Transistores de Unin

Bipolar
(BJT)

Caractersticas:

Es controlado por corriente (de base).

Necesita un voltaje de Base a Emisor (VBE) mnimo de 0.7V (Si es de Silicio).
Puede trabajar como Amplificador o como Conmutador, dependiendo del
punto de operacin.
Su modelo equivalente es el siguiente: (IB = Corriente de Base)

Relacin de Corrientes:
IC = HFE x IB
IE = IC + IB (aprox: IE = IC)
Del modelo anterior se puede deducir que si el voltaje de base a emisor es
menor que 0.7V (VBE<0.7V) entonces no habr corriente por la base y, en
consecuencia, no habr corriente ni por el colector ni por el emisor.
Por lo tanto, es necesario disear circuitos con los cuales se pueda polarizar al
transistor, estos son los llamados Circuitos de Polarizacin.
Existen tres modelos bsicos de polarizacin:
-Por Corriente de Base.
-Por Realimentacin.
-Por Divisor de Tensin.

Polarizacin por Corriente de Base:

Genera
una
mayor
corriente de Colector.
Suele trabajar en la regin
de Saturacin en la recta
de carga.
Es muy inestable para
trabajarlo
como
amplificador.
Es usado en aplicaciones
de Conmutacin.

Polarizacin por Realimentacin:

Sus caractersticas son

similares
a
las
de
corriente de base.
Necesita una resistencia
de base elevada para
poder
trabajar
como
amplificador.
Este
modelo
de
polarizacin
suele
ser
usado
en
transistores
MOSFET.

Polarizacin por Divisor de Tensin:

Genera
una
menor
corriente de colector.
Su corriente de base est
en el orden de los
microamperios.
Es ms sencillo disear en
cuanto
a
valores
resistivos.
Consume menos potencia.
Es ptimo para trabajar
como amplificador.

Anlisis del Modelo H (Divisor de

Tensin):

Anlisis del Modelo H (Divisor de

Tensin):

Anlisis del Modelo H (Divisor de

Tensin):

Anlisis del Modelo H (Divisor de

Tensin):

Aplicando el Teorema de Thevenin, se hace la transformacin siguiente:

Anlisis del Modelo H (Divisor de

Tensin):

Anlisis del Modelo H (Divisor de

Tensin):

Anlisis del Modelo H (Divisor de

Tensin):
Del Circuito Anterior, se tiene dos mallas, una de entrada y otra de salida:
En el circuito de entrada, se tiene:
VBB = IB*RB + VBE + IE*RE
Se conocen los voltajes y las resistencias, as como la relacin de corrientes,
entonces se expresa IB y IE en funcin de IC y del HFE (que tambin se
conoce).
Haciendo uso de la aproximacin: IE = IC, queda la siguiente ecuacin:
VBB = IC*(RB/HFE + RE) + VBE
En esta ltima ecuacin, solo IC es desconocido, HFE depende del transistor y
VBE es 0.7V.
Despejando y resolviendo, se obtiene el valor de IC.

Anlisis del Modelo H (Divisor de

Tensin):
Del circuito de salida, se tiene la siguiente ecuacin:
VCC = IC*RC + VCE + IE*RE
Haciendo uso de la aproximacin: IE = IC, se tiene:
VCC = IC*(RC + RE) + VCE
En esta ecuacin, solo el Voltaje de Colector a Emisor (VCE) es desconocido.
Despejando y operando, se obtiene el valor de VCE.

Anlisis del Modelo H (Divisor de

Tensin):
El anlisis hecho para calcular IC y VCE se realiza con la intencin de obtener
el punto de reposo del transistor, el cual debe estar en la mitad de la recta de
carga (VCE = VCC).

Punto de Reposo del Transistor (Punto Q):

Para un buen diseo de amplificador, el punto de reposo debe estar ubicado en

la mitad de la recta de carga.

En cuestiones de diseo, se parte de asignar un valor a la fuente, regularmente

este valor es un mltiplo de 6 (6V, 12V, 18V, etc.).

Seguido de esto, se le otorga al transistor la mitad de ese voltaje. (VCE =

VCC).

Luego, se asigna un valor a la corriente de colector, esta corriente suele estar en

el orden de los miliamperios y, para que el circuito sea ms estable, se busca
que sea una corriente pequea (IC = 1mA, 2mA, 3mA, etc.).

El resto del anlisis dependern de los valores asignados y de la ganancia

deseada del circuito.

NOTA: El punto Q debe estar en la mitad de la recta de carga porque el circuito, al

amplificar una seal alterna, mover la posicin de dicho punto de derecha a
izquierda (Por la onda senoidal).

Modelo Hbrido del Transistor BJT:

El modelo hbrido sirve para hacer un anlisis en alterna de un circuito
transistorizado, para esto, partimos del modelo equivalente del transistor.

Modelo Hbrido del Transistor BJT:

Se sabe que un Diodo en continua es representado como una fuente de 0.7V
(consumo del diodo), pero en alterna es representado como una resistencia:
Rd=nVT/ID
Donde:
Rd = Resistencia dinmica del diodo (lo representa al analizar en AC).
n = Constante que depende de la fabricacin (Para diodos de Silicio, n = 2).
VT = Voltaje trmico del Diodo (VT = 25.85mV).
ID = Corriente del Diodo (Se obtiene del anlisis en DC).

Modelo Hbrido del Transistor BJT:

El diodo que aparece en el modelo equivalente del transistor tambin tiene
una resistencia dinmica que lo representa en el anlisis AC, pero esta
resistencia recibe otro nombre:
Hie = VT / IB
Donde:
Hie = Impedancia de entrada del transistor (Tiene el nombre Hi por los
parmetros hbridos).
VT = Voltaje Trmico.
IB = Corriente de Base (hallado en el anlisis DC).
NOTA: Para un transistor, no aparece el factor n.

