Transistor FET

(Field Effect
Transistor)

 Alumno: Jorge Eduardo Real

Salas
M 1459811
Turno : martes m4,m4,m6
M.C. Ovidio Ochoa Ochoa

HISTORIA
El transistor de efecto de campo fue patentado
porJulius Edgar Lilienfelden 1925 y porOskar
Heilen 1934, pero los dispositivos
semiconductores fueron desarrollados en la
prctica mucho despus, en 1947 en los
Laboratorios Bell, cuando el efecto transistor pudo
ser observado y explicado. El equipo detrs de
estos experimentos fue galardonado con el
Premio Nobel de Fsica. Desde 1953 se propuso su
fabricacin porVan Nostrand(5 aos despus de
los BJT). Aunque su fabricacin no fue posible
hasta mediados de los aos 80's ..

 Eltransistor FETes un dispositivo

semiconductor que controla un flujo de corriente
por un canal semiconductor, aplicando uncampo
elctrico perpendicular a la trayectoria de la
corriente.
Eltransistor FETest compuesto de una parte
de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos
regiones con impurezas tipo P llamadas
compuerta (gate) y que estn unidas entre si.

Es un dispositivo electrnico como una resistencia

controlada, es de la familia de los transistores.

Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador

(drain), Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta
(gate) que ya se conoce.
La regin que existe entre el drenador y la fuente y que es el
camino obligado de los electrones se llama "canal". La
corriente circula de Drenaje (D) a Fuente (S).
Aqu se ven las diferentes tipos de terminales que tiene el
dispositivo.

 Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al

transistor bipolar. El terminal de drenaje se polariza
positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y
la compuertao gate se polarizanegativamentecon
respecto a la fuente (-Vgg).
A mayor voltaje -Vgg, ms angosto es el canal y ms
difcil para la corriente pasar del terminal drenador
(drain) al terminal fuente o source. La tensin -Vgg para
la que el canal queda cerrado se llama "punch-off" y es
diferente para cadaFET
El transistor dejunturabipolar es un dispositivo operado
por corriente y requieren quehalla cambios en la
corriente de base paraproducircambios en la corriente
de colector. Eltransistor FETes controlado portensin
y los cambios en tensin de lacompuerta(gate) a
fuente (Vgs) modifican la regin de rarefaccin y causan
que vare el ancho del canal.
Aqu se explica como se polariza el transistor

 Curva caracterstica
del transistor FET

Este grfico muestra que al aumentar el voltaje

Vds (voltaje drenador - fuente), para
unVgs(voltaje decompuerta) fijo, la corriente
aumenta rpidamente (se comporta como una
resistencia) hasta llegar a un punto A (voltaje de
estriccin), desde donde la corriente se mantiene
casiconstantehasta llegar a un punto B (entra en
la regin de disrupcin o ruptura), desde donde la
corriente aumenta rpidamente hasta que el
transistor se destruye.
Aqu se ve el grafico de la curva caracterstica

 Si ahora se repite este grfico para ms de un

voltaje decompuertaasurtidor(Vgs), se obtiene
un conjunto de grficos. Ver queVgses "0" voltios
o es una tensin de valor negativo.
Si Vds se hace cero por el transistor no circular
ninguna corriente. (ver grficos abajo)
Para saber cual es el valor de la corriente se
utiliza la frmula de la curva caracterstica
detransferenciadel FET.

 Ver grfico de la curva caracterstica

detransferenciade untransistor FETde canal
tipo P en el grfico inferior derecha. La frmula es:
ID = IDSS (1 - [Vgs/Vgs(off)] )

donde:
- IDSS es el valor de corriente cuando laVgs= 0
-Vgs(off) es el voltaje cuando ya no haypasode
corriente entre drenaje y fuente (ID = 0)
-Vgses el voltaje entre entre la compuertay la
fuente para la que se desea saber ID

 Resistencia del canal RDS

Como Vgs es el voltaje que controla el paso de la
corriente ID (regula el ancho del canal), se puede
comparar este comportamiento como un resistor
cuyo valor depende del voltaje VDS. Esto es slo
vlido para Vds menor que el voltaje de
estriccin
Entonces si se tiene la curva caracterstica de
untransistorFET, se puede encontrar La
resistencia RDS con la siguiente frmula: RDS =
VDS/ID
Los smbolos delFETson:

Es por eso que se dice que es como un resistor.

