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Semiconductores del Tipo P y del Tipo N

Los semiconductores extrnsecos del tipo N estn formados por tomos de
material semiconductor, Silicio o Germanio, al que se le aade impurezas con
tomos de otro material con 5 electrones de valencia. Como los tomos del
material semiconductor tienen 4 electrones de valencia y los tomos de la
impurezas 5, se pueden formar 4 enlaces covalentes y sobrar un electrn del
tomo de impureza que quedar libre. Este electrn libre ser el portador de
electricidad. En los semiconductores del tipo N los electrones son los portadores
de electricidad. Portadores mayoritarios = electrones.

Los semiconductores extrnsecos del tipo P son material semiconductor a los que
se les aade tomos de impurezas con 3 electrones de valencia.

En este caso cada tomo del material semiconductor solo podr formar 3
enlaces con los tomos de impurezas. Los tomos semiconductores tienen un
hueco esperando a que llegue un electrn para formar el enlace que le faltar. En
este tipo de semiconductores los huecos sern los portadores para la conduccin.
Portadores mayoritarios = huecos.

Tanto el material N como el P son elctricamente neutros por que la cantidad de
protones en total es igual a la cantidad de electrones. Antes de la unin son
neutros, despus, como veremos ms adelante, no.

Unin PN

Se podra pensar que la unin se puede formar simplemente pegando un
material semiconductor N con otro P, pero esto no es as, adems de estar en
contacto, deben tener contacto elctrico.

Bsicamente, producir la unin es lo mismo que intentar mantener la estructura
del material semiconductor P y que contine con la del N y viceversa.

Lgicamente, como ya dijimos antes, la suma de las cargas de los dos cristales,
antes de la unin, tambin ser neutra.

Resumiendo. En la zona N tenemos electrones libres y en la zona P tenemos
huecos en espera de ser rellenados por electrones.


Si ahora los unimos, los electrones del material N que estn ms cerca de la
franja de la unin sern atrados por los huecos de la zona P que estn tambin
ms cerca de la unin. Estos electrones pasarn a rellenar los huecos ms
cercanos a la franja de unin.

Un tomo de impureza de la zona P, que era neutro, ahora tiene un electrn
ms llegado de la zona N para formar enlace en el hueco que tena. Este tomo
de impureza ahora quedar cargado negativamente (un electrn ms) y ser un
anin.

As mismo un tomo de impureza de la zona N quedar cargado positivamente
por que se le ha ido un electrn y ser un catin.

Esto provoca que en la franja de la unin PN tengamos por un lado carga
negativa y por el otro positiva. Negativa en la zona P, que antes de la unin era
neutra y positiva en la zona N, que antes tambin era neutra. Esta franja con
cationes y aniones se llama regin de agotamiento.

Llega un momento que un nuevo electrn de la zona N intente pasar a la zona P y
se encontrar con la carga negativa de la regin de agotamiento en P, que le
impedir el paso (cargas iguales se repelen). En este momento se acabar la
recombinacin electrn-hueco y no habr ms conduccin elctrica.

Adems la zona N que antes era neutra ahora tendr carga positiva, ya que han
se han ido de ella electrones, y la zona P, que antes tambin era neutra, ahora ser
negativa, ya que ha recogido los electrones que abandonaron la otra zona. La unin
PN deja de ser elctricamente neutra.

An as la parte N, fuera de la regin de agotamiento, seguir teniendo
electrones libres que no formaron enlaces con tomos de semiconductor puro y la
parte P seguir teniendo huecos. Por eso en la imagen anterior ves el signo menos
en la zona N como el ms abundante y el signo + en la P como ms abundante.
OJO en la regin de agotamiento habr cationes y aniones y entre N y P habr una
diferencia de potencial (d.d.p.) o tensin ya que la unin ahora ya no es
elctricamente neutra.

Ahora podemos imaginar el conjunto de la unin PN como una pila de unos 0,3V
o 0,6V dependiendo si el semiconductor puro son tomos de germanio o silicio
respectivamente. Esta supuesta "pila" tendr su carga positiva en la zona N y la
carga negativa en la zona P. A esta unin ya la podemos llamar diodo, que es como
se conoce en electrnica.

Pero....Qu necesitaremos para que ms electrones de la zona N puedan pasar
a la zona P? Pues necesitaremos suministrarles energa suficiente para que
atraviesen la regin de agotamiento, es decir energa para que sean capaces de
saltar esa barrera o superar la tensin producida, de lo contrario no habr
conduccin. Vamos a suministrar esta energa conectando la unin o el diodo a
una fuente de energa, por ejemplo una pila.
Si quieres saber ms sobre la unin PN visita este enlace>>>
http://www.areatecnologia.com/electronica/union-pn.html