Semiconductores y unin p-n

Electrnica I

Contenido

Conduccin en aislantes y metales

Conduccin en semiconductores intrnsecos
Semiconductores dopados
Difusin de huecos y electrones
La unin p-n en equilibrio
El diodo de unin
Modelos de diodo de gran seal
Modelo esttico SPICE para el diodo

Corriente elctrica
La corriente elctrica es la rapidez con que fluye la
carga a travs de un superficie en un conductor.
I prom

dQ
dt

+
+

+
+
A

Velocidad de arrastre
Movimiento en zigzag del electrn en un conductor.
Los cambios de direccin se deben a choques entre el
electrn y los tomos en el conductor
vd

vd = 0
E

Modelo microscpico de la corriente

n densidad de portadores de
carga.

x
vd
q
x = vdt

vd velocidad arrastre
t intervalo de tiempo

Q = nqAvdt = nmero de portadores en una

seccin de longitud x.
La corriente es:

I prom

nqvd A
t

Ejemplo
Un alambre de calibre 12 de seccin transversal 3.31x106
conduce una corriente de 10 A, cul es la rapidez de arrastre
de los electrones? La densidad del cobre es de 8.95 g/cm3.
El volumen ocupado por un mol de cobre de 63.5 g es:
V = m/ = 63.5/8.95 = 7.09 cm3
La densidad de portadores es:
n = NA/V = 6.02x1023/7.09 = 8.49x1028 elec/m3
vd = I/nqA
= 10/((8.49x1028)(1.6x1019) (3.31x106)) = 2.2x104 m/s

Ley de Ohm
La densidad de corriente a travs de un
conductor es:

J = I/A = nqvd
Para muchos materiales se cumple que
J = E
Donde es la conductividad del material.
La diferencia de potencial entre a y b es:
Vab = E l
De aqu:
J = E = V/l => I/A = V/l
V = I l / A = RI con R = l / A

A
Vb
E

Va

Definimos la
resistividad como el
recproco de la
conductividad
= 1/

Conduccin en aislantes y
metales
n movilidad de los
electrones
conductividad
I = n q A n E = n q A n V/d

Resistividad para diferentes

materiales
Los valores de la resistividad nos permiten clasificar los
materiales como conductores, semiconductores y aislantes
Conductor

semiconductor aislante

= 106 Ohm/m

= 50 Ohm/m

= 1012 Ohm/m

Cobre

Germanio

mica

= 50000 Ohm/m
Silicio

Estructura de un semiconductor
Los cuatro electrones de la capa exterior se comparten entre los
tomos vecinos.

Enlaces
covalentes

tomos de Si
o Ge

Estructura de un
cristal de Si o Ge

Teora de bandas
Niveles de energa de la
capa 3s de 6 tomos de
sodio que se acercan

Niveles de energa de la
capa 3s cuando un gran
nmero de tomos de sodio
se juntan en un slido.

Energa

Energa

Energa

Niveles de energa de la
capa 3s de 2 tomos de
sodio que se acercan

Estructura de bandas
Los niveles de energa de los electrones de los tomos de un cristal
se separan en bandas de energa debido al principio de exclusin de
Pauli.

Eg energa de desdoblamiento. Es la energa necesaria para llevar un electrn de

la banda de valencia a la banda de conduccin.

Eg

Eg 10 eV

Eg = 1.1 eV (Si)
Eg = 0.67 eV (Ge)
Eg = 1.41 eV (ArGa)

Eg = 0

Semiconductor intrnseco
A temperatura ambiente algunos de los enlaces covalentes se rompen y producen
electrones libres y huecos que contribuyen a la conduccin.
Electrn libre

Banda de conduccin

Enlace covalente
roto
Huecos
Banda de valencia

Electrn libre

Corriente en un semiconductor
Cuando se aplica un campo elctrico a un semiconductor intrnseco, se
produce una corriente formada por dos componentes: corriente de electrones
en contra del campo n corriente de huecos a favor del campo.

I = q A p p E + q A n n E = q A (p p + n n )E
Donde p es la densidad de huecos, n la densidad de electrones, p es la
movilidad de huecos y n es la movilidad de electrones.
A temperatura ambiente n = 1012 para Si y 109 para Ge.
Banda de conduccin

Banda de valencia

Impurezas donadoras

Electrones libres
Nivel de energa del
donador
Eg = 0.05 Si
= 0.01 Ge

Electrn de valencia del

antimonio

Impurezas aceptoras

Nivel de energa del

donador
Eg = 0.05 Si
= 0.01 Ge
Huecos libres

Enlace (hueco) no
completado por el tomo
de B, Ga, In

Semiconductores dopados
Bandas en semiconductores intrnsecos y dopados:

Los portadores mayoritarios son los portadores que estn en exceso en un

semiconductor dopado. En los semiconductores tipo n son mayoritarios los
electrones y en los tipo p los huecos. Los portadores en defecto se llamas
portadores minoritarios.

