ANALISIS EN DC - CA

DE UN FET
Integrantes:
Pea Landeo Vctor Daniel 1113220333
Ruiz Rodrguez Omar Artemio 1113220574
Yslache Galvn Miguel ngel 1113220101
N
-

Estructura de los transistores de efecto de
campo de unin, JFET (canal N)

P
+

P
+

Puerta (G)
Drenador
(D)
Fuente
(S)
JFET (canal P)
Smbolo
G
D
S
Canal
JFET (canal N)
Smbolo
G
D
S
canal P
G
D
S canal N
G
D
S
Otros smbolos
Principio de funcionamiento de los transistores
de efecto de campo de unin, JFET (I)

N
-

P
+

P
+

Puerta (G)
Drenador
(D)
Fuente
(S)
Zona de transicin en zona muy dopada estrecha
Zona de transicin en zona poco dopada ancha
N
-

(G)
(S)
P
+

P
+

(D)
Principio de funcionamiento de los transistores
de efecto de campo de unin, JFET (II)

V
1
V
2
V
1
< V
2
Segn aumenta la tensin drenador-fuente, aumenta
la resistencia del canal, ya que aumenta la zona de
transicin, que es una zona de pocos portadores.
Principio de funcionamiento de los transistores
de efecto de campo de unin, JFET (III)

G
D
S
+
-
V
DS
I
D

I
D

V
DS
V
1
V
2
Evolucin si la resistencia
no cambiara con la tensin.
Evolucin real en un JFET
(la resistencia cambia con
la tensin aplicada).
Principio de funcionamiento de los JFET (IV)

V
DS

N
-

(G)
(S)
P
+

P
+

(D)
Si se aumenta ms la tensin drenador-fuente, la zona de transicin
llega a dejar una parte del canal con muy pocos portadores. La
corriente de drenador no cesa (si cesara no se formara el perfil de
zona de transicin que provoca esta situacin). La tensin V
DS
a la
que se produce la contraccin total del canal recibe el nombre de
tensin de contraccin (pinch-off), V
PO
.
V
DS
=V
PO
> V
2
V
PO
+

-

Principio de funcionamiento de los JFET (V)

Si se aumenta la tensin drenador-fuente por encima de V
PO
, va
aumentando la parte del canal que ha quedado con muy pocos
portadores, L
ZTC
(longitud de la zona de transicin en el canal). Sin
embargo, el aumento de L
ZTC
al aumentar V
DS
es pequeo
comparado con la longitud del canal, L
C
.

(G)
(S)
(D)
V
DS
N
-

P
+

P
+

V
DS
=V
3
> V
PO
L
C
L
ZTC
Si L
ZTC
<< L
C
(hiptesis de canal largo) y admitimos que el perfil de
portadores en la parte no contrada del canal no ha cambiado,
tenemos que admitir que la tensin en dicha parte es V
PO
.
(G)
(S)
(D)
V
DS
P
+

P
+

N
-

L
ZTC
V
DS
=V
4
> V
3
L
ZTC
V
PO
+

-

Luego la corriente que circula es la necesaria para dar la misma cada
de tensin sobre el mismo perfil de canal misma corriente que
cuando aplicbamos V
PO
corriente constante por el canal cuando
V
DS
>V
PO
.
Principio de funcionamiento de los JFET (VI)
Resumen del principio de funcionamiento de
los JFET cuando V
GS
= 0

I
D

V
DS
V
DS
=V
4
V
4
V
DS
=V
3
V
3
V
DS
=V
PO
V
PO
V
DS
=V
2
V
2
V
DS
=V
1
V
1
V
DS
=0

Comportamiento
resistivo
Comportamiento como
fuente de corriente
Es decir:
V
DSPO
= U
A
= V
PO
- U
B

N
-

(G)
(S)
P
+

P
+

(D)
V
DS
=V
PO
Qu pasa si V
GS
= 0?
Con V
GS
=0, la
contraccin ocurre
cuando V
DS
= V
DSPO
=V
PO
.
La contraccin se
produce cuando:
V
DS
=V
DSPO
=V
PO
+ V
GS
Cuando V
GS
< 0, la corriente que circula es menor y la
contraccin se produce a una V
DS
menor.
~V
PO
+

-

(G)
(S)
P
+

P
+

(D)
N
-

El canal es siempre
ms estrecho, al estar
polarizado ms
inversamente
mayor resistencia
V
GS
+
-
U
B
U
A
V
D
S
+
-
~V
PO
+

-

Curvas caractersticas de un JFET (canal N)

V
GS
= 0V
V
GS
= -0,5V
V
GS
= -1V
V
GS
= -1,5V
V
GS
= -2V
Contraccin del canal
Muy importante
I
D
[mA]
V
DS
[V]
4
2
4 2
6
0
Curvas de salida
Curvas de entrada:
No tienen inters
(unin polarizada
inversamente)
G
D
S
+
-
V
DS
I
D

+
-
V
GS
Referencias
normalizadas
Contraccin producida cuando:
V
DSPO
=V
PO
+ V
GS
La tensin V
PO

Cortocircuitamos el
drenador y la fuente y
aplicamos tensin
entre puerta y fuente.
Cuando la tensin V
GS

alcanza un valor
negativo
suficientemente
grande, la zona de
transicin invade
totalmente el canal.
Este valor es el de
contraccin del canal,
V
PO
.



U
B2
V
GS
+
-
(G)
(S)
P
+

P
+

(D)
N
-

(G)
(S)
P
+

P
+

(D)
U
B1

N
-

V
GS
+
-
= -V
PO

U
B1
<

Anlisis grfico de un JFET en fuente comn
V
DS
[V]
I
D
[mA]
4
2
8 4
12
0
G
D
S
+
-
V
DS
I
D

+
-
V
GS
2,5KO
10V
V
GS
= -2V
V
GS
= -1,5V
V
GS
= -1V
V
GS
= -0,5V
V
GS
= 0V
V
GS
= 0V > -0,5V > -1V > -1,5V > -2V
Comportamiento resistivo
Comportamiento como fuente de corriente
V
GS
= -2,5V
> -2,5V
Comportamiento como circuito abierto
Muy
importante
V
DS
[V]
I
D
[mA]
4
2
8 4
12
0
V
GS
= -2V
V
GS
= -1,5V
V
GS
= -1V
V
GS
= -0,5V
V
GS
= 0V
V
GS
= -V
PO


Clculo de las corrientes en la zona de fuente
de corriente (canal contrado)
I
D0PO

Partimos de conocer el valor de la corriente de drenador
cuando V
GS
= 0 y el canal est contrado, I
D0PO
.

Tambin se conoce la
tensin de contraccin
del canal, V
PO

Ecuacin ya conocida:
V
DSPO
= V
PO
+ V
GS
Muy importante
Ecuacin no demostrada:
I
DPO
~ I
D0PO
(1 + V
GS
/V
PO
)
2
I
DPO
Comparacin entre transistores bipolares y
JFET (I)
G (P)
D
S
V
1
R
V
2
N
R
V
1
V
2
B (P)
C (N)
E (N)
I
D
I
C

+
-
V
BE
-
V
GS
+
En ambos casos, las tensiones de entrada (V
BE
y V
GS
) determinan
las corrientes de salida (I
C
e I
D
).
I
B

En zona de comportamiento como fuente de corriente, es til
relacionar corrientes de salida y entrada (transistor bipolar) o
corriente de salida con tensin de entrada (JFET).
I
G
~ 0
La potencia que la fuente V
1
tiene que suministrar es mucho ms
pequea en el caso del JFET (la corriente es casi cero, al estar
polarizada inversamente la unin puerta-canal).
Muy importante
(G)
(S)
P
+

