Tema7 - Transistores Bipolares

INTRODUCCIN
Son dispositivos de estado slido (semiconductores)

Tienen tres terminales: Emisor, base y colector
Estn compuestos por dos uniones PN yuxtapuestas que se
interrelacionan entre s.
Son la base de muchos circuitos de conmutacin y de
procesado de seal.
Los amplificadores operacionales y otros C.I. pueden
contener varias decenas de transistores, cada uno de ellos
con misiones diferentes:
Implementar fuentes de corriente constante
Generar tensiones de referencia
Amplificar seales en modo diferencial y reducir la ganancia en modo comn
Implementar etapas de salida, etc....
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Tema 7.- Transistores
INTRODUCCIN (continuacin)
En Electrnica de Potencia pueden funcionar como
interruptores de potencia, conmutando corrientes elevadas a
elevadas frecuencias y tensiones.
En Electrnica digital forman parte de muchos
dispositivos lgicos integrados.
Se denominan bipolares porque su funcionamiento
depende del flujo de dos tipos de portadores de carga:
electrones y huecos.
Tambin se suelen denominar B.J.T. De las siglas en
ingls Bipolar Juntion Transistor
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Tipos y modelos del transistor bipolar

Existen dos tipos de transistores bipolares segn su estructura:
Transistores bipolares NPN
Transistores bipolares PNP
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Tipos y modelos del transistor bipolar (cont)
NPN
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PNP
Tipos y modelos del transistor bipolar (cont)
NPN
PNP
Los sentidos de las flechas del terminal de emisor, y de las

corrientes, indican el sentido real de las mismas cuando el
transistor est polarizado en la R.A.N o en saturacin.
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Modelo de Ebers-Moll para el transistor bipolar

NPN
El modelo muestra al transistor NPN como dos diodos conectados por los nodos, con
dos fuentes de corriente dependientes en paralelo con cada uno de los diodos, que
modelizan el efecto de las inter-acciones que tienen lugar debido a la configuracin
monocristal.
Existen dos uniones:
La unin base-emisor, cuya corriente la denominamos: iDE
La unin base-colector, cuya corriente la denominamos: iDC
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NPN (Cont)
La fuente de corriente dependiente F iDE representa el efecto de la corriente a
travs de la unin base-emisor sobre la corriente de colector (efecto Transistor).
La fuente de corriente dependiente R iDC representa el efecto de la corriente a travs
de la unin base-colector base sobre la corriente de emisor (efecto dual al anterior).
El circuito no es simtrico, ya que F tiene unos valores comprendidos entre 0,99 y
0,997 para transistores utilizados en aplicaciones analgicas y digitales.,
mientras que R es considerablemente menor que 1. Su valor est comprendido
entre 0,05 y 0,5.
En Electrnica Fsica, se puede demostrar la siguiente relacin, denominada
LEY DE RECIPROCIDAD:
F IES= R ICS=IS
Donde: IES= Corriente inversa de saturacin de la unin base-emisor
Y
ICS= Corriente inversa de saturacin de la unin base-colector.
De donde se deduce que
I S I SE y que I CS I ES
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NPN (Cont)
Del modelo de Ebers-Moll y de la Ley de Reciprocidad, se
pueden deducir fcilmente las dos ecuaciones no lineales
siguientes :
v
I v
BC
BE
iC I S e VT 1 S e VT 1
IS
iE
F
v BE
VT
1 I S e
v BC
VT
iC f1 vBE , vBC
Es decir:
iE f 2 vBE ,vBC
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NPN (Cont)
Del modelo de Ebers-Moll y de la Ley de Reciprocidad, se
pueden deducir fcilmente las dos ecuaciones no lineales
siguientes :
v
I v
BC
BE
iC I S e VT 1 S e VT 1
IS
iE
F
v BE
VT
1 I S e
v BC
VT
iC f1 vBE , vBC
Es decir:
iE f 2 vBE ,vBC
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NPN (Cont)
iC I S
iE
v BC
I S VT
e 1
e 1
R
vVBC
vVBE
e T 1 I S e T 1
v BE
VT
IS
F
Estas dos ecuaciones definen a un primer nivel ,sin efectos

secundarios, el modelo del transistor bipolar NPN, y
corresponde a un sistema de dos ecuaciones con cuatro
incgnitas.
La otras dos ecuaciones vendrn impuesta por el circuito
exterior, y correspondern a las ecuaciones de polarizacin.
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10

NPN (Cont)
El conjunto de las ecuaciones de Ebers-Moll, junto con las
ecuaciones de polarizacin de continua (impuestas por el
circuito de polarizacin exterior, darn lugar al rgimen de
corrientes y tensiones que se establezcan en los terminales del
dispositivo, denominado punto de operacin del transistor.
El modelo de Ebers Moll es un modelo poco manejable, pero
vlido en cualquier circunstancia, siempre que no entren e
ruptura ninguna de las uniones.
Segn como estn polarizadas las uniones, pueden encontrarse
modelos basados en el anterior, pero mas sencillos y
manejables.
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Regiones de Polarizacin de un transistor bipolar

Existen cuatro posibles regiones, segn como estn polarizadas
las uniones base- emisor y base-colector
APLICACIN
REGIN DE
POLARIZACIN
POLARIZACIN DE LAS UNIONES

