PROGRAMA PROFESIONAL DE INGENIERA

MECNICA-ELCTRICA Y MECATRNICA

MATERIALES
SEMICONDUCTORES

MATERIALES ELECTRNICOS
Los materiales electrnicos se pueden clasificar
dependiendo
de
la
magnitud
de
su
conductividad elctrica en:
(a) Superconductores
(b) Conductores normales
(c) Semiconductores
(d) Materiales dielctricos o aislantes

MATERIALES
SEMICONDUCTORES
Gran parte de los avances en la sociedad

de
la informacin se han debido al desarrollo de
los semiconductores
Prcticamente podramos decir que vivimos
en
una
sociedad
basada
en
los
semiconductores. En casi en todas las
actividades humanas se hace uso de los
semiconductores, principalmente dentro de los
circuitos integrados
El estudio de los semiconductores es
fundamental para el entendimiento de los

Conduccin Elctrica
La corriente elctrica es debida al arrastre de
electrones en presencia de un campo E

El flujo de corriente depende de:

La Intensidad del campo elctrico
Cantidad (concentracin) de electrones libres en
el material
Movilidad de los electrones en ese material

Elementos
semiconductores
Grupo

Electrone
s de
valencia

Cd

II B

Al, Ga, B,
In

III A

Si, C, Ge

IV A

P, As, Sb

VA

Se, Te

VI A

Elemento

QU
ES
SEMICONDUCTOR?

UN

Elemento que se comporta como

conductor
o
como
aislante
dependiendo de las condiciones en
las que se encuentre.
El numero de electrones libres de un
semiconductor
depende de los
siguientes
factores:
Calor,
luz,
campos elctricos y magneticos.

Conduccin Elctrica

Para que la conduccin de la electricidad sea

posible es necesario que haya electrones que
no estn ligados a un enlace determinado
(banda de valencia), sino que sean capaces
de desplazarse por el cristal (banda de
conduccin). La separacin entre la banda de
valencia y la de conduccin se llama banda
prohibida, porque en ella no puede haber
portadores de corriente. As podemos
considerar tres situaciones:

Los metales, en los que ambas bandas de

energa se superponen, son conductores.
Los aislantes (o insuladores), en los que la
diferencia existente entre las bandas de

Conduccin Elctrica
Los semiconductores, en los que el salto de
energa es pequeo, del orden de 1 eV, por
lo que suministrando energa pueden
conducir la electricidad; pero adems, su
conductividad puede regularse, puesto que
bastar disminuir la energa aportada para
que sea menor el nmero de electrones que
salte a la banda de conduccin; cosa que no
puede hacerse con los metales, cuya
conductividad
es
constante,
o
ms
propiamente,
poco
variable
con
la
El electronvoltio, abreviado como eV, es una unidad de
temperatura
energa equivalente a la energa cintica que adquiere un
electrn al ser acelerado por una diferencia de potencial en
el vaco de 1 voltio

Semiconductores

Un semiconductor es una sustancia que se

comporta como conductor o como aislante
dependiendo
de
la
temperatura
del
ambiente en el que se encuentre. Los
elementos qumicos semiconductores de la
tabla peridica se indican en la tabla
siguiente

El elemento semiconductor ms usado es el

silicio, aunque idntico comportamiento
presentan las combinaciones de elementos
de los grupos II y III con los de los grupos VI
y V respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl,
TeCd, SeCd y SCd). De un tiempo a esta
parte se ha comenzado a emplear tambin el
azufre. La caracterstica comn a todos ellos
es que son tetravalentes, teniendo el silicio

Semiconductores
Electrones
Elemento

Grupo

en
la ltima
capa

Cd

II A

2 e-

Al, Ga, B, In

III A

3 e-

Si, Ge

IV A

4 e-

P, As, Sb

VA

5 e-

Se, Te, (S)

VI A

6 e-

Teora de bandas
En fsica de estado slido, es
una teora segn la cual se
describe
la
estructura
electrnica de un material como
una
estructura
de
bandas
electrnicas - o simplemente
estructura de bandas de energa

Bandas de Energa

La banda de valencia: est ocupada por los

electrones de valencia de los tomos, es
decir,
aquellos
electrones
que
se
encuentran en la ltima capa o nivel
energtico de los tomos. Los electrones
de valencia son los que forman los enlaces
entre los tomos, pero no intervienen en la
conduccin elctrica
La banda de conduccin: est ocupada por
los electrones libres, es decir, aquellos que
se
han la
desligado
tomos y
y pueden
Entre
banda de
desus
valencia
la de
moverse
fcilmente.
Estos
electrones
son
conduccin
existe una
zona
denominada
los
responsables
conducir
la corriente
banda
prohibida ode
gap,
que separa
ambas
elctrica
bandas y en la cual no pueden encontrarse
los electrones