P
+

(D)
N
-

V
GS
+
-
U
B
U
A
V
D
S
+
-
Comparacin entre transistores bipolares y
JFET (II)
Corriente de electrones
en todo el dispositivo
(transistor unipolar)
El JFET es ms rpido al ser un dispositivo unipolar (conduccin no
determinada por la concentracin de minoritarios).
El JFET puede usarse como resistencia controlada por tensin, ya
que tiene una zona de trabajo con caracterstica resistiva.
Para conseguir un comportamiento tipo cortocircuito hay que
colocar muchas celdas en paralelo.
Muy
importante
Estructura real de un JFET de canal N
G (N)
D
S
V
1
R
V
2
P
-I
D

-
V
GS
+
I
G
~ 0
Uso de un JFET de canal P
Hay que invertir los sentidos reales
de tensiones y corrientes para operar
en los mismas zonas de trabajo.
D S G
P
+

N
-

G
SiO
2

N
+
N
+

P
+

Contactos metlicos
Canal N
Los transistores de efecto de campo de unin
metal-semiconductor MESFET
D S G
N
+
N
+

N
-

GaAs aislante
Contactos
hmicos
GaAs
Contacto rectificador (Schottky)
G
Pequea
polarizacin
directa GS
G
Tensin GS
nula
G
Polarizacin
inversa GS,
zona resistiva
G
Polarizacin
inversa GS, zona
f. de corriente
V
DS

I
D

V
GS
<0
V
GS
= 0
V
GS
> 0
Los transistores de efecto de campo de metal-
xido-semiconductor, MOSFET
Substrato
Contactos
metlicos
G S D
Nombre
Metal
xido
Semiconductor
Estructura
MOSFET de enriquecimiento
(acumulacin) de canal N
G
D
S
Substrato
Smbolo
D S G
+

P
-

N
+

N
+

SiO
2

Metal
G
D
S
MOSFET de
enriquecimiento
de canal P
Smbolo
++ ++
G
D S
+

P
-

Substrato
N
+
N
+

- - - -
G
D S
+

P
-

Substrato
N
+
N
+

Principios de operacin de los MOSFET (I)
V
1

+ + + +
- - - -
Zona de transicin
(con carga espacial)
V
2
> V
1

+ + + +
+++ +++
- - - -
- -
- -
Se empieza a formar una
capa de electrones
(minoritarios del substrato)
V
3
= V
TH
> V
2

G
D S
+

P
-

Substrato
N
+
N
+

++++ ++++
- - - -
- - - -
Principios de operacin de los MOSFET (II)
Esta capa de minoritarios es
llamada capa de inversin
Esta capa es una zona de
transicin (no tiene casi
portadores de carga)
Cuando la concentracin de los electrones en la capa formada es
igual a la concentracin de los huecos de la zona del substrato
alejada de la puerta, diremos que empieza la inversin. Se ha creado
artificialmente una zona N tan dopada como la zona P del substrato.
La tensin a la que esto ocurre es llamada tensin umbral
(threshold voltage), V
TH
.
Principios de operacin de los MOSFET (III)
V
4
> V
TH
G
D S
P
P
-

Substrato
N
+
N
+

+++++ +++++
- - - -
- - - - - -
Situacin con tensin
mayor que la de umbral
V
GS
G
D S
P
-

Substrato
N
+
N
+

+++++ +++++
- - - -
- - - - - -
V
DS

Conectamos la fuente al
substrato.
Conectamos una fuente de
tensin entre los terminales
fuente y drenador.
Cmo es la corriente de
drenador?
I
D

Principios de operacin de
los MOSFET (IV)
Existe un canal entre drenador
y fuente constituido por la capa
de inversin que se ha formado.
Con tensiones V
DS
pequeas
(<<V
GS
), el canal es uniforme.
V
GS
G
D S
P
-

Substrato
N
+
N
+

+++++ +++++
- - - -
- - - - - -
V
DS
~ 0
I
D
~ 0
V
GS
G
D S
P
-

Substrato
N
+
N
+

+++++ +++++
- - - - -
V
DS
=V
DS1
>0
I
D

- - - - -
El canal se empieza a contraer
segn aumenta la tensin V
DS
.
La situacin es semejante a la
que se da en un JFET.
El canal formado se contrae
totalmente cuando V
DS
= V
DSPO
.
Cuando V
DS
> V
DSPO
, el MOSFET
se comporta como una fuente
de corriente (como en el caso de
los JFET).
V
GS
G
D S
P
-

Substrato
N
+
N
+

+++++ +++++
V
DS2
=V
DSPO
>V
DS1

I
D

- - -
- - - - - - -
V
GS
G
D S
P
-

Substrato
N
+
N
+

+++++ +++++
V
DS3
>V
DSPO

I
D

- - -
- - - - - - -
Principios de operacin
de los MOSFET (V)
Si V
GS
= 0, la corriente de drenador es prcticamente
nula. En general, si V
GS
<V
TH
, no hay casi canal
formado y, por tanto, no hay casi corriente de
drenador.
V
DS1

G
D S
P
-

Substrato
N
+
N
+

I
D
~ 0

Principios de operacin de los MOSFET (VI)
G
D S
P
-

Substrato
N
+
N
+

I
D
~ 0

V
DS2
> V
DS1
Curvas caractersticas de un MOSFET de
enriquecimiento de canal N
Muy importante
I
D
[mA]
V
DS
[V]
4
2
4 2
6
0
Curvas de salida
Curvas de entrada:
No tienen inters
(puerta aislada del canal)
Referencias
normalizadas
+
-
V
DS
I
D

+
-
V
GS
G
D
S
V
GS
< V
TH
=
2V
V
GS
= 2,5V
V
GS
= 3V
V
GS
= 3,5V
V
GS
= 4V
V
GS
= 4,5V
Anlisis grfico de un MOSFET en fuente comn
V
DS
[V]
I
D
[mA]
4
2
8 4
12
0
V
GS
= 2,5V
V
GS
= 3V
V
GS
= 3,5V
V
GS
= 4V
V
GS
= 4,5V
V
GS
= 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V
Comportamiento resistivo
Comportamiento como fuente de corriente
V
GS
< V
TH
= 2V
< 4,5V
Comportamiento como circuito abierto
Muy
importante
+
-
V
DS
I
D

+
-
V
GS
2,5KO
10V
G
D
S
Clculo de las corrientes en la zona de fuente de
corriente (canal contrado) y de la tensin umbral
Ecuaciones no demostradas:
I
DPO
~ (V
GS
- V
TH
)
2
Z
n
C
ox
/2L
C

V
TH
~ 2|
F
+ (c
rs
x
ox
/c
rox
)(4qN
A
|
F
/(c
rs
c
0
))
1/2


Z = longitud en el eje perpendicular a la representacin.
C
ox
= Capacidad del xido por unidad de rea de la
puerta.
c
rs
, c
rox
y c
0
= permitividades relativas del
semiconductor y del xido y permitividad absoluta.
x
ox
= grosor del xido debajo de la puerta.
|
F
=V
T
ln(N
A
/n
i
)
G
D S
+

P
-

Substrato
N
+
N
+

N
-

Los MOSFET de deplexin (I)
Existe canal sin necesidad de aplicar
tensin a la puerta. Se podr establecer
circulacin de corriente entre drenador
y fuente sin necesidad de colocar
tensin positiva en la puerta.
V
1

G
D S
+

P
-

Substrato
N
+
N
+

+++ +++
N
-

- - - - - -
+
-
V
GS
=V
1
Modo ACUMULACIN:
Al colocar tensin positiva
en la puerta con relacin al
canal, se refuerza el canal
con ms electrones
procedentes del substrato.
El canal podr conducir
ms.
Los MOSFET de deplexin (II)
V
1