UNIN
BASE-EMISOR
UNIN
BASE-COLECTOR
INVERSA
Funcionamiento
como amplificador
REGIN ACTIVA
DIRECTA
DIRECTA.
(No se utiliza)
REGIN ACTIVA
INVERSA
INVERSA
DIRECTA
Func. como
conmutador (off)
REGIN DE
CORTE
INVERSA
VBE V
INVERSA
Func. como
conmutador (on)
REGIN DE
SATURACIN
DIRECTA
V V
DIRECTA
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VBE V
VBE V
BE
VBC V
VBC V
VBC V
VBC V
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Modelos simplificados segn la regin de

polarizacin
Regin Activa Normal (R.A. Directa)
La unin base-emisor polarizada
directamente y la unin base-colector
polarizada inversamente.
De las ecuaciones de Ebers-Moll se
v
deduce : vV I S vV
V
iC I S e
I
iE S
F
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BE
T
v BE
VT
1
R
BC
T
1 I S e
v BC
VT
v BE
VT
I
1 I S e T S I S e
v BE
v BE
I
I
1 S e VT I S S e VT
F
F
BE
13
Modelos simplificados segn la regin de

polarizacin .- R.A.D. (R.A.N.)
Regin Activa Normal (R.A. Directa)
VBE V
iC I S e
IS
iE
F
iC
Por tanto: i F
E
Se deduce que:
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v BE
VT
IS
v BE
VT
VBC V
v BC
VT
1 I S e
v BC
VT
v BE
v BE
I
1 I S e VT S I S e VT
v BE
v BE
I
I
1 S e VT I S S e VT
F
F
y teniendo en cuenta que:iC+iB=iE :

iC
F
F
iB 1 F
14
Modelo simplificado del BJT en la R.A.N.
Por tanto, podemos decir que en la R.A.N. .el transistor bipolar

equivale al siguiente circuito:
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15

(CONT)
0,7
0,7
0,2
0,2
(a)Reginactiva
Es decir: vBE=VBEQ iC= iB

Por tanto el transistor funciona como un
amplificador de corriente
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(CONT)
La figura d) representa un BJT NPN, en el lmite de la

R.A.N
La figura f) representa la exponencial que relaciona iC con
vBE cuya expresin viene dada (pag14) por:
iC I S e
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v BE
VT
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(CONT)
En la R.A.N, se verifica que:
iC I S e
v BE
VT
Esta expresin es muy importante, ya que para transistores

idnticos y a la misma temperatura, si tienen la misma tensin
base-emisor, tendrn la misma corriente de colector.
(Esta propiedad se emplea mucho en C.integrados, para implementar fuentes de corriente constante )
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Modelo simplificado del BJT en la

Regin de Saturacin
La unin base-emisor polarizada directamente y la unin
base-colector polarizada tambin directamente.
VBE V
VBC V
0,2
0,7
0,2
0,7
(b)Regindesaturacin
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Modelo simplificado del BJT en la

Regin de saturacin (Cont)
La unin base-emisor polarizada directamente y la unin
base-colector polarizada tambin directamente.
VBC V
VBE V
En el lmite de la regin de saturacin a la R.A.N., vBE vale
aproximadamente 0,7 voltios, y vBC= tensin umbral=0,5
voltios, por lo que VCE valdr 0,2 voltios, por eso se modela
la tensin VCE como una fuente de tensin constante de 0,2
voltios, aunque puede ser menor.
La tensin VBE en saturacin, debido a que la corriente de
base suele ser bastante elevada, puede llegar a ser de 0,8
voltios en transistores de baja potencia
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Modelo simplificado en la regin de corte

La unin base-emisor polarizada inversamente y la unin basecolector polarizada tambin inversamente.
VBC V
VBE V
En transistores de Si, a temperaturas no muy elevadas, I B=IC=0
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Modelo simplificado en la regin de corte (Cont)

La unin base-emisor polarizada inversamente y la unin basecolector polarizada tambin inversamente.
VBC V
VBE V
Un modelo de mayor exactitud, de las ecuaciones de Ebers Moll, es no despreciar
los trminos en IS
IS
iC I S
R
IS
iE
IS
F
Un parmetro que suelen dar los fabricantes es ICB0 , (corriente de circulacin inversa
entre colector y base , con el emisor abierto.
Se deduce fcilmente que :
I
I
(Parmetro muy dependiente de la
I CB 0 S S
R F
temperatura)
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Modelo simplificado en la regin activa inversa

La unin base-emisor polarizada inversamente y la unin basecolector polarizada directamente.
VBC V
VBE V
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Modelo simplificado en la regin activa inversa

(Cont)
VBE V
VBC V
En funcionamiento activo inverso los papeles
de emisor y colector se invierten, respecto a la
regin activa directa.
R
La corriente de emisor es R iB, donde: R
1 R
El sentido real de las corrientes iE e iC es ahora
el contrario del indicado en la figura (b)
Como R es mucho menor que F, la ganancia en esta regin es muy

pequea, y no tiene ninguna utilidad trabajar en ella.
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Ejemplo de anlisis del P.O. De un transistor
(a)Circuitoreal
(b)Circuitoequivalente
suponiendofuncionamiento
enlaregindecorte
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(c)Circuitoequivalente
enlaregindesaturacin
(d)Circuitoequivalente
enlareginactiva
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Aplicaciones del transistor

Polarizado en la Regin activa directa: Funcionamiento
aproximadamente lineal.
Amplificadores de tensin, de corriente ,fuentes de
corriente, adaptacin de impedancias, cargas activas...
Empleo masivo en circuitos integrados lineales y no lineales
Polarizado en corte o en saturacin:
Funcionamiento como conmutador de alta frecuencia y de
potencia.
Actualmente la utilizacin del transistor bipolar discreto est
prcticamente limitada a etapas de salida y como conmutador
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26
Polarizacin del transistor.