Modelo Hbrido del Transistor BJT:

Haciendo el reemplazo del diodo por la resistencia Hie, se tendra el circuito
equivalente de un transistor para analizarlo en AC:

Nota1: IB es la corriente que ENTRA por la Base.

Nota2: Este modelo recibe el nombre de Emisor Comn.

Configuracin:
Existen tres formas de configurar un circuito transistorizado:
-Emisor Comn.
-Base Comn.
-Colector Comn.
Estas configuraciones hacen referencia a las entradas y salidas (alternas)
del circuito.
Cada configuracin tiene caractersticas propias, las cuales se detallarn
ms adelante.

Modelo Hbrido del Transistor en Emisor Comn:

Modelo Hbrido del Transistor en Base Comn:

Donde:
IE = Corriente que SALE del Emisor.
Hib = VT / IC
IC = Corriente de Colector (Hallada en el anlisis DC).
Hfb = Hfe/(1+Hfe)

Modelo Hbrido del Transistor en Colector Comn:

Donde:
IB = Corriente que ENTRA por la Base.
Vec = Ve - Vc
Hic = Hie
Hrc = 1
Hfc = 1 + Hfe

Relacin de Parmetros:
Colector Comn

Base Comn

Hi

Hic = Hie

Hib = Hie / (1 + Hfe)

Hr

Hrc = 1

Hrb = 0

Hf

Hfc = 1 + Hfe

Hfb = Hfe / (1 + Hfe)

Ho

Hoc = 0

Hob = 0

NOTA:
Hib = VT/IC
VT = Voltaje Trmico = 25.85mV
IC = Corriente de Colector hallada en el anlisis DC.
Hfe = Ganancia de Corriente del Transistor (Beta).

Recomendacin:
Hie = Hfc*Hib
Hic = Hfc*Hib
Hib = VT / IC
Hfc = 1 + Hfe
Hfb = Hfe / Hfc
Hfe = Beta del Transistor.
Hrc = 1
Hre = Hrb = 0
Hoe = Hoc = Hob = 0 (Conductancia Nula = Resistencia infinita = Circuito
Abierto)

Configuracin de Emisor Comn:

En una configuracin de Emisor Comn, la entrada del circuito se encuentra en
la Base y la salida se encuentra en el Colector, dejando al Emisor libre.
Caractersticas:
-Impedancia de entrada: Baja.
-Impedancia de salida: Alta.
-Posee ganancia de Voltaje.
-Posee ganancia de Corriente.
-Desfasa 180 (la seal sale invertida).
-Posee limitaciones en el ancho de banda cuando la ganancia de voltaje es
alta.

Configuracin de Emisor Comn:

El primer paso para analizar

en alterna es apagar las
fuentes continuas. Para esto,
en lugar de VCC, va a estar la
tierra.
Luego, se considera a cada
condensador como si fuera un
corto circuito.
El CE se llama condensador
de desacoplo, puesto que en
anlisis en alterna, separa al
circuito en dos partes.
Este mismo condensador (CE)
es opcional, colocarlo
implicar un drstico
incremento en la ganancia de
voltaje.

Configuracin de Emisor Comn Desacoplado

(Con CE)

Configuracin de Emisor Comn Desacoplado

(Con CE)

Configuracin de Emisor Comn Desacoplado

(Con CE)

Configuracin de Emisor Comn Desacoplado

(Con CE)

Configuracin de Emisor Comn Desacoplado

(Con CE)

Configuracin de Emisor Comn sin Desacoplar

(Sin CE)

Configuracin de Emisor Comn sin Desacoplar

(Sin CE)

Configuracin de Emisor Comn sin Desacoplar

(Sin CE)

Configuracin de Emisor Comn sin Desacoplar

(Sin CE)

Configuracin de Emisor Comn sin Desacoplar

(Sin CE)
Reflejando el RE hacia la entrada: (Debe mantener la misma diferencia de
potencial que en el circuito anterior)

Configuracin de Emisor Comn sin Desacoplar

(Sin CE)
Cambiando el Hie por su equivalente: (Hie = Hfc*Hib)

Configuracin de Emisor Comn sin Desacoplar

(Sin CE)

Configuracin de Base Comn:

En una configuracin de Base Comn, la entrada del circuito se encuentra en
el Emisor y la salida se encuentra en el Colector, dejando a la Base libre.
Caractersticas:
-Impedancia de entrada: Bajsima.
-Impedancia de salida: Altsima.
-Posee ganancia de Voltaje.
-NO posee ganancia de Corriente.
-NO Desfasa.
-Posee un mejor Ancho de Banda (trabaja bien en altas frecuencias).

Configuracin de Base Comn Desacoplado

(Con CB)

Configuracin de Base Comn Desacoplado

(Con CB)

Configuracin de Base Comn Desacoplado

(Con CB)

Configuracin de Base Comn Desacoplado

(Con CB)

Configuracin de Base Comn Desacoplado

(Con CB)

Configuracin de Colector Comn:

En una configuracin de Colector Comn, la entrada del circuito se encuentra
en la Base y la salida se encuentra en el Emisor, dejando al Colector libre.
Caractersticas:
-Impedancia de entrada: Altsima.
-Impedancia de salida: Bajsima.
-NO posee ganancia de Voltaje.
-Posee ganancia de Corriente.
-NO Desfasa.
-Sirve como acoplador de impedancias.

Configuracin de Colector Comn

Configuracin de Colector Comn

Configuracin de Colector Comn

Configuracin de Colector Comn

Configuracin de Colector Comn

Configuracin de Colector Comn

Configuracin de Colector Comn

Cambiando Hic por su equivalente (Hic = Hfc*Hib) y Hrc = 1: