundo, mientras que la RAM esttica no necesita ser refrescada tan frecuentemente, lo que la hace ms rpida, pero tambin ms cara que la RAM dinmica. Ambos tipos son voltiles, lo que significa que pueden perder su contenido cuando se desconecta la alimentacin.

En el lenguaje comn, el trmino RAM es sinnimo de memoria principal, la memoria disponible para programas. En contraste, ROM (Read Only Memory) se refiere a la memoria especial generalmente usada para almacenar programas que realizan tareas de arranque de la mquina y de diagnsticos. La mayora de los computadores personales tienen una pequea cantidad de ROM (algunos Kbytes). De hecho, ambos tipos de memoria ( ROM y RAM )permiten acceso aleatorio. Sin embargo, para ser precisos, hay que referirse a la memoria RAM como memoria de lectura y escritura, y a la memoria ROM como memoria de solo lectura. Se habla de RAM como memoria voltil, mientras que ROM es memoria no-voltil.

La mayora de los computadores personales contienen una pequea cantidad de ROM que almacena programas crticos tales como aquellos que permiten arrancar la mquina (BIOS CMOS). Adems, las ROMs son usadas de forma generalizada en calculadoras y dispositivos perifricos tales como impresoras laser, cuyas fonts estan almacenadas en ROMs.

Tipos de memoria RAM VRAM: Siglas de Vdeo RAM, una memoria de propsito especial usada por los adaptadores de vdeo. A diferencia de la convencional memoria RAM, la VRAM puede ser accedida por dos diferentes dispositivos de forma simultnea. Esto permite que un monitor pueda acceder a la VRAM para las actualizaciones de la pantalla al mismo tiempo que un procesador grfico suministra nuevos datos. VRAM permite mejores rendimientos grficos aunque es ms cara que la RAM normal.

SIMM: Siglas de Single In line Memory Module, un tipo de encapsulado consistente en una pequea placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, y que se inserta en un zcalo SIMM en la placa madre o en la placa de memoria.

DIMM: Siglas de Dual In line Memory Module, un tipo de encapsulado, consistente en una pequea placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, que se inserta en un zcalo DIMM en la placa madre y usa generalmente un conector de 168 contactos.

DIP: Siglas de Dual In line Package, un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip de memoria en una caja rectangular con dos filas de pines de conexin en cada lado. RAM Disk: Se refiere a la RAM que ha sido configurada para simular un disco duro. Se puede acceder a los ficheros de un RAM disk de la misma forma en la que se acceden a los de un disco duro. Sin embargo, los RAM disk son aproximadamente miles de veces ms rpidos que los discos duros, y son particularmente tiles para aplicaciones que precisan de frecuentes accesos a disco.

SRAM: Siglas de Static Random Access Memory, es un tipo de memoria que es ms rpida y fiable que la ms comn DRAM (Dynamic RAM). El trmino esttica viene derivado del hecho que necesita ser refrescada menos veces que la RAM dinmica. DRAM: Siglas de Dynamic RAM, un tipo de memoria de gran capacidad pero que precisa ser constantemente refrescada (re-energizada) o perdera su contenido. Generalmente usa un transistor y un condensador para representar un bit Los condensadores debe de ser energizados cientos de veces por segundo para mantener las cargas. A diferencia de los chips firmware (ROMs, PROMs, etc.) las dos principales variaciones de RAM (dinmica y esttica) pierden su contenido cuando se desconectan de la alimentacin. Contrasta con la RAM esttica.

SDRAM: Siglas de Synchronous DRAM, DRAM sncrona, un tipo de memoria RAM dinmica que es casi un 20% ms rpida que la RAM EDO. SDRAM entrelaza dos o ms matrices de memoria interna de tal forma que mientras que se est accediendo a una matriz, la siguiente se est preparando para el acceso. Tambin conocido como DDR DRAM o DDR SDRAM (Double Data Rate DRAM o SDRAM), permite leer y escribir datos a dos veces la velocidad bs.

FPM: Siglas de Fast Page Mode, memoria en modo paginado, el diseo ms comun de chips de RAM dinmica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna. Antes del modo paginado, era leido pulsando la fila y la columna de las lneas seleccionadas. Con el modo pagina, la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas (bits) dentro de la fila, dando como resultado un rpido acceso. La memoria en modo paginado tambien es llamada memoria de modo Fast Page o memoria FPM, FPM RAM, FPM DRAM. El trmino fast fu aadido cuando los ms nuevos chips empezaron a correr a 100 nanoseconds e incluso ms.