Ecuaciones de polarizacin. Recta de carga
Para que el transistor funcione en alguna de las regiones, es
necesario polarizarlo mediante una red externa de continua.
El transistor es un dispositivo de tres terminales.
Para definir su estado, o lo que es lo mismo, las corrientes y
tensiones existentes en el dispositivo, debemos conocer seis
variables:
IB, IC, IE, VBE,VBC, y VCE.
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27

Ecuaciones de polarizacin.(Cont)
De las seis variables, IB, IC, IE, VBE,VBC, y VCE, nada mas son
independientes 4, ya que por las leyes de Kirchof,
IB+IC=IE
VBC+VCE=VBE
Tomaremos normalmente las variables IB, IC,VBE y VCE
Por tanto necesitamos cuatro ecuaciones para resolver las
corrientes y tensiones en el transistor.
Dos ecuaciones nos las proporciona el modelo del dispositivo.
Las otras dos ecuaciones nos las proporcionar la red de
polarizacin externa
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28

La red de polarizacin externa es de continua.
Las dos ecuaciones que impone la red de polarizacin en
continua se denominan:
ECUACIONES DE POLARIZACIN
En Rgimen de tensiones y corrientes constantes, en ausencia de
seales, el circuito estar compuesto exclusivamente por:
Fuentes de tensin continuas y constantes.
Fuentes de corriente continuas y constantes.
Resistencias
Las capacidades las podremos considerar C.A. Y las autoinducciones C.C.
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29
Cualquier circuito externo de polarizacin en continua, lo
podemos reducir a otro totalmente equivalente compuesto
por tres resistencias y dos fuentes de tensin constantes, en
una generalizacin del Teorema de Thvenin aplicado a
triterminales:
VBE=EBE-RBIB-REIE
VCE=ECE-RCIC-REIE
Pero: IB+IC=IE
Por tanto:
VBE = EBE - (RB+RE) IB - RE IC
VCE = ECE RE IB - (RC+RE) IC
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30
Estas son las dos ecuaciones de
polarizacin:
[1] VBE = EBE - (RB+RE) IB - RE IC
[2] VCE = ECE RE IB - (RC+RE) IC
La ecuacin [1] corresponde a la portada de entrada
La ecuacin [2] corresponde a la portada de salida
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31
OBSERVACIONES :
Las ecuaciones de polarizacin se han desarrollado sin tener en
cuenta para nada las caractersticas del dispositivo de tres
terminales, y por tanto son aplicables a cualquier elemento de
tres terminales, sin mas que cambiar los subndices empleados.
En general, B=1, C=2, E=3.
Las ecuaciones de polarizacin solo dependen de la

red de polarizacin externa
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32
Las ecuaciones [1] y [2] pueden ponerse en forma matricial:
VBE E BE RB RE
V E
RE
CE CE
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IB
RC RE I C
RE
33
Recta de carga esttica

[2] VCE = ECE -
RE IB - (RC+RE) IC
Si en el circuito de polarizacin normalizado, RE=0, entonces las

ecuaciones de polarizacin se reducen a :
[2] VBE = EBE - (RB) IB

[3] VCE = ECE - (RC) IC
Entonces la ecuacin [2] puede representarse en el plano I B-VBE y es
la denominada recta esttica de la portada de entrada.
Entonces la ecuacin [3] puede representarse en el plano I C-VCE y es
la denominada recta esttica de la portada de salida.
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34
Recta de carga esttica (Cont)
La interseccin de la R.E.C. de la entrada, con la caracterstica corriente tensin

de la unin base- emisor, es el Punto de operacin del diodo base-emisor. I BQ,ICQ
La interseccin de la R.E.C. de la salida, con las curvas caractersticas de salida
del transistor, es el Punto de operacin de la portada de salida: I CQ, VCEQ
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35
Punto de operacin del transistor bipolar en la

Regin Activa Directa
Si suponemos que el transistor est en la R.A.D.:
vBE=VBEQ=0,7 v. (Si, NPN), y IC= IB, que junto con las
ecuaciones de polarizacin, su resolucin, nos dar el P.O.
[1] VBEQ = EBE - (RB+RE) IBQ - RE ICQ

[2] VCEQ= ECE -
RE IBQ - (RC+RE) ICQ
Sustituyendo IBQ por ICQ/, y agrupando trminos:
I CQ
EBE VBEQ
RB
1
RE 1
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VCEQ ECE
1
RC RE 1
I CQ
36

Regin Activa Directa (Cont)
I CQ
EBE VBEQ
RB
1
RE 1
VCEQ ECE
1
RC RE 1
I CQ 2
El Punto de operacin, tanto de la portada de entrada como de

la portada de salida queda por tanto definido.
VBE=VBEQ. (0,6 a 0,7 voltios en transistores bipolares de Si.
IC=ICQ, viene dado por la expresin [1]
VCE=VCEQ, viene dado por la expresin [2], en funcin de I CQ
IB=IBQ=ICQ/
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37

I CQ
EBE VBEQ
RB
1
RE 1
VCEQ ECE
1
RC RE 1
I CQ 2
CONSIDERACIONES IMPORTANTES:
El valor de beta es fuertemente dependiente de la temperatura.
En transistores discretos tiene una dispersin en su valor muy importante,
incluso para transistores del mismo tipo y a igual temperatura.
Para las aplicaciones del B.J.T. en la R.A.D., es necesario garantizar la
estabilidad del P.O. en lo referente a la portada de salida (I CQ y VCEQ )
Es necesario garantizar la estabilidad y reproductibilidad de I CQ y de VCEQ
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38

