S EM IC O N D U C TO R ES

IN TR O D U C C I N
.Todos
M ATER
IA LES C O N D U C TO R ES
los cuerpos o elementos qumicos

existentes en la
naturaleza poseen caractersticas diferentes, agrupadas todas
en la denominada Tabla de Elementos Qumicos. Desde el
punto de vista elctrico, todos los cuerpos simples o
compuestos formados por estos elementos se pueden dividir
en tres amplias categoras:
- Conductores
- Aislantes
Semiconductores

. M ATER IA LES A ISLA N TES O D IELECTR ICO S

A diferencia de los cuerpos metlicos buenos
conductores de la corriente elctrica, existen otros
como el aire, la porcelana, el cristal, la mica, la ebonita,
las resinas sintticas, los plsticos, etc., que ofrecen
una alta resistencia a su paso. Esos materiales se
conocen como aislantes o dielctricos.

Los cuerpos aislantes ofrecen una alta resistencia al paso de la corriente elctrica.
En la foto izquierda. se pueden observar diferentes materiales aislantes de plstico
utilizados comnmente en las cajas de. conexin y en otros elementos propios de las
instalaciones elctricas domsticas de baja tensin, as. como el PVC (PolyVinyl
Chloride Policloruro de Vinilo) empleado como revestimiento en los cables.
conductores. En la foto de la derecha aparece, sealado con una flecha roja, un
aislante de vidrio. utilizado en las torres externas de distribucin elctrica de alta
tensin.

Al contrario de lo que ocurre con los tomos de los metales, que

ceden sus electrones con facilidad y conducen bien la corriente
elctrica, los de los elementos aislantes poseen entre cinco y siete
electrones fuertemente ligados a su ltima rbita, lo que les impide
cederlos. Esa caracterstica los convierte en malos conductores de
la electricidad, o no la conducen en absoluto.
En los materiales aislantes, la banda de
conduccin se encuentra prcticamente
vaca de portadores de cargas elctricas o
electrones, mientras que la banda de
valencia est completamente llena de
estos.
Como ya conocemos, en medio de esas
dos bandas se encuentra la banda
prohibida, cuya misin es impedir que los
electrones de valencia, situados en la
ltima rbita del tomo, se exciten y salten
La
de los electrones de valencia equivale a unos
a laenerga
banda depropia
conduccin.

0,03 eV (electronvolt) aproximadamente, cifra muy por debajo de

los 6 a 10 eV de energa de salto de banda (Eg) que requeriran
poseer los electrones para atravesar el ancho de la banda
prohibida en los materiales aislantes.

M ATERIALES SEM ICO N D UCTO RES

Los primeros semiconductores utilizados para fines tcnicos fueron pequeos detectores
diodos empleados a principios del siglo 20 en los primitivos radiorreceptores, que se
conocan como de galena. Ese nombre lo tom el radiorreceptor de la pequea piedra
de galena o sulfuro de plomo (PbS) que haca la funcin de diodo y que tenan instalado
para sintonizar las emisoras de radio. La sintonizacin se obtena moviendo una aguja
que tena dispuesta sobre la superficie de la piedra. Aunque con la galena era posible
seleccionar y escuchar estaciones de radio con poca calidad auditiva, en realidad nadie
conoca que misterio encerraba esa piedra para que pudiera captarlas.
En 1940 Russell Ohl, investigador de los Laboratorios Bell, descubri que si a ciertos
cristales se le aada una pequea cantidad de impurezas su conductividad elctrica
variaba cuando el material se expona a una fuente de luz. Ese descubrimiento condujo al
desarrollo de las celdas fotoelctricas o solares. Posteriormente, en 1947 William
Shockley, investigador tambin de los Laboratorios Bell, Walter Brattain y John Barden,
desarrollaron el primer dispositivo semiconductor de germanio (Ge), al que denominaron
transistor y que se convertira en la base del desarrollo de la electrnica moderna.
Los "semiconductores" como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), por
ejemplo, constituyen elementos que poseen caractersticas intermedias entre los cuerpos
conductores y los aislantes, por lo que no se consideran ni una cosa, ni la otra. Sin
embargo, bajo determinadas condiciones esos mismos elementos permiten la circulacin
de la corriente elctrica en un sentido, pero no en el sentido contrario. Esa propiedad se
utiliza para rectificar corriente alterna, detectar seales de radio, amplificar seales de
corriente elctrica, funcionar como interruptores o compuertas utilizadas en electrnica
digital, etc.

Lugar que ocupan en la Tabla Peridica los trece elementos con. caractersticas de
semiconductores, identificados con su correspondiente. nmero atmico y grupo al que
pertenecen. Los que aparecen con fondo.
gris corresponden a metales, los de fondo verde a metaloides y los de. fondo azul a
no metales.