+
-
V
GS
=-V
1
G
D S
+

P
-

Substrato
N
+
N
+

N
-

Operacin en modo DEPLEXIN:
Se debilita el canal al colocar tensin negativa en la
puerta con relacin al substrato. El canal podr
conducir menos corriente.
- - - - - -
+ + + + + +
Los MOSFET de deplexin (III)
Cuando se aplica tensin entre drenador y fuente se
empieza a contraer el canal, como ocurre en los otros
tipos de FET ya estudiados. Esto ocurre en ambos
modos de operacin.
V
DS

I
D

V
1

G
D S
+

P
-

Substrato
N
+
N
+

+++ +++
N
-

- - - -
- -
Modo acumulacin
V
DS

I
D

V
1

G
D S
+

P
-

Substrato
N
+
N
+

- - - - - -
N
-

+ + + + + +
+ +
Modo deplexin
Muy importante
Deplexin
I
D
[mA]
V
DS
[V]
4
2
4 2
6
0
V
GS
< -1,5V
V
GS
= -1V
V
GS
= -0,5V
V
GS
= 0V
V
GS
= 0,5V
V
GS
= 1V
Modo acumulacin
Modo deplexin
Comparacin entre las curvas caractersticas de
los MOSFET de enriquecimiento y de deplexin
I
D
[mA]
V
DS
[V]
4
2
4 2
6
0
V
GS
< V
TH
= 2V
V
GS
= 2,5V
V
GS
= 3V
V
GS
= 3,5V
V
GS
= 4V
V
GS
= 4,5V
Enriquecimiento
Canal N
Canal P
Comparacin entre los smbolos de los MOSFET
de enriquecimiento y de deplexin con ambos
tipos de canal
G
D
S
Tipo
enriquecimiento
G
D
S
Tipo
deplexin
D
Tipo
enriquecimiento
G
S
G
D
S
Tipo
deplexin
Comparacin de los circuitos de polarizacin
para trabajar en zona resistiva o en zona de fuente
de corriente con MOSFET de ambos tipos de canal
+
-
V
DS
I
D

+
-
V
GS
R
V
2

G
D
S
V
1

Canal N
+
-
V
DS
-I
D

+
-
V
GS
R
V
2

G
D
S
V
1

Canal P
Hay que invertir los sentidos reales de tensiones y
corrientes para operar en los mismas zonas de trabajo.
Comparacin entre transistores JFET y MOSFET
La potencia que la fuente V
1
tiene que suministrar estticamente
en un MOSFET es cero. Por tanto, la corriente I
G
es ms pequea
an que en el caso del JFET (que es casi cero, al estar polarizada
inversamente la unin puerta-canal).

Muy importante
I
D

+
-
V
GS
R
V
2

G
D
S
V
1

MOSFET, canal N
I
G
= 0
G
D
S
V
1
R
V
2
I
D

-
V
GS
+
I
G
~ 0
JFET, canal N
La tensiones V
1
y V
2
comparten terminales del mismo signo en el
caso del MOSFET. Esto facilita el control.
Precauciones en el uso de transistores MOSFET
G
D
S
D S G
+

P
-

Substrato
N
+
N
+

El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos.
El xido se puede llegar a perforar por la electricidad
esttica de los dedos. A veces se integran diodos zener
de proteccin.
Existe un diodo parsito entre fuente y drenador en los
MOSFET de enriquecimiento.
Recordar las siguientes relaciones:
( )
2
2
1
0
Vt Vgs K I
Vp
Vgs
I I
I I
A I
D
DSS D
S D
G
~
|
|
.
|

\
|
~
=
=
Esto es para los JFETS y los MOSFETS de
de tipo decremental
MOSFET de tipo incremental
CONFIGURACIN DE POLARIZACIN FIJA
+
-
+
-
Vgs
+
-
Vds Vp=-8V
Idss=10mA
Id
D
S
Con los datos calcular:
a) Vgsq, Idq
b) Vds
c) Vd, Vg y Vs
V Vgs
Vgs
2
0 2
=
=
Mtodo matemtico
V Vg Vs Vg Vgs e
V Vd Vds Vd
Vs Vd Vds d
V Vds K mA Vds
Vds R I Vdd c
mA I
mA
Vp
Vgs
I I b
V Vgs Vgg Vgs
V Vgr A I como a
D D
DQ
DSS DQ
G
2 )
75 . 4
)
75 . 4 ) 2 ( 625 . 5 16
0 )
625 . 5
2
8
2
1 10 1 )
2 finalmente corto
un es tanto lo por 0 0 )
2
= =
= =
=
= =
=
=
|
.
|

\
|

=
|
|
.
|

\
|
=
= =
= =
METODO GRAFICO
Como es un JFET canal N entonces Id es + y Vgs es -
V
Vp Vgs
entonces
I
mA
DSS
2 -Vgg Vgs
queda red de ecuacion la Luego
-2.4V . 3 , 0
,
2
I cuando Pto *
5 . 2
4
I
y tenemos
SHOCKEY de ec. la de
o reemplazad Vp/2, cuando Pto *
-8V Vp del Pto *
10 I del Pto *
D
DSS
DSS
= =
= =
=
~
=
=
V Vs V Vg Vs Vg Vgs
V Vd Vs Vd Vds
Vds
k mA R
D
0 2
8 . 4
8 . 4
) 2 ( 6 . 5 16 I - Vdd c)Vds
-2V Vgg Vgs Y 5.6mA I a)
: aprox n informaco sgte la obtenemos grfico Del
D
DQ
= . = =
= =
=
= =
= = =
POR LOS DOS MTODOS SE PRESENTAN RESPUESTAS MUY ACERTADAS
ENTRE ENTONCES AMBOS MTODOS SON VALIDOS
COFIGURACIN DE AUTOPOLARIZACIN
Calcular:
a) Vgsq, Idq
b) Vds
c) Vs, Vg, Vd
V R
I
I Si
R
es V Vrg A
S
DSS
D
S
4 ) (
2
I
- Vgs
2
R I Vgs
I I como y 0 I - Vgs -
corto un 0 0 I Como a)
DSS
S S
S D S
G
=
|
.
|

\
|
=
= =
~ =
= =
V Vgs mA 0 0 I Si *
-8V Vgs -8mA(1K) Vgs mA 8 I Si *
D
D
= =
= = =
-6 -3
Vp/2
Idq
8
Id(mA)
-4