EDO: Siglas de Extended Data Output, un tipo de chip de RAM dinmica que mejora el rendimiento del modo de memoria Fast Page alrededor de un 10%. Al ser un subconjunto de Fast Page, puede ser substituida por chips de modo Fast Page.

MEMORIA ROM ROM es el acrnimo de Read-Only Memory (memoria de slo lectura). Es una memoria de semiconductor no destructible, es decir, que no se puede escribir sobre ella, y que conserva intacta la informacin almacenada, incluso en el caso de interrupcin de corriente (memoria no voltil). La ROM suele almacenar la configuracin del sistema o el programa de arranque del ordenador.

La memoria de slo lectura o ROM es utilizada como medio de almacenamiento de datos en los ordenadores. Debido a que no se puede escribir fcilmente, su uso principal reside en la distribucin de programas que estn estrechamente ligados al soporte fsico del ordenador, y que seguramente no necesitarn actualizacin. Por ejemplo, una tarjeta grfica puede realizar algunas funciones bsicas a travs de los programas contenidos en la ROM.

Adems de los chips clsicos de memoria ROM puros, hay ROM llamada de sobre todo lectura (del ingls, Read-Mostly Memory). Esta pueden ser escrita durante su realizacin, pero adems se puede cambiar su contenido despus. Algunos ejemplos:

Memoria PROM Memoria EPROM Memoria EEPROM Memoria flash

PROM es el acrnimo de Programmable Read-Only Memory (ROM programable). Es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible (o antifusible), que puede ser quemado una sola vez. Estas memorias son utilizadas para grabar datos permanentes en cantidades menores a las ROMs, o cuando los datos deben cambiar en muchos o todos los casos. EPROM son las siglas de Erasable Programmable ReadOnly Memory (ROM borrable programable). Es un tipo de chip de memoria ROM inventado por el ingeniero Dov Frohman que retiene los datos cuando la fuente de energa se apaga. En otras palabras, es no voltil.

EEPROM son las siglas de electrically-erasable programmable read-only memory (ROM programable y borrable elctricamente). Es un tipo de memoria ROM que puede ser programado, borrado y reprogramado elctricamente( 100.000 y 1.000.000 veces), a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante rayos ultravioletas.

La Memoria flash es una forma evolucionada de la memoria EEPROM que permite que mltiples posiciones de memoria sean escritas o borradas en una misma operacin de programacin mediante impulsos elctricos, frente a las anteriores que slo permite escribir o borrar una nica celda cada vez.

1.2.2.1 Arquitecturas. ARQUITECTURA DE LA MEMORIA (ROM) La arquitectura (estructura) interna de un CI-ROM es muy compleja y no necesitamos conocer todos sus detalles. Sin embargo es constructivo observar un diagrama simplificado de la estructura interna. Existen tres partes bsicas: decodificador de direcciones, arreglo de registros y buffer de salida.

Arreglo de registros: El arreglo de registros almacena los datos que han sido programados en la ROM. Cada registro contiene un numero de celdas de memoria que es igual al tamao de la palabra. En este caso, cada registro almacena una palabra de 8 bits. Los registros se disponen en un arreglo de matriz< cuadrada que es comn a muchos circuitos de semiconductor. Podemos especificar la posicin de cada registro como una ubicada en un regln y una columna especficos. Las 8 salidas de datos de cada registro se conectan a un canal de datos interno que corre atraves de todo el circuito.

Decodificadores de direcciones: El cdigo de direccin aplicado A3, A2, A1, A0, determina que registro ser habilitado para colocar su palabra de datos en 8 bits en el canal. Los bits de direccin A1, A0, se alimentan de un decodificador uno de 4 que activa una lnea de seleccin de rengln, y los bits de direccin A3, A2, se alimentan de un segundo decodificador uno de cuatro que activa una lnea de seleccin de columna. Solamente un registro estar en el rengln y la columna seleccionados por las entradas de difraccin, y estar habilitado.

Buffer de salida: El registro habilitado por las entradas de seleccin coloca el dato que tiene sobre el canal de datos. Estos datos entraran en los buffers de salida mismos que se encargan de trasmitirlos hacia las salidas externas.
Como sucede con la ROM, es til pensar que la RAM consta de varios registros, cada uno de los cuales almacena una sola palabra de datos y tiene una direccin nica. Las RAMS comnmente vienen con capacidades de palabras de 1K, 4K, 8K, 16K, 64K, 128K, 256K, y 1024K, y tamaos de palabras de 1, 4, u 8 bits.