Bandas de Energa

CONDUCTORES, AISLANTES Y
SEMICONDUCTORES

El electronvoltio, abreviado como eV, es una unidad de energa

equivalente a la energa cintica que adquiere un electrn al ser
acelerado por una diferencia de potencial en el vaco de 1 voltio

METALES, SEMICONDUCTORES Y
AISLADORES

TIPOS DE
SEMICONDUCTORES

S E M IC O N D U C T O R E S
IN T R N S E C O S

E X T R N S E C O S

TIPOS DE
SEMICONDUCTORES

Una de las propiedades ms importantes de

los semiconductores es la cantidad de
portadores como funcin de la temperatura.
El modelo de las 2 corrientes es el usado
para describir los portadores, donde los
electrones exitados son los que conducen
cargas negativas y los huecos transportan
carga positiva. As que las cantidades
importantes a determinar son la cantidad de
portadores en la banda de conduccin ( nc )
y la cantidad de portadores en la banda de
valencia ( pv )

TIPOS DE
SEMICONDUCTORES

Dependiendo de la relacin entre la

cantidad de portadores en cada banda
podremos
clasificar
a
los
semiconductores. As es como si la
cantidad de portadores (huecos) en la
banda de valencia es igual a la cantidad
de
portadores
de
la
banda
de
conduccin (electrones) tendremos lo
que
se
llama
un
semiconductor
intrnseco (nc = pv). Si en cambio la
relacin cambia se dice que es un
semiconductor extrnseco

TIPOS DE
SEMICONDUCTORES

El caso intrnseco se da en cristales puros,

donde la densidad de carga es despreciable.
Las bandas de conduccin solo pueden ser
ocupadas por electrones que abandonaron la
banda de valencia, dejando una vacancia, o
sea un hueco. De esta manera la cantidad de
cada
tipo
de
portador
esta
siempre
balanceada

El caso extrnseco, por el contrario, tiene

exceso ya sea de electrones o huecos. Esto se
debe que el cristal puro se encuentra
"contaminado o dopado con un tomo de
otro tipo que puede agregar un donor
(electrn) o un aceptor (hueco), esto pasa

Semiconductores
Los
semiconduct
ores tienen
valencia 4,
esto es 4
electrones
en rbita
exterior de
valencia. Los
conductores
tienen 1
electrn de
valencia, los
semiconduct
ores 4 y los
aislantes 8
electrones
de valencia

Semiconductor Intrnseco
El aumento de la
temperatura
hace que los
tomos en un
cristal de silicio
vibren dentro de
l, a mayor
temperatura
mayor ser la
vibracin. Con lo
que un electrn
se puede liberar
de su rbita, lo
que deja un
hueco, que intrnsecos
a su
Los semiconductores
vez atraer
son materiales
que nootro
dependen
electrn,
etc...
de las impurezas
para
lograr sus
conductividades, sino mas bien su
conductividad depende de su
pureza y la temperatura

SEMICONDUCTORES

Fotoconduccin. Un fotn (esto

es, energa luminosa) impulsa al
electrn a efectuar el salto de
energa, produciendo un par
"electrn de conduccin + hueco de
valencia", formando portadores de
valencia. La recombinacin ocurre
cuando el electrn regresa a su
banda de valencia.

Luminiscencia. Cada milisegundo,

una fraccin de los electrones
energizados hacia la banda de
conduccin regresan a la banda de
valencia. Cuando el electrn cae
efectuando el salto, la energa
puede ser liberada como un fotn.

Bandas de Energa en un Semiconductor

Intrnseco
BC = Banda de
Conduccin
BV = Banda de
Valencia

A 0 K los 4
electrones
de cada
tomo estn
en la Banda
de Valencia

A 300 K (27 C,
temperatura ambiente)
o a mayor temperatura,
algn electrn puede
conseguir suficiente
energa como para pasar
a la Banda de
Conduccin, dejando as

SEMICONDUCTIVIDAD INTRNSECA
CONTRA TEMPERATURA

A temperatura ambiente (20 C) el promedio

de energa de los electrones de valencia es
de 0,025 eV.
Esta energa promedio se
incrementa en forma proporcional a la
temperatura absoluta, K. Todava ms
importante con energas anormalmente ms
altas se incrementa marcadamente