red
a
Vp Vp
I
I con Pto
I
I
Vp
Vp con Pto
v Vp Pto
mA I Pto
DS
D
DSS
D
DSS
3 . 0
2
4
4
2
3
6 2
8 1
~
~
=
=
=
=
Luego la recta definida por
D S S S
I I R I Vgs ~ =
mA I
V Vgsq
DQ
6 . 2
6 . 2
=
=
V Vd
Vs Vds Vd Vs Vd Vds
V Vg
V Vs k R I Vs c
V Vds
k k mA Vds
R R I Vdd Vds b
S S
D S D
42 . 11
82 . 8 6 . 2
0
6 . 2 ) 1 )( 6 . 2 ( )
82 . 8
) 3 , 3 1 ( 6 . 2 20
) ( )
=
+ = + = =
=
= = =
=
+ =
+ =
Entonces la intercepcin de la curva del
dispositivo y la recta definida por la red,
tenemos el punto q
CONFIGURACIN DE ENTRADA COMN
S
D
G
Id
Is
58 . 2
) 680 ( 8 . 3
) (
3 . 6
) 5 . 1 ( 8 . 3 12
)
,
)
:
6 12
=
=
= =
=
=
= . =
Vs
Vs
R I R I Vg Si
V Vd
K mA Vd
Vds b
Idq Vgsq
Q operacin de Puntos a
Encontrar
V Vp mA I Con
S D S S
DSS
V Vds
Vds
vs Vd Vds
72 . 3
58 . 2 3 . 6
=
=
=
. 16 . 8 ; 12
; 08 . 4 , 6
; 0 , 0
) 680 (
= =
= =
= =
=
Vgs I Con
Vgs I Con
Vgs I Con
I Vgs
red la De
D
D
D
D
12
-6
dispsitivo
POLARIZACIN MEDIANTE DIVISOR DE VOLTAJE
G
D
S
Idss=8mA
Vp=-4V
= Vdd
DETERMINAR
a) Pto de operacin
Idq, Vgsq y Vds.
( )
( ) red de ecuacin k I Vgs
R I Vg Vgs
Vrs Vg Vgs
V Vg
M M
V k
Vg
R R
Vdd R
Vg
D
S D
5 . 1 82 . 1
82 . 1
27 . 0 1 . 2
16 270
2 1
2
=
=
=
=
+
=
+
=
Reemplazando valores
V Vgsq mA 8 . 1 4 . 2 I
: obtenemos grfico del
DQ
~ . ~
-4
8
Id(mA)
4
2
Q
V Vds
Vds
Vs Vd Vds
V Vs
R I R I Vs
V Vd
k mA Vd
R I Vdd Vd
S D S G
D D
64 . 6
6 . 3 24 . 10
6 . 3
24 . 10
) 4 . 2 )( 4 . 2 ( 16
=
=
=
=
= =
=
=
=
( )
( )
64 . 6
5 . 1 4 . 2 4 . 2 16
=
+ =
= +
Vds
k Vds
Vds R R I Vdd
S D D
DE OTRO MODO:
Ec. De salida
FET DEL CANAL -P
+
-
Vgs
Rd
Rs
+
-
Vds
Id
Is
Pto Q
Idss
Vp
-Vgs
JFET tipo P
-Vdd
R1 Rd
Rs
R2
+
-
Vgs
+
-
Vds
Pto Q
Id
-Vgs
Vg/Rs
MOSFET canal P tipo decremental
Vg
Vp
Idss
Rg
+
-
Vgs
Rd
-Vdd
Is
+
-
Vds
Vd
Vgsth
Vdd/Rd
Pto Q
Id
Vgs
0
MOSFET canal P tipo Incremental
DISEO
20V
Vd
Rd
Rs
G
S
+
-
Idq
Is
Idss=6mA
Vp=-3V
+
Dado los valores del pto Q (Idq=2.5mA)
^ Vd=12V calcular los valores necesarios
Rd y Rs
K R
mA
R
R
Vd Vdd
I
D
D
D
DQ
2 . 3
5 . 2
12 20
=

=
Con los datos obtenidos procedemos a aplicar
La curva de transferencia y obtener Vgsq
Idq
Vgsq=-1V
-3
6
Id(mA)
Vgsq
( )
K R
mA
V
Idq
Vgs
R
R I Vgs
R I Vs Vg Vs Vg Vgs
V grf ico del entonces
S
S
S D
S D
4 . 0
5 . 2
1
0
1
=

= =
=
+ = . = =
=
Para la configuracin de polarizacin mediante divisor de voltaje, calcular el valor
De Rs si Vd=12V y Vgsq=-2V
( )
K R
R mA
R I Vg Vs Vg Vgs
mA I
k Rd
Vd Vdd
I
Vg
k
k Vg
S
S
S D
D D
35 . 3
) ( 22 . 2 44 . 5 2
22 . 2
8 . 1
12 16
44 . 5
47 91
16
47
=
=
= =
=

=
=
+
=
91k
47k
Rs
Rd
16V
Vgs
+
-
Vd
1.8K
Id
V Vdd
Vds Vdd
Vdd Vds
v Vds Vgs
I mA I I si
DQ ENCENDIDO D D
12
) 6 ( 2 2
2
1
6
4
=
= =
=
= =
= = =
Para la sgte configuracin se especifican los niveles de Vds e Id=Id encendido
Determine el nivel de Vdd y de Rd , Adems Vgs=Vgs on
K
mA I
Vds Vdd
R
R I Vds Vdd
DQ
D
D DQ
5 . 1
4
6 12
0
=

=
=
Vdd
10M
G
D
S
Vdd Vds
V th Vgs
mA I
V Vgs
ENCENDIDO D
2
1
3 ) (
4
6
=
=
=
=
Rd
MOSFET de tipo decremental canal n
18V
110M
10M
1.8k
750
Vgs
-3
6
Vgs
Id(mA)
Idss
Vp
13.1mA
Vgsq
-1
Para el MOSFET de tipo decremental
De canal n, determine:
a) Ptos de operacin
b) Vds
mA I V Vgs Con
V Vp mA I
Vp Vp
I
I Con
mA I V Vp
I
I
Vp
Vp Con
Vp
Vgs
I I
cia transf eren de curva la Para
D
D
DSS
D
D
DS
D
DSS DS
67 . 10 1
9 . 0 3
3 . 0
2
5 . 1 5 . 1
4 2
1
:
2
= =
= =
= =
= =
= =
|
|
.
|

\
|
=
Idss= 6 mA
Vp= - 3V
Configuracin TIPO H
V Vcodo
Vcodo
Vp Vgs Vcodo
2 . 2
3 8 . 0
=
=
=
( )
LINEAL ZONA
V Vds
K mA V Vds
R R I Vdd Vds
V Vgsq mA I grf ico Del
mA I I V Vgs Con
V Vgs I Con
I Vgs R I Vg Vgs
V Vg
M
M
V Vg
S D D
DQ
D D
D
D S D
>
=
+ =
+ =
~ ~
= = =
= =
= =
= =
+
=
2 . 2 1 . 10
1 . 10
) 750 8 . 1 ( 1 . 3 18
) (
8 . 0 , 1 . 3
2
750
5 . 1
0
5 . 1 0
). 750 ( 5 . 1
5 . 1
10 110
10
18
V Vgsq
mA I
graf ico del
DQ
3 . 4
7 . 1
:
=
=
mA
K
I Vgs
mA
K
I
Vp
Vgs
I Vgs Si
entrada la de Ec R I Vgs
D
D
D
S D
5 . 2
4 . 2
6
6
67 . 4
4 . 2
4
2
0 0
.
= = =
=

= =
= =
=
Configuracin autopolarizacin
20V
6.2K
1M
2.4
Vi
Is
Id
a) Idq, Vgsq
b) Vd
Idss= 8 mA
Vp= - 8V
-8
8
Vgs
Id(mA)
Idss
Vp
13.1mA
Vgsq
-1
LINEAL ZONA en Q
V Vds
Vds K K
Vcodo Vp Vgs Vcodo
V Vd
K mA Vd
Vd R I Vdd
D D
>
=
= +
= = = =
=
=
=
7 . 3 38 . 5
38 . 5
) 4 . 2 2 . 6 ( 7 . 1 20
7 . 3 8 3 . 4
46 . 9
) 2 . 6 ( 7 . 1 20
POLARIZACIN POR RETROALIMENTACIN
10M
2K
12V
( )
V Th Vgs
V Vgs
mA I
ENCENDIDO
ENCENDIDO D
3 ) (
8
6
=
=
=
Recordar par los niveles de Vgs mayores que
Vgs(Th) ,la corriente de drenaje esta definida por
( )
( )
( )
2 3
2 2
2
2
/ 10 24 . 0
3 8
6
) (
) ( ) (
V A x
V
A mA
K
Th Vgs Vgs
I
K
Curva Th Vgs Vgs K I
ENCENDIDO D
D

=
=
MOSFET de tipo Incremental canal n
Q
6
8
6,4
Id (mA)
Vgs
12
Vdd
IdRd Vdd Vgs red la de n polarizaci de recta la Para = :
mA
K
I Vgs Con
Vdd Vgs I Con
D
D
6
2
12
0
12 0
= = =
= = =
V Vgsq
mA I
DQ
4 . 6
75 . 2
: aprox Q pto el tenemos grafica la De
=
=
curva la de puntos dos los Para
mA I Vgs Con
mA I Vgs Con
D
D
76 , 11 10
16 , 2 6
= =
= =
2,75
3 10
POLARIZACIN POR DIVISOR DE VOLTAJE
18M
22M
3K
0.82K
Vgs
D
S
Id
DETERMINE Id, Vgsq, Vds
| |
2
3
2
3
2
2 1
2
5 10 12 . 0
10 12 . 0
) 5 10 (
3
18 0
95 . 21
0.82K
18V
0
IdRs - Vg Vgs : por dada esta recta La
18
18 22
) 40 ( 18
=
=