1.2.2.2 Tipos. Jerarqua de memoria En una computadora hay una jerarqua de memorias atendiendo al tiempo de acceso y a la capacidad que normalmente son factores contrapuestos por razones econmicas y en muchos casos tambin fsicas. Comenzando desde el procesador al exterior, es decir en orden creciente de tiempo de acceso y capacidad, se puede establecer la siguiente jerarqua: - Registros de procesador: Estos registros interaccionan continuamente con la CPU (porque forman parte de ella). Los registros tienen un tiempo de acceso muy pequeo y una capacidad mnima, normalmente igual a la palabra del procesador (1 a 8 bites).

- Registros intermedios: Constituyen un paso intermedio entre el procesador y la memoria, tienen un tiempo de acceso muy breve y muy poca capacidad. - Memorias cach: Son memorias de pequea capacidad. Normalmente una pequea fraccin de la memoria principal. y pequeo tiempo de acceso. Este nivel de memoria se coloca entre la CPU y la memoria central. Dentro de la memoria cach puede haber, a su vez, dos niveles denominados cach on chip, memoria cach dentro del circuito integrado, y cach on board, memoria cach en la placa de circuito impreso pero fuera del circuito integrado, evidentemente, por razones fsicas, la primera es mucho ms rpida que la segunda

- Memoria central o principal: En este nivel residen los programas y los datos. La CPU lee y escribe datos en l aunque con menos frecuencia que en los niveles anteriores. - Extensiones de memoria central: Son memorias de la misma naturaleza que la memoria central que amplan su capacidad de forma modular - Memorias de masas o auxiliares: Son memorias que residen en dispositivos externos al computadora, en ellas se archivan programas y datos para su uso posterior. Tambin se usan estas memorias para apoyo de la memoria central en caso de que sta sea insuficiente (memoria virtual).

1.2.2.3 Caractersticas. MEMORIA PRINCIPAL (interna o central). Se almacenan datos y programas, hay dos operaciones que se hacen en la memoria (lee y escribe) entonces se dice que es donde almacena, se lee y se escribe. Es un conjunto de clulas numeradas y dos registros especiales con los que realiza las transacciones. El registro de direccin que indica el nmero de la clula afectada y el de intercambio que contiene la informacin leda o la que hay que escribir en la clula de cuestin. La memoria central se utiliza para almacenar informacin. En general, la informacin almacenada en memoria puede ser de dos tipos: las instrucciones de un programa y los datos con los que se operan las instrucciones.

La unidad elemental de memoria se llama byte(octeto). Un byte tiene la capacidad de almacenar un caracter de informacin, y esta formado por un conjunto de unidades ms pequeas de almacenamiento denominadas bits, que son dgitos binarios (0 1). Generalmente se acepta que un byte contiene ocho bits. Por consiguiente, si se desea alamacenar la frase: escriba una frase que corresponda al ejemplo la computadora utilizara exactamente 23 bytes consecutivos de memoria. Obsrvese que ademas de las letras, existen cuatro espacios en blanco y un punto (un espacio es un carcter que emplea tambin un byte). De modo similar, el nmero del pasaporte P57487891 ocupara 9 bytes. Estos datos se llaman alfanumricos y pueden constar de alfabeto, Dgitos o incluso caracteres especiales (simbolos:$,#,*,etc.). Mientras que cada caracter de un dato alfanumrico se almacena en un byte, la informacin numrica se almacena de un modo diferente. Los datos numricos ocupan 2,4 e incluso 8 bytes consecutivos, dependiendo del tipo de dato numrico.