I CQ
EBE VBEQ
RB
1
RE 1
VCEQ ECE
1
RC RE 1
I CQ 2
Para garantizar un valor de ICQ constante, y que se pueda reproducir y conseguir

que no vare, deber hacerse independiente de beta, con una beta mnima lo
suficientemente elevada ya que sta es muy variable, y por tanto el diseo de la red
de polarizacin deber se tal que cumpla:
RB
1
RE 1 RE
( si 1 )
En el diseo, se puede aplicar la relacin 1/10 1/20, segn el error admisible

RE 10..( 20 )
RB
mnima
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I CQ
EBE VBEQ
RB
1
RE 1
VCEQ ECE
1
RC RE 1
RB
1
RE 1 RE
I CQ 2
( si 1 )
Si garantizamos ICQ constante, VCEQ tambin ser constante, siempre que beta>>1
Para garantizar ICQ constante, tambin es necesario que E BE>> VBEQ, ya que as las
pequeas variaciones de VBEQ no afectarn de forma importante.
IMPORTANTE: El valor de VCEQ resultante debe ser mayor de 0,2 voltios (Si, NPN),
si no, la hiptesis de R.A.D. no es cierta, y habr que realizar el anlisis
suponindolo en la Regin de Saturacin
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40
EL TRANSISTOR PNP POLARIZADO EN LA R.A.N.
a) Estructura bsica de un transistor PNP polarizado en la R.A.N

b) Esquema de un transitor PNP polarizado en la R.A.N. (sentido real de las corrientes)
c) Modelo de Ebers-Moll del transistor bipolar PNP (sentido real de las corrientes)
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41
EL TRANSISTOR PNP POLARIZADO EN LA R.A.N. (cont)
Tambin se pueden suponer los sentidos de las corrientes igual que en el transistor NPN,
y obtener resultados totalmente vlidos, con la salvedad, que las corrientes
resultantes en la R.A.N. serin negativas.
15-11-06
42

Los transistores PNP pueden polarizarse exactamente igual que los transistores NPN:
R.A.N.
VEB> V VBE<- V
R.A.N.
VCB< V VBC > - V
VBEQ=-0,7 voltios (Si)

ICQ=F IBQ
R.CORTE VEB< V VBE>- V

R.CORTE VCB< V VBC > - V
ICQ IBQ 0
REGIN
VEB> V VBE<- V
VBEQ= -0,8 voltios (Si)
SATURA.
VCB>V VBC < - V
VCEQ= -0,2 voltios (Si)
15-11-06
43

EJEMPLO:
Para que la unin base-emisor est polarizada

directamente, EBE debe ser menor que -0,5 v.,
prcticamente, menor que -0,7 voltios
Para que el transistor est polarizado en la
R.A.N., ECE debe ser negativa.
En la R.A.N. , con los sentidos indicados de las
corrientes::
IB<0, Ic<0, IE<0
VBEQ<0 (-0,7 voltios (Si)), VCEQ<-0,2 voltios
15-11-06
44
ANLISIS SIMPLIFICADO DE TRANSITORES:

HIPTESIS DE INFINITA
Si el transistor se encuentra en la R.A.N, y

tiene un valor de F suficientemente elevado,
ICQ IEQ, y en determinadas ocasiones, la
corriente de base se puede despreciar, frente
a la corriente de colector, a efectos del cculo
del punto de operacin
HIPTESIS DE TRABAJO:
1)VBE=VBEQ (+0,6 v. (NPN Si) -0,6 v. (PNP Si) )
2) IB=0, ICQ IEQ
15-11-06
45

HIPTESIS DE INFINITA (cont)
HIPTESIS DE TRABAJO:
1)VBE=VBEQ (+0,6 v. (NPN Si) -0,6 v. (PNP Si) )
2) IB=0, ICQ IEQ
PRECAUCIONES AL EMPLEAR ESTA HIPTESIS:
El transistor debe estar en en la R.A.N

La F debe ser lo suficientemente alta.
La topologa del circuito debe ser compatible

con la hiptesis de trabajo
15-11-06
46

La topologa del circuito debe ser compatible con la hiptesis de
trabajo; Ejemplo de circuito en el que no se puede aplicar la
hiptesis de infinita:
15-11-06
47

Ejemplo de circuito que se puede resolver con la hiptesis de

infinita
15-11-06
48
ANLISIS DE CIRCUITOS CON NIVELES DE

CORRIENTES BAJOS
Cuando asumimos que VBEQ=0,7 voltios,suponemos tcitamente que la
corriente a travs de emisor es de varios miliamperios., suposicin vlida en
la mayora de los casos.
La suposicin falla cuando se trabaja con niveles de corrientes muy bajos.
En estos casos, el modelo que mas se aproxima a la realidad, es el que
presenta a transistor como una fuente de corriente no lineal, gobernada por
la tensin base-emisor:
iC I S e
v BE
VT
Una observacin: En la R.A.N.,Transistores idnticos a igual temperatura, e

igual tensin base-emisor, tienen la misma corriente de colector
15-11-06
49
ANLISIS DEL P.O. CUANDO EL TRANSISTOR EST EN

LA REGIN DE SATURACIN
Las dos ecuaciones de polarizacin, junto con el modelo
simplificado del transistor bipolar, en la regin de saturacin,
dan lugar a un sistema de cuatro ecuaciones con cuatro
incgnitas:

[2] VCE= ECE RE IB- (RC+RE) IC
que junto con:
VBE= VBES y VCE=VCES
Darn lugar a encontrar IBQ, e ICQ
Nota: en saturacin IBQ > ICQ /F
Es necesario comprobar que se cumple
desigualdad,
15-11-06
Tema 7.-esta
Transistores
50
ANLISIS DEL P.O. CUANDO EL TRANSISTOR EST EN