=
= = =
= = =
=
=
+
=
+
=

Vgs x I ENTONCES
V
A
x
mA
K
V Vg Vgs I Con
mA I Vgs Con
V
M M
V M
R R
Vdd R
Vg
D
D
D
( )
V Th Vgs
V Vgs
mA I
ENCENDIDO
ENCENDIDO D
5 ) (
10
3
=
=
=
21,95
Id (mA)
Q
20 18
V Vgsq
mA I
DQ
5 . 12
7 . 6
: Q pto el obtiene se grafica la De
~
~
( )
( )
V Vds
K mA Vds
R R I Vdd Vds
D S D
4 . 14
082 3 7 . 6 40
: obtiene se salida la Para
=
+ =
+ =
12,5
6,7
Vgs
Anlisis a pequea seal para FET
Los amplificadores con transistores de efecto de campo
proporcionan una ganancia de voltaje excelente con la
caracterstica adicional de una alta impedancia de entrada.
Adems son considerados como configuraciones de bajo
consumo de potencia con un adecuado rango de frecuencia y
un tamao y peso mnimos.

Todos los dispositivos JFET como los MOSFET de tipo
decremental pueden emplearse para disear amplificadores
que cuenten con ganancias similares de voltaje sin embargo el
circuito MOSFET decremental tiene una impedancia de
entrada mucho mayor que la de una configuracin JFET
similar.
Gracias a las caractersticas de impedancia de entrada alta de los FETs
el modelo equivalente de AC para de alguna forma ms simple que el
utilizado por los BJTs. mientras que el BJT cuenta con factor de
amplificacin (beta), el FET cuenta con un factor de
transconductancia gm.

El FET puede emplearse como un amplificador lineal o como un
dispositivo digital en circuitos lgicos. De hecho el MOSFET
incremental es muy popular en los circuitos digitales, especialmente
en los circuitos CMOS que requieren un consumo de potencia muy
bajo. Los dispositivos FET tambin se utilizan ampliamente en
aplicaciones de alta frecuencia y en aplicaciones de circuitos de
interfaz para computadoras.

La A
V
en los FETs con frecuencia menor que la obtenida para un BJT,
pero la Z
i
es mucho mayor que los del BJT, en cambio la Z
0
de salida
son equivalente para ambos. La A
i
ser una cantidad indeterminada
debido a que la corriente de entrada en los FETs es 0A.

Modelo de pequea seal para el FET
2
1
(

=
P
GS
DSS D
V
V
I I
V gm I
D
A = A
Recuerde que en DC, el voltaje de compuerta-fuente contra el nivel de la corriente de
drenaje mediante la ecuacin de SHOCKLEY.
El cambio en la corriente del drenador que se ocasiona por el cambio en el voltaje
compuerta-fuente puede determinarse mediante el uso del factor de
transconductancia gm de la siguiente forma:
gm=transconductancia
DETERMINACION GRAFICA DE gm
GS
D
V
I
gm
A
A
=
Pendiente en el
punto Q
Pto Q=(-2.5 ; 3)
ms gm
V
I
gm
GS
D
8 . 1
1
8 . 1
=
=
A
A
=
I
D
(mA)
V
GS

I
DSS

V
p

Q
3 2
2
4
I
D

V
GS

Curva obtenida mediante
2
1
|
|
.
|

\
|
=
p
GS
DSS D
V
V
I I
DEFINICION MATEMATICA DE gm
|
|
.
|

\
|
=
(

|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
=
(

|
|
.
|

\
|
= =
A
A
=
P
GS
P
DSS
P P
GS
DSS
P
GS
GS
DSS
P
GS
DSS
GS GS
D
PtoQ
GS
D
V
V
V
I
gm
V V
V
I gm
V
V
dV
d
I
V
V
I
dV
d
dV
dI
V
I
gm
1 2
1
1 2
1 2 1 |
Donde |V
p
| denota solo la magnitud parar asegurar un valor positivo de gm
Cuando V
GS
=0 gm alcanza su valor maximo gm
0
, entonces:

0
2 0
1
2
gm
V
I
V V
I
gm
P
DSS
P P
DSS
=
(

=
En las hojas de especificaciones proporcionan gm como Y
fs
donde
Y parmetro de admitancia.
f parmetro de transferencia directa (forward)
s revela que la terminal de la fuente es la referencia del modelo
FS
Y gm =
Para el JFET varia desde 1000 hasta 5000s o de 1-5 ms
Grafica de gm en funcin de V
GS
(

=
P
GS
V
V
gm gm 1
0
Si V
GS
=0 gm=gm
0
Si V
GS
=V
P
gm=O

(

=
P
GS
V
V
gm gm 1
0
Por lo tanto
gm(s)
V
p
V
GS
(V)
gm
0

(

P
GS
V
V
1

Debido a que el factor es < 1 para cualquier V
gs
0, la magnitud

de gm disminuir a medida que V
gs
se aproxime a V
p
y que el cociente se

incremente en magnitud.

p
gs
V
V

IMPACTO DE I
D
SOBRE gm

DSS
D
P
GS
P
GS
DSS
D
P
GS
DSS D
I
I
V
V
V
V
I
I
V
V
I I
=
|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
=
1 1
1
2
2

Ec. de SHOCKLEY:
Entonces
DSS
D
I
I
gm gm
0
=
Se puede graficar gm(s) en funcin de I
D
(mA) con los siguientes datos:

a) Si I
D
= I
DSS

0 0
gm gm
I
I
gm gm
DSS
DSS
= =
b) Si I
D
= I
DSS
/2
0 0
707 . 0
2
gm gm
I
I
gm gm
DSS
DSS
= =
b) Si I
D
= I
DSS
/4
0 0
5 . 0
4
gm gm
I
I
gm gm
DSS
DSS
= =
Ejemplo :
Con I
DSS
=8mA y V
p
=-4V. Graficar gm Vs. I
D
mS
V
I
gm
P
DSS
4
4
8 * 2 2
2
0
= = =
Con I
DSS
=4; gm=2.83ms
Con I
DSS
=2; gm=2ms
gm(ms)
I
D
(mA)
gm
0
=
IMPEDANCIA DE ENTRADA Z
i
DEL FET

En forma de ecuacin:
O = o
i
Z
Para un JFET se tom un valor tpico de 10
9
(1000M), mientras
que a los MOSFETs se tom un valor tpico de 10
12
a 10
15

IMPEDANCIA DE SALIDA Z
0
DEL FET

Es de magnitud similar a la del BJT.
En las hojas de especificaciones se representa como Y
S.