Existen dos conceptos importantes asociados a cada byte o posicin de memoria: su direccin y contenido. Cada celda o byte tiene asociada una unica direccin que indica su posicin relativa en memoria mediante la cual se puede acceder a la posicin para almacenar o recuperar informacin. La informacin almacenada en una posicin de memoria es su contenido. El contenido de estas direcciones o posiciones de memoria se llaman palabras, de modo que existen palabras de 8,16,32, y 64 bits. Por consiguiente, si trabaja con una maquina de 32 bits, es decir, 32 digitos, bien ceros o unos. Siempre que una nueva informacin se almacena en una posicin, se destruye (desaparece) cualquier informacin que en ella hubiera y no se puede recuperar. La direccin es permanente y nica, el contenido puede cambiar mientras se ejecuta un programa. La memoria central de una computadora puede tener desde unos centenares de millares de bytes hasta millones de bytes. Como el byte es una unidad elemental de almacenamiento, se utilizan mltiplos para definir el tamao de la memoria central:

Pasos que se hacen en la lectura: 1.- Almacenar la direccin de la clula en la que se encuentra la informacin a leer datos se almacena en el registro de direccin. 2.- Cambiar el registro de intercambio la informacin contenida en la clula apuntada por el registro de direccin. 3.- Transferir el contenido de registro de intercambio al registro de la CPU que corresponda.

Pasos para la escritura: 1.- Transferir el registro de intercambio la informacin a escribir. 2.- Almacenar la segunda direccin de la clula receptora de la informacin en el registro de direccin. 3.- Cargar el contenido de registro de intercambio en la clula apuntada por el registro de direccin.

1.2.2.4 Funcionamiento.
Funciones que realiza La memoria de un computadora se puede definir como los circuitos que permiten almacenar y recuperar la informacin. En un sentido ms amplio, puede referirse tambin a sistemas externos de almacenamiento, como las unidades de disco o de cinta.

Proceso de carga en la memoria RAM: Cuando las aplicaciones se ejecutan, primeramente deben ser cargadas enmemoria RAM. El procesador entonces efecta accesos a dicha memoria para cargar instrucciones y enviar o recoger datos. Reducir el tiempo necesario para acceder a la memoria, ayuda a mejorar las prestaciones del sistema.

Es una memoria dinmica, lo que indica la necesidad de recordar los datos a la memoria cada pequeos periodos de tiempo, para impedir que esta pierda la informacin. Eso se llama Refresco. Cuando se pierde la alimentacin, la memoria pierde todos los datos. Random Access, acceso aleatorio, indica que cada posicin de memoria puede ser leda o escrita en cualquier orden. Lo contrario seria el acceso secuencial, en el cual los datos tienen que ser ledos o escritos en un orden predeterminado.

1.2.3 Dispositivos de I/O.


1.2.3.1 Arquitecturas. 1.2.3.2 Tipos. 1.2.3.3 Caractersticas. 1.2.3.4 Funcionamiento.

ENTRADA Y SALIDA

Vamos a sealar las funciones que debe realizar un computador para ejecutar trabajos de entrada/salida:
- Direccionamiento o seleccin del dispositivo que debe llevar a cabo la operacin de E/S. - Transferencia de los datos entre el procesador y el dispositivo (en uno u otro sentido). - Sincronizacin y coordinacin de las operaciones. Esta ltima funcin es necesaria debido a la deferencia de velocidades entre los dispositivos y la CPU y a la independencia que debe existir entre los perifricos y la CPU (por ejemplo, suelen tener relojes diferentes).

Se define una transferencia elemental de informacin como la transmisin de una sola unidad de informacin (normalmente un byte) entre el procesador y el perifrico o viceversa. Para efectuar una transferencia elemental de informacin son precisas las siguientes funciones: - Establecimiento de una comunicacin fsica entre el procesador y el perifrico para la transmisin de la unidad de informacin. - Control de los perifricos, en que se incluyen operaciones como prueba y modificacin del estado del perifrico. Para realizar estas funciones la CPU gestionar las lneas de control necesarias.

Definiremos una operacin de E/S como el conjunto de acciones necesarias para la transferencia de un conjunto de datos (es decir, una transferencia completa de datos). Para la realizacin de una operacin de E/S se deben efectuar las siguientes funciones: - Recuento de las unidades de informacin transferidas (normalmente bytes) para reconocer el fin de operacin. - Sincronizacin de velocidad entre la CPU y el perifrico. - Deteccin de errores (e incluso correccin) mediante la utilizacin de los cdigos necesarios (bits de paridad, cdigos de redundancia cclica, etc.) - Almacenamiento temporal de la informacin. Es ms eficiente utilizar un buffer temporal especfico para las operaciones de E/S que utilizan el rea de datos del programa. - Conversin de cdigos, conversin serie/paralelo, etc.

TIPOS DE DISPOSITIVOS * Entrada. * Salida. * Entrada/Salida. * Comunicaciones. * Almacenamiento.

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