 Ventajas del FET

1) Son dispositivos controlados portensincon
unaimpedanciade entrada muy elevada (107a
1012ohmios).
2) LosFETgeneran un nivel de ruido menor que losBJT.
3) LosFETson msestablescon la temperatura que
losBJT.
4) LosFETson ms fciles de fabricar que los BJT pues
precisan menos pasos y permiten integrar ms
dispositivos en un CI.
5) LosFETse comportan comoresistenciascontrolados
por tensin para valores pequeos de tensin drenajefuente.
6) La altaimpedanciade entrada de losFETles permite
retener carga el tiempo suficiente para permitir su
utilizacin como elementos de almacenamiento.
7) LosFETde potencia puedendisiparuna potencia
mayor yconmutarcorrientesgrandes.

 Desventajasque limitan la utilizacin de los

FET
1) LosFETpresentan una respuesta en frecuencia
pobre debido a la alta capacidad de entrada.
2) LosFETpresentan una linealidad muy pobre, y
en general son menos lineales que los BJT.
3) LosFETse pueden daar debido a la
electricidad esttica.
En este apartado se estudiarn brevemente las
caractersticas de ambos dispositivos orientadas
principalmente a susaplicacionesanalgicas.
Enlaces relacionados

 Comparativa de las grficas de funcionamiento (curva

de entrada o caracterstica I-V y curva de salida) de
los diferentes tipos de transistores de efecto de
campo.

Aqu la comparativa de las Graficas del

funcionamientos de los tipos de transistores .

 El canal de un FET esdopadopara producir tanto un

semiconductor tipo N o uno tipo P. El drenador y la
fuente deben estar dopados de manera contraria al
canal en el caso de FETs de modo mejorado, o dopados
de manera similar al canal en el caso de FETs en modo
agotamiento. Los transistores de efecto de campo
tambin son distinguidos por el mtodo de aislamiento
entre el canal y la puerta.
Caractersticas
Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta
(casi 100M).
No tiene un voltaje de unin cuando se utiliza como
conmutador (interruptor).
Hasta cierto punto es inmune a la radiacin.
Es menos ruidoso.
Puede operarse para proporcionar una mayor
estabilidad trmica

 CLASIFICACION
Podemos clasificar los transistores de efecto campo
segn el mtodo de aislamiento entre el canal y la
puerta:
ElMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
Transistor) usa un aislante (normalmente SiO2).
ElJFET(Junction Field-Effect Transistor) usa una
unin p-n
ElMESFET(Metal-Semiconductor Field Effect
Transistor) substituye launin PNdel JFET con una
barrera Schottky.
En elHEMT(High Electron Mobility Transistor),
tambin denominado HFET (heterostructure FET), la
banda de material dopada con "huecos" forma el
aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor.
LosMODFET(Modulation-Doped Field Effect
Transistor)

 CLASIFICACION
LosIGBT(Insulated-gate bipolar transistor) es un
dispositivo para control de potencia. Son
comnmente usados cuando el rango de voltaje
drenaje-fuente est entre los 200 a 3000V. Aun as
losPower MOSFETtodava son los dispositivos
ms utilizados en el rango de tensiones drenajefuente de 1 a 200V.
LosFREDFETes un FET especializado diseado
para otorgar una recuperacin ultra rpida del
transistor.
LosDNAFETes un tipo especializado de FET que
acta comobiosensor, usando una puerta
fabricada de molculas de ADN de una cadena
para detectar cadenas de ADN iguales
. La caracterstica de losTFTque los distingue, es
que hacen uso delsilicio amorfoo delsilicio