Propiedades de Si y Ge

Tiempo de vida de portadores

minoritarios
Los fotones de energa luminosa alteran el equilibrio produciendo
nuevos pares electrn-hueco. Si R >> RL el divisor de tensin hace que:
vo(t) = RL /( RL + R) V ~ RL /R V = RL V A / L q[p p(t)+ n n(t))]
Durante el pulso la concentracin de portadores aumenta
disminuyendo R y aumentando la tensin de salida V sobre el valor
de equilibrio V1, la constante p es el tiempo de vida de los portadores
minoritarios y depende del material.

Corriente de difusin
Siempre que hay una diferencia de concentracin de algn material, se
produce una corriente de difusin de la zona de alta concentracin hacia la
zona de baja concentracin.
La corriente sigue la ley de Fick:

dp
J p qD p
dx
dp
J n qDn
dx

Relacin de Einstein:
Dp

Dn
kT

VT
p n
q

Longitud de difusin
p x Pn 0 pe

x Lp

Dopado no uniforme
Debido a la deferencia de concentracin de portadores debe existir una
corriente de difusin en el material, por lo tanto debe existir una corriente de
arrastre (y un campo elctrico) que equilibre la corriente de difusin.
p1

V1

>

p2

V2

Unin p-n
Al unir una regin tipo p con otra tipo n, se produce una igualacin del
nivel de Fermi.
Esto implica que la banda de conduccin del lado p se encuentre en un
nivel ms alto respecto a la del lado n.
Banda de conduccin
Tipo P

Banda de conduccin
Tipo N

Tipo P

Tipo N
Nivel de Fermi

Nivel de Fermi

Nivel de Fermi

Banda de valencia

Nivel de Fermi
Banda de valencia

Unin p-n en equilibrio

Los huecos del lado p se difunden a travs de la unin hacia el lado n y lo
mismo pasa con los electrones del lado n hacia el lado p.
Los electrones difundidos del lado p se combinan con los tomos aceptores
formando una regin de tomos cargados negativamente y los huecos que se
difunden del lado n se combinan con los tomos donadores formando una
regin de tomos cargados positivamente.
El proceso se interrumpe cuando el potencial formado por las dos regiones
cargadas es suficiente para impedir el flujo de ms cargas elctricas.

+
+
+
+

Regin de agotamiento

El ancho de la regin de
agotamiento depende de las
concentraciones Nd y Na.

Nd
xp
xn
Na

Variacin de Q, E y V en la zona de
agotamiento

Concentracin de huecos y
electrones
La concentracin de huecos y electrones en el diodo de unin se muestra en la
siguiente figura. Se suponen Na > Nd.

Potencial de barrera y
concentracin de carga
Corriente de difusin:
Corriente de desplazamiento:
Igualando:
Resolviendo se obtiene:
p Es
dp

dx
p
Dp

ln

p E s xn
p p0 D
p

ln p

p
p0

V
VT

dp x

I diff x AJ p x A qD p
dx

I dr x A E x Aq p p x E x

Dp

dp x
p p x E x
dx

ni2 V j 0 VT
p
e
Nd

con p 0 ni2 N a
y n Na

Polarizacin inversa
Consideremos un diodo pn polarizado como se muestra.
La polarizacin jala a los huecos y a los electrones alejndolos de la
unin incrementando el ancho de la regin de agotamiento.
Se produce una pequea corriente de huecos provenientes del lado n y
electrones de lado p llamada Corriente Inversa de Saturacin.

Polarizacin directa
Consideremos un diodo pn polarizado como se muestra.
La polarizacin empuja a los huecos y a los electrones acercndolos a la
unin disminuyendo el ancho de la regin de agotamiento.
Se produce una corriente de huecos provenientes del lado p y electrones
de lado n. Los huecos insertados en el lado n forman una corriente de
difusin de portadores minoritarios
p

Corriente de portadores minoritarios

en el diodo polarizado directamente
Se puede demostrar que la
corriente de huecos inyectada al
lado n es:

I pn 0

n
V

AqD p pn 0 V VT
e
1
Lp

Similarmente para electrones

AqDn nn 0 V VT
I np 0
e
1
Ln

NA > ND

corriente
I
Ipn(0)
Ipn(x)

Inp(x)

Inp(0)
distancia

Corrientes de portadores
mayoritarios
Adems de la corriente de portadores minoritarios en cada seccin del diodo,
deben existir corrientes de arrastre de portadores mayoritarios Ipp y Inn.