Esos elementos semiconductores que aparecen dispuestos en la Tabla

Peridica constituyen la materia prima principal, en especial el silicio
(Si), para fabricar diodos detectores y rectificadores de corriente,
transistores, circuitos integrados y microprocesadores.
Los tomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos,
tres, cuatro o cinco electrones en su ltima rbita, de acuerdo con el
elemento especfico al que pertenecen. No obstante, los elementos
ms utilizados por la industria electrnica, como el silicio (Si) y el
germanio (Ge), poseen solamente cuatro electrones en su ltima
rbita. En este caso, el equilibrio elctrico que proporciona la
estructura molecular cristalina caracterstica de esos tomos en
estado puro no les permite ceder, ni captar electrones. Normalmente
los tomos de los elementos semiconductores se unen formando
enlaces covalentes y no permiten que la corriente elctrica fluya a
travs de sus cuerpos cuando se les aplica una diferencia de potencial
o corriente elctrica. En esas condiciones, al no presentar

TABLA D E ELEM ENTO S SEM ICO ND UCTO RES

Incremento de la conductividad en un elemento semiconductor

La mayor o menor conductividad elctrica que pueden presentar los materiales semiconductores
depende en gran medida de su temperatura interna. En el caso de los metales, a medida que la
temperatura aumenta, la resistencia al paso de la corriente tambin aumenta, disminuyendo la
conductividad. Todo lo contrario ocurre con los elementos semiconductores, pues mientras su
temperatura aumenta, la conductividad tambin aumenta.
En resumen, la conductividad de un elemento semiconductor se puede variar aplicando uno de los
siguientes mtodos:
- Elevacin de su temperatura
- Introduccin de impurezas (dopaje) dentro de su estructura cristalina
- Incrementando la iluminacin.

SEM ICO ND UCTO RES "IN TRNSECO S"

Los materiales semiconductores, segn su pureza, se clasifican de la siguiente forma:
- Intrnsecos
- Extrnsecos
Se dice que un semiconductor es intrnseco cuando se encuentra en estado puro, o
sea, que no contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su estructura.
En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al
atravesar la banda prohibida ser igual a la cantidad de electrones libres que se
encuentran presentes en la banda de conduccin.
Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor
intrnseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones
pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la atraccin que ejerce el ncleo
del tomo sobre los mismos. Esos electrones libres saltan a la banda de conduccin y
all funcionan como electrones de conduccin, pudindose desplazar libremente de
un tomo a otro dentro de la propia estructura cristalina, siempre que el elemento
semiconductor se estimule con el paso de una corriente elctrica.
Como se puede observar en la ilustracin, en el caso de
los semiconductores el espacio correspondiente a la banda
prohibida es mucho ms estrecho en comparacin con los
materiales aislantes. La energa de salto de banda (Eg)
requerida por los electrones para saltar de la banda de
valencia a la de conduccin es de 1 eV aproximadamente.
En los semiconductores de silicio (Si), la energa de salto
de banda requerida por los electrones es de 1,21 eV,
mientras que en los de germanio (Ge) es de 0,785 eV.

Estructura cristalina de un semiconductor intrnseco,

compuesta solamente por tomos de silicio (Si) que
forman una celosa. Como se puede observar en la
ilustracin, los tomos de silicio (que slo poseen
cuatro electrones en la ltima rbita o banda de
valencia), se unen formando enlaces covalente para
completar ocho electrones y crear as un cuerpo slido
semiconductor. En esas condiciones el cristal de silicio
se comportar igual que si fuera un cuerpo aislante.

Cristales sin impurezas ni defectos en la red (idealmente,

claro)
Conforme la temperatura aumenta, hay generacin de pares
electrn-hueco
Obviamente, n = p = ni
ni vara exponencialmente con la temperatura

SEM ICO ND UCTO RES "EXTRNSECO S"

Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le
introduce cierta alteracin, esos elementos semiconductores permiten el
paso de la corriente elctrica por su cuerpo en una sola direccin. Para
hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se dopa
mezclando los tomos de silicio o de germanio con pequeas cantidades
de tomos de otros elementos o "impurezas".
Generalmente los tomos de las impurezas corresponden tambin a
elementos semiconductores que, en lugar de cuatro, poseen tres
electrones en su ltima rbita [como el galio (Ga) o el indio (In)], o que
poseen cinco electrones tambin en su ltima rbita [como el antimonio
(Sb) o el arsnico (As)]. Una vez dopados, el silicio o el germanio se
convierten en semiconductores extrnsecos y sern capaces de conducir
la corriente elctrica.
En la actualidad el elemento ms utilizado para fabricar semiconductores
para el uso de la industria electrnica es el cristal de silicio (Si) por ser un
componente relativamente barato de obtener. La materia prima empleada
para fabricar cristales semiconductores de silicio es la arena, uno de los
materiales ms abundantes en la naturaleza. En su forma industrial
primaria el cristal de silicio tiene la forma de una oblea de muy poco
grosor (entre 0,20 y 0,25 mm aproximadamente), pulida como un espejo.

