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= A
dt
i d
L V
C
STRAY CE
Energa de entrada en conduccin E
ON
:
Energa de salida de conduccin E
OFF
:
Aparece el fenmeno de cola de apagado.
La inductancia parsita provoca sobretensin.
Debe manejarse la recuperacin inversa del diodo.
La conmutacin dura ms que t
OFF
.
La frmula de las prdidas es similar a la de un transistor bipolar
Caractersticas dinmicas. Conmutacin con carga inductiva.
18.3 El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)
Leccin 18. - Los transistores de potencia
Universidad de Oviedo
520
50
19
21 E
on
E
off
Ms rpidos que un bipolar.
Menos prdidas que un MOSFET.
V > 500V
I grande
Caractersticas dinmicas.
Conmutacin con carga inductiva.
18.3 El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)
Prdida
s en el
diodo
Leccin 18. - Los transistores de potencia
Universidad de Oviedo
ref
C
C
ref
CE
CE
ON ON
I
I
V
V
E E
* *
*
=
ref
C
C
ref
CE
CE
OFF OFF
I
I
V
V
E E
* *
*
=
COND
SAT
CE C COND
t V I E =
*
( ) f E E E P P P P
COND OFF ON COND OFF ON TOT
+ + = + + =
* * *
Prdidas totales en un IGBT
18.3 El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)
Leccin 18. - Los transistores de potencia
Universidad de Oviedo
18.4 Encapsulados y datos de catlogo de fabricantes
Leccin 18. - Los transistores de potencia
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18.4 Encapsulados y datos de catlogo de fabricantes
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18.4 Encapsulados y datos de catlogo de fabricantes
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18.4 Encapsulados y datos de catlogo de fabricantes
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Leccin 18. - Los transistores de potencia
Universidad de Oviedo
Conclusiones
Leccin 18. - Los transistores de potencia
Universidad de Oviedo
Conclusiones
1.- El transistor bipolar es un dispositivo en que la conduccin
se hace mediante portadores minoritarios. Esto se traduce en
baja velocidad de conmutacin: apenas unos pocos kHz.
2.- Al ser lento apenas se usa actualmente en aplicaciones de
potencia. Para tensiones inferiores a 500 V ha sido substituido
por el MOSFET y para tensiones superiores por el IGBT.
3.- El MOSFET es un dispositivo en que la conduccin se hace
mediante portadores mayoritarios. Macroscpicamente esto se
traduce en alta velocidad de conmutacin.
4.- Por tanto puede conmutar a decenas y centenares de kHz.
5.- La resistencia de conduccin directa est directamente
relacionada con la tensin de bloqueo.
Leccin 18. - Los transistores de potencia
Universidad de Oviedo
Conclusiones
9.- El MOSFET es el interruptor que actualmente presenta mejores
caractersticas para tensiones inferiores a 500V.
10.- Existen dispositivos de 1000V, pero slo son tiles para bajas
potencias o altas velocidades de conmutacin.
11.- A la hora de seleccionar un MOSFET su parmetro ms
importante es R
ON
.
12.- El IGBT es un interruptor con caractersticas de control
parecidas al MOSFET y caractersticas de salida similares al
transistor bipolar.
13.- El MOSFET es el interruptor que actualmente presenta
mejores caractersticas para tensiones inferiores a 500V.
14.- Tpicamente, el IGBT puede soportar miles de voltios y
conducir centenares de amperios, conmutando a una frecuencia
de decenas de kHz