LA REGIN DE SATURACIN
VBE = EBE - (RB+RE) IB - RE IC

VCE= ECE RE IB- (RC+RE) IC
VBE= VBES y VCE=VCES
Darn lugar a encontrar IBQ, e ICQ
Nota: en saturacin IBQ > ICQ /F
Es necesario comprobar que se cumple
esta desigualdad,
15-11-06
51
Principios de diseo de Circuitos de Polarizacin

El objetivo fundamental de la polarizacin de un
transistor es tener un punto de operacin
adecuado para que el transistor funcione en la
R.A.N., si se desea que funcione como
amplificador.
15-11-06
52
Principios de diseo de Circuitos de Polarizacin

(Continuacin)
Si el P.O. est muy cerca del eje de abcisas significa
que est prximo a la regin de corte
Si el P.O. est muy cerca de eje de ordenadas, significa
que est prximo a la regin de saturacin.
15-11-06
53
Principios de diseo de Circuitos de Polarizacin (Cont.)

Al superponer una seal variable a la corriente de base, el P.O. se
desplazar por la recta dinmica de carga
Si el objetivo que perseguimos es obtener la mxima excursin
simtrica posible, el P.O. deber estar ubicado en la mitad de la
recta dinmica de carga.
Si el objetivo perseguido es tener un consumo bajo en reposo, el
P.O. deber fijarse cerca del eje de abcisas (ICQ pequea)
15-11-06
54
ib iB I BQ
ic iC I CQ
vbe vBE VBEQ

vce vCE VCEQ
Determinacin grfica de las componentes de seal vbe, ib, y vce, cuando se superpone
una componente de seal vi a la tensin VBB de polarizacin.
15-11-06
55
Concepto de recta esttica de carga y

Recta dinmica de carga
La recta de carga esttica viene definida por la ecuacin de
polarizacin de la portada de salida.
La recta de carga dinmica viene definida por la relacin que
impone el circuito exterior entre la componente alterna de la
corriente de colector y la componente alterna de la tensin
colector-emisor.(Circuito equivalente de alterna)
15-11-06
56
R.E.C. (si:IC~IE )
Vcc ( RL RE ) I C VCE
Si C2 es un cortocircuito para la c.a.:

R.D.C. :
(Recta Dinmica de Carga)
15-11-06
0 ( RL ic vce )
57
C.F.D.=R.D.C.
(Camino de funcionamiento dinmico )
El C.F.D es una recta que pasa por el P.O y en este caso tiene mayor
Pendiente
Al superponer la c.a. , el P.O se desplazar a travs del C.F.D.
15-11-06
58
Diseo Del P.O. Para Fijarlo En La Mitad De La R.D.C.

R.D.C. Referida a los ejes centrados en Q:
vce
ic
0
RL
Donde RL es la resistencia equivalente del circuito de alterna
Pero ic=iC-ICQ , y
15-11-06
vce=vCE-VCEQ
59
Diseo Del P.O. Para Fijarlo En La Mitad De La R.D.C.

(Continuacin)
La ecuacin de la R.D.C. , Referida a los ejes principales es:
iC I CQ
1
vCE VCEQ
RL
Para obtener la mxima excursin simtrica, el P.O debe estar

Situado en la mitad de la recta dinmica de carga
15-11-06
60
Diseo del P.O. Para fijarlo en la mitad de la

R.D.C. (Continuacin)
La ordenada en el origen es (para vCE=0) :
iCmx
1
VCEQ
I CQ
RL
Si deseamos que la excursin mxima del P.O sea simtrica:

ICMx debe ser igual a 2 ICQ , y por tanto se debe de cumplir:
I CQ
VCEQ
RL
Que es la condicin de diseo buscada para obtener

la mxima excusin simtrica del P.O.
15-11-06
61
EJEMPLOS
15-11-06
62
Potencia disipada en un Transistor

La potencia instantnea absorbida o entregada por un transistor, al
igual que en cualquier otro dispositivo tri-terminal, ser:
p(t ) vCE (t ) iC (t ) vBE (t ) iB (t )

Normalmente la potencia de la portada de entrada es despreciable
frente a la potencia de la portada de salida.
El valor medio de la potencia ser:
1
p(t )
T
t T
(v
t
CE
1
p (t )
T
15-11-06
(t ) iC (t ) vBE (t ) iB (t ) dt
t T
(v
t
CE
(t ) iC (t ) dt
63
Potencia disipada en un Transistor (Cont)

1
p (t )
T
t T
(v
CE
(t ) iC (t ) dt
Donde si estamos en la R.A.N: iC=ic+ICQ , y

Sustituyendo y operando:
1
p (t ) I CQ VCEQ
T
Pero:
vce (t )
RL
ic (t )
Por tanto:
15-11-06
t T
(v
t
ce
vCE=vce+VCEQ
(t ) ic (t ) dt
(Resistencia dinmica de carga)
1 1
p (t ) I CQ VCEQ
RL T
(v
t T
2
ce
(t ) dt
64
Potencia disipada en un Transistor (Cont)

1 1
p(t ) I CQ VCEQ
RL T
(v
t T
2
ce
(t ) dt
Valor eficaz al cuadrado
O bien:
1
p (t ) I CQ VCEQ RL
T
(i (t ) dt
t T
2
c
Donde :ICQ VCEQ es la potencia disipada en ausencia de seal (En reposo)

CONCLUSIN IMPORTANTE:
La potencia disipada por un transistor en la R.A.N
es mxima en ausencia de seal
15-11-06
65
Amplificadores con Transistores

Principios de anlisis en pequea seal
Introduccin:
Concepto de linealizacin de un dispositivo no lineal
Condiciones para la aplicacin de un modelo linealizado
Dependencia de los parmetros lineales
con el P.O del dispositivo
Concepto de seal incremental pequea seal
15-11-06
66
Modelo Incremental Del BJT
El transistor bipolar, es un dispositivo triterminal no lineal