S
d
y
r Z
u
1
0
= =
Q Pto
d
ds
d
I
V
r
.
A
A
=
Con V
GS
constante

En forma de ecuacin:
I
D
(mA)
Q
I
D

V
ds

V
ds

V
GS
=0V
V
GS
=-1V
V
GS
=-2V
V
GS
=-3V
CIRCUITO EQUIVALENTE DE AC PARA EL FET
gm V
GS
r
d
G

S

D

S

CIRCUITO DE POLARIZACIN PARA EL JFET
POLARIZACIN FIJA
Datos:
V
DD
=20v
R
D
=2k
R
G
=1M
V
G
=2V
I
DSS
=10mA
V
P
=-8V
Asumiendo que el Pto Q:
s Y
mA I
V V
S
DQ
gs

u
40
625 . 5
2
=
=
=
Pto. Q
Z
i
Z
0
Vi

V
DD
C
i
R
D
V
G
R
G
Del anlisis DC
mS
V
I
gm
P
DSS
5 . 2
8
10 * 2 2
0
= = =
mS
V
V
gm gm
P
GS
88 . 1
8
2
1 5 . 2 1
0
=
(

=
(

=
O = = = k
S y
r
S
d
25
40
1 1

u
Anlisis AC
MO = = 1
G i
R Z
D d
R r Z //
0
=
Si r
d
10R
D
Z
0
=R
D
2510(2) 1
Z
0
=2k Z
0
=25k//2k= 1.85k
Z
i Z
0
Vi

R
D
R
G
V
0
+
-
G

D

( )
0
0
//
V gs d D
i
V
A V gmV r R
V
= =
Como Vgs = Vi
( )
0
//
i d D
V gmV r R =
Reemplazando valores
( )( )
1.88 1.85
V
A mS k =
( )
D d
i
V
R r gm
V
V
A //
0
= =
( )( )
1.88 2 3.76 3.48
V D V V
A gmR A A = = = ~ =
Autopolarizacin
D d
R r Z //
0
=
i G
Z R =
D d
R r Z //
0
=
; si r
d
10R
D

( )
//
V d D V D
A gm r R A gmR = =
Z
0
V
i
R
D
R
G
V
0
+
G

D

Z
i
-
G

i G
Z R =
0
0
0
i
i
V V
V
Z
V
=
=
Con V
i
=0VV
RG
=0V (cortocircuito)

( )
;
gs D gs gs D
gmV I I V gmV R
u
= + =
( )( )
gs D S
V I I R
u
= +
Por lo tanto en 1: gmVgs=I
D
+I
0
( )( )
D D S
I I gm I I R
u u
+ = +
0 0 D D S S
I I gmI R gmI R + =
| | | |
0
1 1
S D S
I gmR I gmR + = +
0 D
I I =
0
0 0
0
D D
V
Z V I R
I
= =
Y como I
D
=-I
0
0 0 D
V I R =
0
0
0
D
V
Z R
I
= =
Sin considerar r
d
Z
i
Z
0
Vi

R
D
V
0
G

D

S

+
-
R
G
R
S
gm V
GS
I
0
I
D
S

Vi

R
D
V
0
G

+
-
R
G
R
S
gm V
GS
I
0
I
D
S

Considerando el efecto de r
d
0
0
0
0
i
D D
i
V V
V I R
Z
V I
=
= =
0
d
r
D gs
d
V
I I gmV I I
r
' '
+ = + =
0 0
0
d d
gs r r gs
gmV V V V V V + = = +
0
0 0
0
0 0
gs
gs
d
gs
gs
d d
V V
I gmV I
r
V
V
I gmV I
r r
+
= +
= + +
Z
i
Z
0
Vi

R
D V
0
G

D

S

+
-
R
S
I
0
I
D
S

R
G
+
-
I

I
0+
I
D

( )
( )
( ) ( )
( ) ( )
( )
0
0 0
0 0
0 0
0
0 0
0
0 0
1
1
1
1 1
D D
gs D
d d
D D
D S D
d d
D D
S D S D
d d
D D
S D S D
d d d
D D S D D
S D S D
d d d
D
S
I R
I V gm I
r r
I R
I gm I I R I
r r
I R
I gm I R I R I
r r
I R
I gm I R gm I R I
r r r
I R I R I R
I gm I R gm I R I
r r r
I R
I gm I R
r
(
= +
(

(
= + +
(

(
= + + + +
(

( (
= + + + + +
( (

= + + + + +

( )
0
1 1
D S D D
D S D
d d d
S S D
S D S
d d d
I R I R
gm I R I
r r
R R R
I gmR I gmR
r r r
= + + +
( (
+ + = + + +
( (

0
1
1
S D
D S
d d
S
S
d
R R
I gmR
r r
I
R
gmR
r
(
+ + +
(

=
(
+ +
(

0
0 0
1
1
1
1
1
S D
S
D D S
S
d d
d
D
S D
i
S D
S
D S
d d
d d
S
S
d
R R
R
I R gmR
gmR
r r
V r
Z Z R
R R
V
R R
gmR
I gmR
r r
r r
R
gmR
r
(
+ + +
+ +
(

= = =
(
+ + +
+ + +
(

(
+ +
(

Si r
d
10R
D
, entonces
0 D
Z R =
d
D
d
S
S
r
R
r
R
gmR >> + + 1
Para ganancia de voltaje
0
V
i
V
A
V
=
0 D D
V I R =
RS D S
V I R =
;
d
RS
gs gs D
d
RS
gs S D RS i gs RS gs i
r
V V
gmV I gmV I
r
V V
I
V R I Vi V V V V V V

+ = + =

=
= = =
0
0
'
'
0
Sustituyendo tenemos
| |
( ) ( )
i
d
S
d
D
S D
d
S
D
d
D
D S D i D
d
S D D D
S D i D
gmV
r
R
r
R
gmR I
r
R
I
r
R
I R gmI mgV I
r
R I R I
R I V gm I
=
(

+ + +
=

+ =
1
d
S D
S
D i
D D
d
S D
S
i
D
r
R R
gmR
R gmV
R I V
r
R R
gmR
gmV
I
+
+ +
=
+
+ +
=
1
1
0
d
S D
S
D
i
r
R R
gmR
gmR
V
V
+
+ +
=
1
0
; Si r
d
10(R
D
+R
S
)

S
D
V
gmR
gmR
A
+
=
1
3) Divisor de voltaje
2 1
// R R Z
i
=
D D d
R Z R r = >
0
10
Si
V V
D d
i
R r Z
0
0
//
=
=
Z
i
Z
0
Vi

R
D
V
0
R
S
R
1
R
2
R
S
2 1
// R R Z
i
=
D D d
R Z R r = >
0
10
; Si
V V
D d
i
R r Z
0
0
//
=
=
Con desvo
Z
i
Z
0
Vi

R
D
V
0
G

R
1
R
2
+

S

( )
( )
D d V
gs
D d
V
R r gmVgs A
V
R r gmVgs
A
//
//
=

=
D d
R r 10 >
Si
D V
gmR A =
i
V
V
V
A
0
=
( )
D d gs gs i
R r gmV V V V //
0
= . =
Sin Desvo
2 1
// R R Z
i
=
El circuito es de forma similar al anterior con el efecto de
d
r
D
d
D
d
S
S
d
S
S
R
r
R
r
R
gmR
r
R
gmR
Z
+ + +
+ +
=
1
1
0
Z
i
Z
0
Vi

R
D
V
0 G

R
1
R
2
+

S

R
S
D

Si
; entonces
d
D
d
S
S
r
R
r
R
gmR >> + + 1
D
R Z =
0
d
D S
S
D
V
r
R R
gmR
gmR
A
+
+ +
=
1
D d
R r 10 >
Si ( )
S D d
R R r + >10
; entonces
S
D
V
gmR
gmR
A
+
=
1
Fuente Seguidor (Drenaje Comn)
G i
R Z =
Z0 al hacer V
i
=0V
se obtiene el
siguiente circuito.
gs
V V =
0
LCK en el nodo S
S d
R r
R
V
r
V
gmVgs I
I I gmVgs I
S d
0 0
0
0
+ = +
+ = +
Z
i
Z
0
Vi

R
S
V
0 G

R
G
+

S

D

+

-

V
gs
V
0
+

-

Z
0
R
S
r
d
gmV
gs
V
gs
I
0
+

-

S

(

+ + =
=
(

+ =
gm
R r
V I
V Vgs gmVgs
R r
V I
S d
S d
1 1
;
1 1
0 0
0 0 0
gm
R r
gm
R r
V
V
I
V
Z
S d
S d
1
1 1 1
1
1 1
0
0
0
0
0
+ +
=
(