A la izquierda se muestra la ilustracin de una oblea

(wafer) o cristal semiconductor de. silicio pulida con
brillo de espejo, destinada a la fabricacin de
transistores y circuitos. integrados. A la derecha
aparece la cuarta parte de la oblea conteniendo
cientos de. minsculos dados o chips, que se
pueden obtener de cada una. Esos chips son los. que
despus de pasar por un proceso tecnolgico
apropiado se convertirn en. transistores o circuitos
integrados. Una vez que los chips se han convertido
en. transistores o circuitos integrados sern
desprendidos de la oblea y colocados dentro. de una
El segundo elemento tambin utilizado
semiconductor,
en menor
cpsula como
protectora
con
sus pero
correspondientes
proporcin que el silicio, es el cristal
de germanio
conectores
externos. (Ge).

Durante mucho tiempo se emple tambin el selenio (S) para

fabricar diodos semiconductores en forma de placas
rectangulares, que combinadas y montadas en una especie
de eje se empleaban para rectificar la corriente alterna y
convertirla en directa. Hoy en da, adems del silicio y el
germanio, se emplean tambin combinaciones de otros
elementos semiconductores presentes en la Tabla Peridica.
Placa individual de 2 x 2 cm de rea, correspondiente a un
antiguo diodo de selenio.

Entre esas combinaciones se encuentra la formada por el galio (Ga) y

el arsnico (As) utilizada para obtener arseniuro de galio (GaAs),
material destinado a la fabricacin de diodos lser empleados como
dispositivos de lectura en CDs de audio.

Lente (sealada con la flecha) detrs de la cual se encuentra

instalado un diodo lser de arseniuro de galio (GaAs) empleado
para leer datos de texto, presentaciones multimedia o msica
grabada en un CD. En esta ilustracin el. CD se ha sustituido por
un disco similar transparente de plstico comn.

En el caso del silicio (Si) y el germanio (Ge) cuando se encuentran en estado puro, es decir,
como elementos intrnsecos, los electrones de su ltima rbita tienden a unirse formando
"enlaces covalentes", para adoptar una estructura cristalina. Los tomos de cualquier
elemento, independientemente de la cantidad de electrones que contengan en su ltima
rbita, tratan siempre de completarla con un mximo de ocho, ya sea donndolos o
aceptndolos, segn el nmero de valencia que le corresponda a cada tomo en especfico.
Con respecto a los elementos semiconductores, que poseen slo cuatro electrones en su
ltima rbita, sus tomos tienden a agruparse formando enlaces covalentes, compartiendo
entre s los cuatro electrones que cada uno posee, segn la tendencia de completar ocho en
su rbita externa. Al agruparse de esa forma para crear un cuerpo slido, los tomos del
elemento semiconductor adquieren una estructura cristalina, semejante a una celosa. En su
estado puro, como ya se mencion anteriormente, esa estructura no conduce la
electricidad, por lo que esos cuerpos semiconductores se comportan como aislantes.

SEMICONDUCTOR DOPADO
Si aplicamos una tensin al cristal
de silicio, el positivo de la pila
intentar atraer los electrones y el
negativo los huecos favoreciendo
as la aparicin de una corriente a
travs del circuito
Sentido del movimiento de un
electrn y un hueco en el silicio
Ahora bien, esta corriente que aparece es de muy pequeo valor, pues son
pocos los electrones que podemos arrancar de los enlaces entre los tomos de
silicio. Para aumentar el valor de dicha corriente tenemos dos posiblidades:
- Aplicar una tensin de valor superior
- Introducir previamente en el semiconductor electrones o huecos desde el
exterior
La primera solucin no es factible pues, an aumentando mucho el valor de la
tensin aplicada, la corriente que aparece no es de suficiente valor. La solucin
elegida es la segunda.
En este segundo caso se dice que el semiconductor est "dopado".
El dopaje consiste en sustituir algunos tomos de silicio por tomos de otros
elementos. A estos ltimos se les conoce con el nombre de impurezas.
Dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al semiconductor puro o
intrnseco aparecen dos clases de semiconductores.

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo

un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de
portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados
de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como
material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son
conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del
silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une
un tomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla
peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de
silicio, entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco producido que se
encontrar en condicin de aceptar un electrn libre.
As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado
por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en
breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente
de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de
los electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los
electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes
azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un
semiconductor tipo P que se produce de manera natural.

Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un

cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso negativos o electrones).
Cuando se aade el material dopante aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a
los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como
material donante ya que da algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el
material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso del
silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma
un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con
cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla peridica (ej. fsforo
(P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo
de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado.
Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el nmero de
electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los
electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A
causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que
"dar",
son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor
http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor#Semiconductor_tipo_P
nunca
est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N
http://www.ifent.org/Lecciones/semiconductor/tipo-P.asp
http://www.profisica.cl/comofuncionan/como.php?id=41
generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero.
http://www.geocities.ws/pnavar2/semicon/tipos.html
http://www.youtube.com/watch?v=IMiuD-PNIts