Trabajando en la R.A.N.su modelo aproximado es:
(npn)
(pnp)
Donde las variables de tensiones y corrientes son las totales

(Componente continua + componente alterna)
15-11-06
67
Modelo incremental del BJT (Cont)
El circuito equivalente a efectos solamente de la componente alterna

de pequea seal de la unin base-emisor polarizada directamente
es una resistencia r:
la resistencia dinmica del diodo Base-emisor,
que es fuertemente dependiente del P.O., es decir de la corriente de base
La fuente de corriente, a efectos de la componente variable,
seguir teniendo el mismo modelo y el mismo signo
15-11-06
68
Modelo incremental del BJT (Cont)

Es decir, siempre que se cumpla que la excursin de P.O.,
es lo suficientemente pequea, como para considerar que r
permanece constante, el modelo incremental de alterna
para el transistor bipolar ideal,ya sea npn o pnp ser:
1
iB (t )
r vBE (t ) Punto Q
r
vT
v
T
I BQ
I CQ
Ideal= sin considerar efectos secundarios

Transistor previamente polarizado en un P.O.,dentro de la R.A.N
15-11-06
69
Modelos Incrementales Hbridos En Pi

Un modelo alternativo al empleo de la fuente de corriente
dependiente de la corriente incremental de base ,es sustituirla por:
una fuente de corriente dependiente de la tensin incremental
base-emisor
15-11-06
70
Modelos Incrementales Hbridos En Pi
Los dos modelos alternativos que podemos emplear

en el anlisis de circuitos incrementales con transistores ideales:
v=vbe
15-11-06
71
Modelo Incremental Del Transistor Bipolar

Considerando Efectos Secundarios
Efecto Early, Resistencia de salida
Efecto de realimentacin interna de la salida a la entrada
Efecto de las resistencias de los bloques de base, colector y emisor
Efecto de las capacidades de las uniones(de difusin y de deplexin)
Efecto de capacidades parsitas
Efecto de la temperatura en los valores de los parmetros
15-11-06
72
Efecto Early, Resistencia de salida
La ganancia F depende tambin del valor de VCE, segn la expresin:
ic vCE , iB 1
15-11-06
vCE
VA
i
F
73
Efecto Early, Resistencia de salida (cont)
ic vCE , iB 1
vCE
VA
i
F
Fue Early el que estudiando este efecto, observ y comprob que todas las
caractersticas de salida en la R.A.N, tendan a converger en un punto del eje
de abcisas , -VA
En el circuito incremental equivalente, el citado efecto se modela por una
resistencia en paralelo con la fuente de corriente
iC
1
ro vCE
15-11-06
VCEQ , I CQ
I CQ
VA
I BQ
ro
VA
VA
I CQ
74
Efecto de realimentacin interna

de la salida a la entrada
vce recoge el efecto de la realimentacin interna de salida a
entrada.
vA
ro
I CQ
15-11-06
75
Resistencia de base, colector y emisor
rb= Resistencia de difusin de base (resistencia del bloque de base),

relativamente elevada. Valor tpico 100 ohmios.
rc = Resistencia de colector. Valores tpicos entre 10 y 100 ohmios. (en
transistores de baja potencia).
Re= Resistencia de emisor, que es sensiblemente mas baja, (1 ohmio)
15-11-06
76
Modelo esttico SPICE,

incluidos efectos secundarios
15-11-06
77
Modelo Incremental Del Transistor Bipolar Considerando Efectos Secundarios

(Cont)
Efecto de realimentacin interna de la salida a la entrada

Una alternativa al empleo de la fuente dependiente ( vce),
es la utilizacin de una resistencia r entre base y colector
15-11-06
78
Capacidades parsitas
Al igual que vimos en los diodos, en las dos uniones del
transistor bipolar, aparecen los mismos fenmenos de
acumulacin de cargas, las llamadas capacidades de
difusin y de deplexin, predominando la de difusin en
las uniones que estn polarizadas directamente, y la de
deplexin en las que las uniones estn polarizadas
inversamente .
El concepto de capacidades incrementales de difusin y
de deplexin es perfectamente aplicable aqu.
15-11-06
79
Modelo dinmico del transistor bipolar
El circuito de la figura es el
modelo dinmico del transistor
bipolar, donde aparece tambin la
capacidad de deplexin entre
colector y sustrato en circuitos
integrados.
15-11-06
80
Modelo de alta frecuencia del transistor bipolar

rb resistencia del bloque de base
r efecto de realimentacin interna (normalmente despreciable)
c Capacidad incremental de difusin
(La unin base-emisor polarizada directamente)
c Capacidad incremental de deplexin .
(La unin base-colector polarizada inversamente)
r
rb
15-11-06
81
Variacin de las parmetros con la temperatura
La tensin de la unin base-emisor polarizada directamente, tal como

vimos en diodos, disminuye a razn de -2mV/C,
La caractersticas de salida aumentan su separacin, y se desplazana hacia
arriba, debido al incremento de la temperatura, segn la expresin:
T
T TR
TR
15-11-06
XTB
XTB es una constante denominada

exponente de temperatura
(con XTR 1,7 se duplica de 27 a 175C)
82
Funcionamiento del transistor

como interruptor esttico
Con la seal vc(t), el transistor, idealmente pasa de saturacin a corte instantneamente.

Debido a los efectos de acumulacin de cargas, el proceso de conmutacin en el
transistor, tiene parecidas caractersticas que el de conmutacin de diodos, limitando la
velocidad de conmutacin, y por tanto la frecuencia til de trabajo, en funcin de las
caractersticas dinmicas del transistor.
En el proceso de conmutacin dinmica de un transistor, existe una prdida de energa,
que habr que limitar a valores admisibles.
15-11-06
83
Conmutacin dinmica del transistor bipolar
En la figura se aprecia como la tensin a la salida no cambia instantneamente,

siguiendo a la seal de control, debido a los efectos de las capacidades de difusin
y deplexin. (consulte bibliografa (pag 267 Malik)
15-11-06
84
Modelo dinmico SPICE del transistor bipolar
15-11-06
85
Introduccin a la Teora de Cuadripolos y Triterminales Lineales

La linealizacin de dispositivos no lineales de tres terminales, es un proceso de aproximacin
del modelo no lineal ,
a un modelo lineal, truncando los correspondientes desarrollos en serie de Taylor a partir de los
trminos de 2 Orden
Aunque el proceso es vlido para cualquier dispositivo de tres terminales, vamos a
particularizarlo para el transistor bipolar
vBE f 5 iB , vCE f 5 I BQ , VCEQ

iC f 6 iB , vCE f 6 I BQ , VCEQ
Donde:
f 5 I BQ , VCEQ VBEQ
f 5 iB , vCE I ,V iB
f 5 iB , vCE I ,V vCE ...
BQ CEQ
BQ CEQ
iB
vCE
f 6 iB , vCE I ,V iB
f 6 iB , vCE I ,V vCE ...
BQ CEQ
BQ CEQ
iB
vCE
vbe vBE VBEQ

ic iC I CQ
f 6 I BQ , VCEQ I CQ
15-11-06
86
Introduccin a la Teora de Cuadripolos y Triterminales (Cont)

Llamando:
f 5 iB , vCE I ,V hie
BQ CEQ
iB
f 6 iB , vCE I ,V
h fe
BQ CEQ
iB
f 5 iB , vCE I ,V hre
BQ CEQ
vCE
f 6 iB , vCE I ,V hoe
BQ CEQ
vCE
vbe hie ib hre vce

ic h fe ib hoe vce
Donde los hje son los denominados:
Parmetros incrementales hbridos h referidos a emisor comn
15-11-06
87
Introduccin a la Teora de Cuadripolos y Triterminales (Cont)
vbe hie ib hre vce

ic h fe ib hoe vce
De estas ecuaciones lineales, podemos
deducir el circuito incremental equivalente:
vbe
hie
ib
h fe
15-11-06
ic
ib
hre
vce 0
vce 0
vbe
vce
ic
hoe
vce
ib 0
ib 0
88
Parmetros incrementales Hbridos h
vbe
hie
ib
h fe
15-11-06
ic
ib
hre
vce 0
vce 0
vbe
vce
ic
hoe
vce
ib 0
ib 0
89
Condiciones que debe de cumplir la seal aplicada para

poder emplear el circuito incremental equivalente del B.J.T:
Lmite inferior:La seal mnima que se podr aplicar ,

depende del ruido elctrico inherente al circuito
Lmite superior:La seal mxima aplicada, depende de
la mxima distorsin admisible
En teora, se demuestra que : vbe
(vase bibliografa)
vT
Donde vT es la tensin trmica

a 27C, vbe debe ser menor o igual que 5 mv.!
15-11-06
90
Transistores conectados como diodos
Ya que:
r
gm
gm
I CQ
VT
Por tanto: Un transistor conectado como diodo (uniendo

base con colector),equivale incrementalmente a una
resistencia de valor :
1
1
r
gm gm
15-11-06
91
CIRCUITOS EQUIVALENTES EN PEQUEA SEAL

Una vez polarizado el transistor en un P.O. en la R.A.N., el siguiente
paso es superponer una seal variable,aplicndola en un punto del
circuito, y extraer la respuesta en algn otro punto, sin que el
acoplamiento de la fuente se seal modifique el punto de operacin
del transistor cuando la fuente de seal es nula.
Tambin, en el acoplamiento de la seal de salida de una etapa , a la
entrada de otra etapa, no se puede alterar el P.O. de los transistores,
si la seal variable de entrada es nula.
El acoplamiento de las seales, y el de etapas, puede realizarse de
dos formas: Circuitos de acoplamiento directo, y circuitos de
acoplamiento a travs de capacidades
15-11-06
92

CIRCUITOS DE ACOPLAMIENTO DIRECTO
En la mayora de los integrados, el acoplamiento de las seales, y
entre etapas es directo.
Los circuitos de polarizacin deben disearse adecuadamente para
que dicho acoplamiento no altere sensiblemente el P.O. de los
transistores en ausencia de seal, (vs=0) (cortocircuito).
Adems, en ausencia de seal, interesa normalmente que la
tensin de salida sea tambin nula. Si el acoplamiento es directo, la
nica posibilidad es emplear alimentaciones dobles y/o fuentes de
corriente constantes.
15-11-06
93

CIRCUITOS DE ACOPLAMIENTO DIRECTO (CONT)
En la figura a) vemos como al cerrar en interruptor, an cuando la
seal sea nula, el punto de operacin del transistor se altera.
En la figura b), una alternativa poco prctica, superponer a la
fuente de seal un nivel de continua igual a VBQ
15-11-06
94