La manera ms sencilla de obtener el

intervalo de energa , Eg,
de un
semiconductor es midiendo su conductividad
a dos diferentes temperaturas
y,
resolviendo luego la ecuacin:

SEMICONDUCTIVIDAD INTRNSECA
CONTRA TEMPERATURA

De la grfica:

Semiconductividad contra temperatura

(germanio intrnseco: Eg = 0.72 eV).
Este grfico es una lnea recta debido a
que representa la ecuacin de log a contra
1/T

Semiconductores extrnsec

Si a un semiconductor intrnseco, se le aade

un pequeo porcentaje de impurezas, es
decir, elementos trivalentes o pentavalentes,
el semiconductor se denomina extrnseco, y
se dice que est dopado. Evidentemente, las
impurezas debern formar parte de la
estructura
cristalina
sustituyendo
al
correspondiente tomo de silicio

Los
semiconductores
extrnsecos
dependiendo de los tomos de impurezas
aadidas se clasifican en semiconductores
extrnsecos tipo N
y semiconductores
extrnsecos tipo P, los primeros tienen una

SEMICONDUCTOR
EXTRNSECO TIPO N
Impurezas
de valencia
5
(Arsnico,
Antimonio,
Fsforo)

A estas
impureza
s se les
llama
"Impurez
as
Donadora
Los tomo de valencia 5 tienen un electrn de ms,
as con una
s"
temperatura no muy elevada (a temperatura ambiente
por
ejemplo), el 5 electrn se hace electrn libre. Esto es, como solo
se pueden tener 8 electrones en la rbita de valencia, el tomo
pentavalente suelta un electrn que ser libre

Bandas de Energa en un
Semiconductor tipo N

Tenemos muy pocos tomos de impurezas (+5) en

comparacin con los tomos normales de Silicio (+4)
Como se impurifica muy poco,los tomos de +5 estn muy
alejados y no se influyen entre si, pudiendo tener electrones
de tomos diferentes la misma energa y por lo tanto estn
todos al mismo nivel. Esa energa que tienen se llama
"Energa del tomo Donador" (ED)
En cuanto se le de una pequea energa los electrones suben
a la BC y se convierten en libres

SEMICONDUCTOR
EXTRNSECO TIPO N
Al material tipo
N se le
denomina
tambin
donador de
electrones

En este caso se dopa el material con tomos de valencia

5, como son Fsforo (P), Arsnico (As) o Antimonio (Sb).
Al introducirlos, fuerzo al quinto electrn de este tomo
a vagar por el material semiconductor, pues no
encuentra un lugar estable en el que situarse. Al
conjunto de estos electrones se les llama electrones
mayoritarios

SEMICONDUCTOR
EXTRNSECO TIPO N

SEMICONDUCTOR
EXTRNSECO TIPO P
Impurezas
de valencia
3 (Aluminio,
Boro, Galio).

A estas
impurezas
se les
llama
"Impurezas
Aceptoras"
Los tomo de valencia 3 tienen un electrn de menos,
entonces como nos falta un electrn tenemos un hueco.
Esto es, ese tomo trivalente tiene 7 electrones en la
orbita de valencia. Al tomo de valencia 3 se le llama
"tomo trivalente" o "Aceptor"

Bandas de Energa en un
Semiconductor tipo P

En este caso las impurezas son tomos de +3, y como en

el caso anterior hay muy pocos y estn muy alejados por
lo que los electrones de tomos diferentes estn al mismo
nivel energtico. Esa energa es la "Energa del tomo
Aceptor" (EA)
A 300 K o ms, el electrn cercano a EA sube desde la BV
y deja un hueco en la BV mientras que la EA se llena de

SEMICONDUCTOR
EXTRNSECO TIPO P

Al material tipo P se
le
denomina donador de
huecos (o aceptador
de electrones)

En este caso se dopa el material semiconductor con tomos

de valencia 3, como son Boro (B), Galio (Ga) o Indio (In). Si
se introduce este tomo en el material, queda un hueco
donde debera ir un electrn. Este hueco se mueve
fcilmente por la estructura como si fuese un portador de
carga positiva. En este caso, los huecos son portadores

SEMICONDUCTOR
EXTRNSECO TIPO P

SEMICONDUCTOR
EXTRNSECO TIPO P

La figura muestra como los huecos conducen la corriente a

travs de una pieza de silicio tipo P. La pieza se somete a un
campo elctrico por la conexin de una diferencia de voltaje en
sus extremos. los millones de huecos en el cristal dopado

