PRINCIPIOS ELECTRICOS Y APLICACINES DIGITALES TRANSISTORES FET

(TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO)

PRESENTADA POR: ALEXANDRA RAMIREZ ELENA GAMBOA GONZALES HERON FRAGOZO GRANDOS

TRANSISTORES FET

El transistor FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo elctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente.

CURVA CARACTERSTICA

Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensin VGS. Zona de saturacin.- Amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensin que existe entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , VGS. Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.

ELEMENTOS O TERMINALES.

Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material p n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unin p-n. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente DREANADOR (d-drain) y FUENTE (s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el collar.

Modelo de transistor FET canal n

Modelo de transistor FET canal p

SIMBOLOGIA
La figura muestra el croquis de un FET con canal N

Smbolos grficos para un FET de canal P

POLARIZACIN DE UN FET TIPO N

El terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta o gate se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg).

PRINCIPALES APLICACIONES
APLICACIN Aislador o separador (buffer) PRINCIPAL VENTAJA Impedancia de entrada alta y de salida baja Bajo ruido USOS Uso general, equipo de medida, receptores Sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones Receptores de FM y TV,equipos para comunicaciones

Amplificador de RF

Mezclador

Baja distorsin de intermodulacin

Amplificador con CAG

Facilidad para controlar ganancia

Receptores, generadores de seales

Amplificador cascodo

Baja capacidad de entrada

Instrumentos de medicin, equipos de prueba

Amplificadores de cc, sistemas de control de direccin Amplificadores operacionales, rganos electrnicos, controlas de tono

Troceador

Ausencia de deriva

Resistor variable por voltaje Se controla por voltaje

Amplificador de baja frecuencia Oscilador

Capacidad pequea de acoplamiento Audfonos para sordera, transductores inductivos

Mnima variacin de frecuencia

Generadores de frecuencia patrn, receptores Integracin en gran escala, computadores, memorias

Circuito MOS digital

Pequeo tamao

VENTAJAS DE LOS FET

1) Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012 ohmios). 2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT. 3) Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT. 4) Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar ms dispositivos en un CI.

5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin para valores pequeos de tensin drenaje-fuente.
6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento. 7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.

DESVENTAJAS DE LOS FET

1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada. 2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT. 3) Los FET se pueden daar debido a la electricidad esttica.