+ + /
/
= =
La cual tiene el formato que la
resistencia total de 3 resistencias
en paralelo
;
gm
R r Z
S d
1
// //
0
=
;Si r
d
10R
S


gm
R Z
S
1
//
0
=
i
V
V
V
A
0
=
( )
( )( ) ( ) ( )
( ) | | ( )
S d i S d
S d S d i S d i
i
S d
R r gmV R r gm V
R r gmV R r gmV R r V V gm V
V V Vgs
R r gmVgs V
// // 1
// // //
//
0
0 0 0
0
0
= + =
= =
=
=
( )
( )
S d
S d
i
V
R r gm
R r gm
V
V
A
// 1
//
0
+
= =
Si no hay r
d
r
d
10R
S
S
S
V
gmR
gmR
A
+
=
1
Compuerta Comn
Impedancia de entrada Z
i
I
V
Z
'
'
=
'
V V Vgs
i
'
= =
;
d
Ir gmVgs I = +
'
gmVgs Ir I
d
=
'
gmVgs
r
R I V
I
d
D

'

'
=
'
| | V gm
r
R I
r
V
I
d
D
d
'

'

'
=
'
(

+
'
=
(

+
'
gm
r
V
r
R
I
d d
D
1
1
d
D d
i
d
d
D
i
gmr
R r
Z
r
gm
r
R
I
V
Z
+
+
=
(

+
(

+
=
'
'
=
'
1
1
1
d
D d
i
d
d
D
i
gmr
R r
Z
r
gm
r
R
I
V
Z
+
+
=
(

+
(

+
=
'
'
=
1
1
1
Si r
d
10R
S


gm
Z
i
1
=
'
gm
R Z
S i
1
// =
.
V V
i
I
V
Z
0
0
0
0
=
=
Impedancia de salida

d D
r R Z //
0
=
Si rd 10RS
D
R Z =
0
GANANCIA DE VOLTAJE
i
V
V
V
A
0
=
- +
r
d
gm V
GS
R
D
Z
0
Z
i
R
S
G

-S

D

+
-
V
0
V
i
d
i
r
i r
D D
gs i
r
V V
I
V V V
R I V
V V
d
d

=
=
=
=
0
0
0
(

+ =
(

+ =
+ =
(

=
+

=
(

=
= + +
D
d
D
i
d
D
d
D
i
d
D i
D i
d
i
i
d
i
sg
d
i
D
D gs r
gmR
r
R
V
r
R
V
r
R V
gmV
r
R V
R gmV
r
V V
V
gmV
r
V V
gmV
r
V V
I
I gmV I
d
1
0
0
0 0
0
0 0
d
D
d
D
D
i
V
r
R
r
R
gmR
V
V
A
+
+
= =
1
0
Si r
d
10R
D
+
-
+
-
A
v
=gmR
D

MODELO AC PARA MOSFETs DEL TIPO DECREMENTAL
El hecho e que la ecuacin de Schockley sea tambin aplicable a los
MOSFETs de tipo decremental da por resultado una misma ecuacin
para gm. De hecho el modelo equivalente de Ac para los MOSFETs
decremental es EXACTAMENTE el mismo que el utilizado para los FETs.

La nica diferencia que presentan los MOSFETs decremental es que V
GS

que puede ser positivo para los dispositivos de canal n y negativo para
los de canal p. El resultado de esto es que gm puede ser mayor que
gm
0.


El rango de r
d
es muy similar al que se encuentra para los JFETs

gm V
GS
G

S

+
-
Configuracin DIVISOR DE VOLTAJE
18V
110M
10M 150
1.8K
Z
i
Z
0
Datos:
I
DSS
=6mA
V
P
=-3V
Y
OS
=10S

Del anlisis DC:
V
BSQ
=0.35V
I
DQ
=7.6mA


mS
V
I
gm
P
DSS
4
3
6 * 2 2
0
= = =
mS mS gm
V
V
gm gm
P
BSQ
47 . 4
3
35 . 0
1 4
1
0
=
(

=
(

=
O = = = k
S y
r
OS
d
100
10
1 1

Anlisis AC:
V
i
1.8K
10M
110M
Z
i
100K
-
+
-
+
-
V
0
G

S

D

4.47*10
-3
V
gs
MO =
M M =
17 . 9
10 // 110
i
i
Z
Z
0 0
0
8 . 1 77 . 1
8 . 1 // 100
Z R k k Z
k k Z
D
= = ~ O =
=
Porque r
d
10R
D
100k 10(1.8k) 1
( )
05 . 8
8 . 1 47 . 4
=
=
=
V
V
D V
A
k mS A
gmR A
MOSFET`S DE TIPO INCREMENTAL
CANAL P
CANAL N
G
fs
gm = ;
os
d
y
r
1
=
gm V
GS
Del anlisis DC: | |
2
th
gs gs D
V V k I =
Como:
gs
D
V
I
gm
A
A
=
| | ( )( ) 0 1 2
2
= =
th
gs gs
th
gs gs
gs
V V k V V k
dV
d
gm ( )
th
gs
Q
gs
V V k gm = 2
1) Configuracin de Retroalimentacin en Drenaje
Z
i
Z
0
V
0
Vi

R
D
R
F
V
DD
C
2
C
1
Z
i
V
i
V
0
Z
0
S

R
D
gm V
GS
+
-

+

I
i
I
i
R
F
G
D

Impedancia de entrada:
i
i
i
I
V
Z =
D d
gs i
R r
V
gmV I
//
0
+ =
( )( ) gmVi I R r V
R r
V
gmV I
i D d
D d
i i
= = //
//
0
0
;
i gs
V V =
( )( )
( ) ( )
( ) | | ( ) | |
D d i D d F i
i D d i D d i F i
F
i i D d i
F
i
i
R r gm V R r R I
gmV R r I R r V R I
R
gmV I R r V
R
V V
I
// 1 //
// //
//
0
+ = +
+ =

=

( )
( )
D d
D d F
i
R r gm
R r R
Z
// 1
//
+
+
=
Por lo general R
F
>> r
d
//R
D


( )
D d
F
i
R r gm
R
Z
// 1+
=
Si r
d
>> 10R
D

D
F
i
gmR
R
Z
+
=
1
Impedancia de Salida
V V
i
I
V
Z
0
0
0
0
=
=
A gmV V V
gs gs
0 0 = . =
Z
0
R
D
R
F
r
d
V
i
=V
p
=0V
D d F
R r R Z // //
0
=
Como: R
F
>> r
d
//R
D

D d
R r Z //
0
=
Y si r
d
>>10R
D
D
R Z =
0
Ganancia de Voltaje
?
0
= =
i
V
V
V
A
D d
gs i
R r
V
gmV I
//
0
+ = ;
i gs
V V =
e
F
i
i
R
V V
I
0

=
(

+ =
(

+ =
+ =

F D d F
i
D d
i
F F
i
D d
i
F
i
R R r
V gm
R
V
R r
V
gmV
R
V
R
V
R r
V
gmV
R
V V
1
//
1 1
//
//
0
0 0
0 0
F D d
F
i
V
R R r
gm
R
V
V
A
1
//
1
1
0
+

= =
Como: gm >> 1/R
F

D F d
V
R R r
gm
A
1 1 1
+ +

=
( )
D d F V
R r R gm A // // =
Por lo general R
F
>> r
d
//R
D
y r
d
>> 10R
D

D V
gmR A =
2) Configuracin de Divisor de Voltaje
D d
i
R r Z
R R Z
//
//
0
2 1
=
=
; si >>10
d
r
D
R Z =
0
) // (
0
D d
i
V
R r gm
V
V
A = =
; si
>>10
d
r
D V
gmR A =
Z
i
V
i
Z
0
V
0
G

S

r
d
R
D
R
1
R
2
gm
V
GS
+
Z
i
Z
0
R
1
R
2
V
0
C
1
C
S
R
S
DISEO DE REDES DE AMPLIFICADOR FET
Disee la red de polarizacin fija para que tenga ganancia AC de 10. Es decir
determine el valor de R
D
Debido a
que:

0
0 gm gm V V
gs
= =
( )
k r R
r R
mS
r R gm A
d D
d D
d D V
2 //
//
5
10
//
0
=
=

=
mS
V
I
gm
p
DSS
5
4
10 * 2 2
0
= = =
I
DSS
=10mA
V
p
=-4V
y
OS
=20S

V
DD
=30V
Vi
R
D
10M
0.1F
O =
= =
k r
S y
r
d
os
d
50
20
1 1

( )
k
R k
R k
D
D
2
50
50
=
+
k kR
kR k kR
D
D D
100 48
2 100 50
=
=
O = k R
D
08 . 2
( )( )
MO =
O = =
10
2 10 30
i
D D DD DSQ
Z
k mA R I V V
k k R r Z
D d
50 // 2 //
0
= =
O = ~ O = k R k Z
D
2 92 . 1
0
EJERCICICIOS
LOS SIGUIENTES EJERCIOS SON AMPLIFICADORES
EN MULTIETAPA LOS CUALES TIENEN LOS TRES
TIPOS DE TRANSISTORES VISTO EN CLASE
20V
150k
V
i
8.6M
R
E
1k
Q
1
Q
2
I
D
I
D
Z
i
Z
0
Datos:
Q
1
: I
DSS
=10mA ; V
p
=-4V
Q
2
: I
DSS
=4mA ; V
p
=-5V
Q
3
: =50 ; V
BC
=0.7V

Calcule:
a) Puntos de Operacin,
b) Expresin literal para A
V
, Z
i
, Z
0
c) Evale del literal b
EJEMPLO
Anlisis DC:

Se obtiene:
Q
3
: I
BQ
=92.4A
Q
1
: V
gs1
=-1.44V
Q
2
: V
gs2
=0V

Anlisis AC:
150k
V
i
8.6M
Z
Mi
1k
R
3
R
1
R
E
G

B

S

D

C

E

V
0
Z
M0
I
BQ
gm V
gs1
hie
h
fe
+
-
V
B
Q
1
AV
1
AV
2
Q
1
mv
mA
gm
mv
mA
gm
V
V
V
I
gm
p
gs
p
DSS
6 . 1
5
0
1
5
4
2
2 . 3
4
44 . 1
1
4
10
2
1
2
2
1
=
(

=
=
(

=
(
(

=
O = = = k
A
mV
I
mV
hie
BQ
279 . 0
4 . 92
26 26

En Q
2
: V
gs2
=0 ; V
s2
=0
V
gs2
=0 ; gmV
gs
=0 Abierto
2
1
0
1
R Z
V
V
A
M
i
B
V
=
~ =
M = 2
0
M
Z
Datos:
Q
1
: I
DSS
=10mA ; V
p
=-4V
Q
2
: k=0.3mA/V
2
; V
TH
=1V ; V
gsq
=8V


Q
3
: =50 ; V
BC
=0.7V ; I
bq
=10A

i
V
i
V
V
V
A
V
V
A
02
1
01
1
=
=
i
Z
0
Z
; ;
R
1
+V
cc
R
4
R
2
R
3
R
5
V
i
8M

150M

2M

B

A

2
2
2
1
1
1
2k

1k

V
01
V
02
Z
i
Z
0
V
g1
=0
V
s1
=0


V
gs1
=0
Q
3
EJEMPLO
O = = = k
A
mV
I
mV
hie
bq
6 . 2
10
26 26

| |
( )| | mv gm
V V k gm
T gs
2 . 4 1 8 3 . 0 2
2
2
2
= =
=
mv
mA
gm
V
I
gm
V
V
gm gm
p
DSS
p
gs
5
4
0
1
4
10
2
2 1
1
0 0 1
=
(

=
=
(
(

=
V
01
R
1
R
4
R
2
R
3
R
5
V
i
8M

150M

2M

A

2k

1k

V
02
Z
0
B

G
2
D
2
S
2
gmV
gs2

gmV
gs1

C
3
b
3
V
gs1

hie
h
fe
I
b3
e
3
I
b3
R
1
R
2
R
3
V
i
8M

150M

2M

A

B

gmV
gs2
V
gs2

+
-
I
i
I
1
I
2
I
3
V
01
R
4
2k

V
02
C
3
b
3
hie
h
fe
I
b3
e
3
i
A
A i
V
V
V
V
V
V
V
A = =
01 01
1
LCK nodo A

( )
( )
( )
(
(

+ +
+ = +
+ +
+ = +

+ = +
5 3
2 2
2 2
5 3
2
2
3
2
2 2
1
1 1
1
3
R h hie R
V V gm V gm
R
V
R
V
R h hie
V
R
V
V V gm
R
V V
I I V gm I
fe
A A i
A
fe
A A
A i
A i
b gs
i
I
b3
R
5
1k

+
-
V
A

(
(

+ + + =
|
|
.
|

\
|
+ gm
R RR R
V gm
R
V
b
A i
2 3
2
2
1 1 1 1
3
RR
b3
2
2 3
2
2
1 1 1
1
3
gm
R RR R
gm
R
V
V
b
i
A
+ + +
+
=
( )( ) 994 . 0 853 . 1
1 1 1
1
1
3
3
1
2
2 3
2
2
4
=
+ + +
+
=
V
b
b
fe
V
A
Evaluando
RR
gm
R R
gm
R
RR
R h
A
853 . 1
1
=
V
A
( )
( )
( )
( )
( )
853 . 1
01
3 3 3
3
01
3 3
3
01
4 4
4
=

=
=
=
A
A
V
V
Evaluando
RR
R h
RR I
R I h
V
V
RR I V
R I h V
b
fe
b b
b fe
b b A
b fe
994 . 0 =
i
A
V
V
Evaluando
( )
( )
( )
( )
( )
951 . 0
1 1
1
02
3 3 3
3
02
3 3
3 3
02
5 5
5 5
=
+
=
+
=
=
+ = =
A
A
V
V
Evaluando
RR
R h
RR I
R I h
V
V
RR I V
R I h R I V
b
fe
b b
b fe
b b A
b fe e
( )
( )( ) 994 . 0 951 . 0
1 1 1
1
1
2
3
3
2
2 3
2
2
5
=
+ + +
+
+
=
V
b
b
fe
V
A
Evaluando
gm
RR R R
gm
R
RR
R h
A
945 . 0
2
=
V
A
Impedancia de Entrada:
i
i
i
Z
V
Z =
LCK nodo B

M M M R
A
R R i
i
VA
i i
VA i i i
i
V
R
V
V
i i A i i
i
A i i
i
i
VA
i
i
A
I
V
R
A
R R
V I
R
A V
R
V
R
V
I
R
V
R
V
R
V
R
V
R
V
I
R
V V
R
V
I
I I I
2
994 . 0
2
1
8
1 1 1
2 2 1
2 2 1
2 1 2 2 1
2 1
2 1
1 1
1 1
2 2 1
2
+
=
+
=
|
|
.
|

\
|
+ =
+ =
+ = + =

+ =
+ =
| | MO = 8125 . 7
i
Z
Impedancia de Salida:
'
'
0
0
0
Z
V
Z =

cc
CA
I
V
Z
0
0
=
( )
i CA
A
CA
V
i
V V
V
V
A
V
V
853 . 1
0
0 01
1
= = =
3
'
b fe cc
I h I =
( ) ( ) 1
994 . 0
1
994 . 0

5 5
3
+ +
=
+ +

=
fe
i
fe
i A
b
h R hie
V
h R hie
V V
I
;
( )
( )
Evaluando
RR
h
RR
V
h
V
Z
b
fe
b
i
fe
i
994 . 0
853 . 1
994 . 0
853 . 1
3
3
0
=

=
k Z 999 . 1
0
=