Resumen
Los semiconductores
tipo N tienen exceso de
portadores de carga
negativos (electrones)
y los semiconductores
tipo P tienen exceso de
portadores de carga

PRODUCCIN DE
SEMICONDUCTORES
Dos mtodos para obtener Si cristalino
a) Mtodo de Czochraiski
b) Mtodo de Zona flotante

63

PROCESO TPICO DE LA PRODUCCIN DE

SEMICONDUCTORES

PROCESO TPICO DE LA PRODUCCIN DE

SEMICONDUCTORES

Los procesos de fabricacin de los semiconductores

comprenden una serie de pasos complejos, que parten
de la definicin de la geometra que cada dispositivo,
preferentemente transistores de tipo MOS (MetalOxido-Semiconductor), debe poseer

Estos dispositivos tienen que definirse sobre la

superficie activa de unas obleas de silicio (formas
circulares de poco espesor), donde por medio de
procesos fotolitogrficos se transfieren los patrones
dibujados sobre unos masters denominados mscaras
a las citadas obleas. Cada patrn transferido, se
imprime sobre resinas fotosensibles, que tras la
exposicin a luz ultravioleta se endurecen o disuelven,
protegiendo o exponiendo partes de la superficie de la
oblea a diferentes tratamientos, como son la
impurificacin con material de tipo n o p, la oxidacin,

PROCESO TPICO DE LA PRODUCCIN DE

SEMICONDUCTORES

Estos procesos se llevan a cabo utilizando reactivos de

alta pureza, as como maquinaria y manipuladores muy
precisos y costosos. Muchos de los tratamientos se
realizan a altas temperaturas en hornos especiales, como
el que se muestra en la Figura, para la oxidacin de las
obleas

Una vez las obleas han sido convenientemente tratadas,

son divididas en dados de pequeo tamao denominados
chips, la superficie de los cuales puede ir desde unos cm2
a pocos mm2. Estos dados se montan sobre una superficie
base, se conectan con hilo de oro a los terminales de
conexin externa (pines) y se encapsulan para su
distribucin.

El diodo
Una
unin
P-N
polarizada
externamente es capaz de conducir
solamente en un sentido, tiene
propiedades
rectificadoras
y
se
conoce como diodo

El diodo

El diodo es un componente electrnico que consiste

simplemente en la unin de dos cristales semiconductores
extrnsecos, uno tipo N y otro tipo P. Al unirlos, parte del
exceso de electrones del tipo N pasa al cristal tipo P, y
parte de los huecos del tipo P pasan al cristal tipo P.
Crendose en la unin una franja llamada zona de
transicin que tiene un campo elctrico que se comporta
como una barrera que se opone al paso de ms electrones

El transistor

El transistor es un dispositivo electrnico

semiconductor que cumple funciones de
amplificador,
oscilador,
conmutador
o
rectificador. Inventado en los Laboratorios
Bell (EEUU, 1947) por Bardee-BrattainShockley (Nobel, 1956)
El transistor es un dispositivo electrnico
de estado slido capaz de amplificar
seales y constituye la pieza clave de toda
la Electrnica Analgica.
El transistor de unin o bipolar (BJT,
bijunction transistor) es un dispositivo
formado por tres bloques de semiconductor
(normalmente de silicio).

El transistor

El bloque central es muy estrecho y recibe

el nombre de base (B). Los dos bloques, a
izquierda y derecha de la base, reciben el
nombre de
emisor (E) y colector (C),
respectivamente
El emisor tiene ms impurezas (de tipo P)
que la base (tipo N), y sta ms que el
colector (tipo P)
No se trata, por consiguiente, de un
dispositivo simtrico y las zonas de
agotamiento no tienen la misma anchura en
cada unin debido a esta diferencia de
concentracin de impurezas entre los
bloques

El transistor

Aplicaciones de los transisto

Circuito Integrado (CI) o c

Un circuito integrado (CI) o chip, es una
pastilla muy delgada en la que se encuentra
una enorme cantidad (del orden de miles o
millones) de dispositivos microelectrnicos
interconectados, principalmente diodos y
transistores,
adems
de
componentes
pasivos como resistencias o condensadores.
Su rea es de tamao reducido, del orden de
un cm o inferior.

Los dispositivos integrados pueden ser tanto analgicos

como digitales, aunque todos tienen como base un material
semiconductor, normalmente el silicio

Circuito Integrado (CI) o c

Circuito Integrado (CI) o ch