La corriente total que circula por

un diodo p-n polarizado esta dada
por:

I I o eV VT 1

NA > ND

corriente
I
Inn

Ipp

Ipn
Inp
distancia

Caracterstica corriente voltaje del

diodo
La corriente del diodo real en funcin del voltaje esta dada por:

I I o eV VT 1
Donde es 1 para Ge y 2 para Si.

Voltaje de corte V
El voltaje de corte se define donde la curva exponencial de corriente
comienza a subir.
V para Si es 0.7 y 0.2 para Ge

Caractersticas logartmicas

Dependencia de la temperatura
La corriente inversa de saturacin I0 se duplica cada 10C, o sea
I0(T) = I012(t t1)/10

Resistencia esttica
La resistencia esttica se define como el cociente del voltaje del diodo entre la
corriente para un valor fijo de voltaje
RD = VD/ID

Resistencia dinmica
La resistencia dinmica se define como la razn de un cambio de voltaje a
la variacin en corriente para un punto de operacin Q.

Vd
rD
I d

ejemplo
De la figura para el caso de arriba
ID = 30 20 =10 mA
VD = 0.8 0.78 = 0.02
rd = 0.02/0.010 = 2
para el caso de abajo
ID = 4 0 = 4 mA
VD = 0.76 0.65 = 0.11
rd = 0.11/0.004 = 27.5
Las resistencias estticas son:
RD = 0.79/0.025 = 31.62
RD = 0.7/0.002 = 350

Circuito equivalente lineal

Podemos modelar el comportamiento de un diodo con componentes
lineales de circuito como se muestra.
El diodo se comporta como un circuito abierto para V < V y se comporta
como una resistencia Rf en serie con una fuente V para V > V. Rf es la
resistencia dinmica en regin de corte y depende del punto de operacin
I

V
Pendiente
1/Rf

Si

Ge

0.7

0.3

Circuito equivalente
V

Rf

V
V = 0.7

Diodo ideal

Circuito simplificado e ideal

Si la resistencia Rf es pequea comparada con otro elementos se puede
suponer 0.
Circuito simplificado

Circuito ideal

I
0

V
V = 0.7

Hojas de datos
Las hojas de datos debern especificar:
Voltaje directo VF (a una corriente y temperatura especificadas)
Corriente directa mxima IF (a una corriente y temperatura especificadas)
La corriente inversa de saturacin I0, Is o IR (a una corriente y temperatura
especificadas)
El valor del voltaje inverso PIV, PRV oVBR.
El nivel mximo de disipacin de potencia a una temperatura en particular
Los niveles de capacitancia
El tiempo inverso de recuperacin
El rango de temperatura de operacin

ver p.55 Boylestad

Capacitancias
En la regin de polarizacin inversa se tiene la capacitancia de regin de
transicin o de agotamiento (CT), mientras que en la regin de polarizacin
directa se tienela capacitancia de difusin (CD) o de almacenamiento.

Tiempo de recuperacin inverso

El tiempo de recuperacin inverso
trr es el tiempo que tarda en diodo
en pasar de una polarizacin
directa a una polarizacin inversa
llegando atener una corriente de
saturacin inversa.
trr = ts + tt
Donde ts es el tiempo de
almacenamiento, es decir el tiempo
que se agotan los portadores
minoritarios.
Y tt es el tiempo de transicin en el
que la corriente pasa de
conduccin en sentido inverso a
disminuir la corriente a Is.

Ruptura Zener
Si se aplica un voltaje inverso lo suficientemente alto, se producir un efecto
de avalancha en el que los portadores minoritarios son acelerado y adquieren
suficiente energa para romper ms enlaces covalente y liberar ms portadores
de carga.
Este efecto se produce a un voltaje VZ (voltaje de ruptura Zener). Al voltaje de
ruptura se le conoce como PIV (Peak Inverse voltage)
ID
+ V
D

IZ

VZ

Ejemplo de diodo Zener

Fairchild 1N961
VZ
TC
100%
VZ T1 T0
T0 = 25C
T1 = temperatura de trabajo

Ejemplo
Encuentre el voltaje nominal para el zener anterior para una temperatura de
100C

VZ
TC
100%
VZ T1 T0

VZ

V = 0.072*10*(100 25)/100 = 0.54

VZ = VZ + 0.54 = 10.54

TCVZ T1 T0
100

LED
Cerca de la unin p-n existe un proceso de recombinacin de huecos y
electrones. En este proceso se genera energa trmica o luminosa. En
diodos de Si o Ge la mayor parte es energa trmica, pero en diodos de
fosfuro arseniuro de galio GaArP y fosfuro de galio GaP, se genera
suficiente luz visible.

ID
+

VD

Valores en hojas de datos

Simulacin con SPICE

D1

Nombre nodo1

D1

nodo2

nombre del
diodo

.MODEL

D1

D(IS = 2E-15)

nombre

especificacin de

del modelo

parmetro