CIRCUITOS DE ACOPLAMIENTO DIRECTO (CONT)
VENTAJAS E INCONVENIENTES DE LOS CIRCUITOS CON
ACOPLAMIENTO DIRECTO:
VENTAJAS: Pueden procesar seales que varen muy lentamente,
amplificando tanto niveles de continua como de alterna.
Hay muchas magnitudes fsicas en el entorno industrial, cuyas
variaciones son muy lentas, como por ejemplo, temperatura, presin ,
deformaciones, humedad relativa, velocidad del viento, luminosidad
ambiental,
INCONVENIENTES: Cualquier desviacin del P.O. De alguno de los
transistores del circuito, afecta a la salida en mayor o menor grado,
provocando tensiones de desplazamiento a la salida en ausencia de seal.
15-11-06
95

CIRCUITOS CON ACOPLAMIENTO CAPACITIVO
C1 es un condensador de acoplo de la seal de entrada a la base del transistor

C2 es un condensador de desacoplo de la componente alterna, para conseguir mas
ganancia
C3 es un condensador de acoplo de la seal variable de salida a la carga
15-11-06
96

CIRCUITOS CON ACOPLAMIENTO CAPACITIVO (CONT)
Al ser las capacidades circuitos abiertos para la
componente continua, los puntos de operacin no
se ven afectados.
Normalmente las capacidades se disean para que a
las frecuencias de trabajo se puedan considerar
cortocircuitos
El procedimiento de anlisis y diseo de las mismas
es sencillo, aplicado anlisis frecuencial en mdulo
y argumento
El mayor inconveniente del empleo de capacidades es que la

frecuencia inferior de corte viene limitada por stas, no pudindose
emplear si se desea procesar seales de muy baja frecuencia o que
varen muy lentamente
15-11-06
97
PROCEDIMIENTO DE ANLISIS DE CIRCUITOS

CON TRANSISTORES EN PEQUEA SEAL
ANLISIS DEL CIRCUITO DE POLARIZACIN:
1) Anular las fuentes de seal; dejar las fuentes de polarizacin de
continua, ya sea de tensin o de corriente
2) Sustituir los condensadores por circuitos abiertos, y las
autoinducciones por cortocircuitos (salvo su resistencia interna).
3) Utilizar el modelo de gran seal del transistor
4) Hallar el P.O. De cada transistor, utilizando las ecuaciones de
polarizacin, y el modelo del transistor de gran seal en la R.A.N..
En muchos casos el proceso se simplificar mucho utilizando la
hiptesis de infinito.
15-11-06
98
PROCEDIMIENTO DE ANLISIS DE CIRCUITOS

CON TRANSISTORES EN PEQUEA SEAL
MODELO DE PEQUEA SEAL:
5) De los datos del punto de operacin de cada transistor, as como de
las caractersticas suministradas por los fabricantes, calcular los
parmetros incrementales de los transistores.
ANLISIS EN PEQUEA SEAL (SEAL INCREMENTAL)
6) Anular las fuentes de polarizacin (fuentes ideales de tensin
constantes cortocircuitos, fuentes ideales de corriente constante
circuito abierto). En el caso de no ser ideales habr que considerar su
correspondientes resistencias equivalentes en alterna.
15-11-06
99
ANLISIS DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

EN PEQUEA SEAL (cont)
ANLISIS EN PEQUEA SEAL (SEAL INCREMENTAL)
7) Sustituir los condensadores de acoplo y desacoplo por
cortocircuitos,(si se han diseado para ello)
8) Sustituir los transistores por su modelo de pequea seal.
9) Aplicar la seal de entrada , y analizar su respuesta en la salida.
Evaluando en cada caso lo que interese:
Impedancias de entrada
Ganancia en tensin
Ganancia en corriente
Ganancia en potencia
Impedancia de salida
15-11-06
100
AMPLIFICADORES BSICOS CON

TRANSISTORES BIPOLARES
De los tres terminales del transistor, normalmente se emplear
uno como referencia, comn a la entrada y a la salida.
La seal de entrada se aplicar a uno de terminales, mediante el
acoplamiento correspondiente (directo , capacitivo...), y se
obtendr la respuesta en el terminal restante
Dependiendo del terminal de referencia que se emplee, el
amplificador bsico se denominar
En emisor comn, entrada por base, salida por colector
En colector comn. Entrada por base, salida por emisor
En base comn, entrada por emisor, salida por colector
15-11-06
101
AMPLIFICADORES BSICOS CON

TRANSISTORES BIPOLARES (CONT)
De los tres terminales del transistor, normalmente se emplear
uno como referencia, comn a la entrada y a la salida.
La seal de entrada se aplicar a uno de terminales, mediante el
acoplamiento correspondiente (directo , capacitivo...), y se
obtendr la respuesta en el terminal restante
Dependiendo del terminal de referencia que se emplee, el
amplificador bsico se denominar
En emisor comn, entrada por base, salida por colector
En colector comn. Entrada por base, salida por emisor
En base comn, entrada por emisor, salida por colector
15-11-06
102
AMPLIFICADOR EN EMISOR COMN
a) Circuito completo
15-11-06
b) Circuito equivalente en alterna
103
El amplificador en emisor comn(Cont)
r in rp r
vo ( RC RL ) g m v RC RL g m
Ro
15-11-06
v prueba
i prueba
vi 0
R p r
R p r R i
vi
RC
104
El amplificador en emisor comn(Cont) Efecto de la

resistencia de emisor
15-11-06
105
ETAPA AMPLIFICADORA EN BASE COMN
Circuito completo
15-11-06
106
ETAPA AMPLIFICADORA EN BASE COMN (cont)
Si consideramos ro infinita, es fcil demostrar las siguientes expresiones:

(se propone como ejercicio las demostraciones)
15-11-06
107
ETAPA EN COLECTOR COMN
15-11-06
108
ETAPA EN COLECTOR COMN (CONT)
15-11-06
109
RESUMEN DE CONFIGURACIONES
(Consulte apuntes manuscritos)
15-11-06
110

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