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MEMORIAS SEMICONDUCTORAS
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CELDA SRAM
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CELDA DRAM
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EJERCICIOS
1. Describa, con esquemas del sustrato semiconductor, el proceso de almacenamiento y borrado de datos en una celda de memoria: FAMOS, FLOTOX y FLASH. 2. De acuerdo a la figura 1: (a) Determine el rango de direcciones que el CPU necesita enviar para leer toda la informacin del mdulo 2 de memoria. ( b ) Qu modificaciones hara en el circuito si se adicionan dos mdulos? ( c ) Cuntas lneas de direccin se necesitarn si las memorias fueran de 1Gigax 8?
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3. Muestre cmo se puede organizar con mdulos de memorias de 16Kx4 una capacidad de 64Kx8. 4. Utilizando memorias y otros circuitos que considere necesarios, disee un circuito lgico que controle tres display de 7 segmentos para que progresivamente aparezca letra por letra la palabra FIE y desaparezca del mismo modo. La secuencia se muestra en la Fig. 2. Cuando se llega a la secuencia mostrada en (a6) se debe repetir nuevamente las secuencias desde ( a1 ). Especificar el tamao y contenido de la(s) memoria(s).
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5. Cierta memoria tiene una capacidad de 1 Gigax32bits, responder: a) Cuntas palabras puede almacenar?, b) Cul es el nmero de Bytes de cada Palabra?, b) Cul es el nmero de lneas de direccin?, c) Cul es el nmero de lneas de datos?, d) Cuntas celdas posee?. 6. Encontrar las palabras que se tienen que grabar en la PROM que se muestra en la figura 3, si se desea obtener por D2 y D5 la formas de ondas mostradas. Tambin encontrar el valor de T de la seal del clock. (5 pts.)
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7. Disear un circuito combinacional con una memoria EEPROM. El circuito acepta un nmero de 3 bits y genera un nmero binario igual al cuadrado del nmero introducido. Se pide realizar la tabla lgica, enumerar los requerimientos de la memoria y dibujar el circuito.
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