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TRANSISTORES
PED 2002-03
Smbolo. Caractersticas
Clasificacin de los transistores
Transistores bipolares
Transistores unipolares
4.1
Caractersticas. Smbolo
terminalde
control i
T.C.
vT.C.
A
+
vAB
IQ 3
IQ 2
IQ 1
PED 2002-03
VQ
v
4.2
PED 2002-03
4.3
TRANSISTORES BIPOLARES
A
i T.C.
PED 2002-03
+
vAB
B
P
i f (v AB , iT .C . )
N
4.4
transistorbipolarPNP
C
colector
colector
base
emisor
base
emisor
PED 2002-03
4.5
NPN
VBC
IB
B
+
+
VBE
PED 2002-03
IC
PNP
VCE
IE
IB
B
VCB
VEC
VEB
IC
+
IE
4.6
IC
RC
VBC
RB
VBB
PED 2002-03
IB
IB
VBE
IC
IC
VCE
VCC
IE
IC
4.7
I E I B IC
V BC VBE VCE
V BB RB I B V BE
IC f (VCE , I B )
V CC RC IC VCE
I B g(VBE , VCE )
PED 2002-03
Q(IB,IC,VBE,VCE)
4.8
I B g(VBE , VCE )
VCE poca influencia. Se simplifica.
IB
IB
VBE
PED 2002-03
IB g(VBE )
VBE
4.9
IC f (VCE , I B )
IC
mA
IB 100A
12
IB 80A
10
IB 60A
8
6
IB 40A
IB 20A
2
0
PED 2002-03
10
VCE
4.10
Distinguir entre E y C?
Polarizacin relativa determina quin funciona como E y quin como C
E y C no son exactamente iguales a nivel fsico
Funcionamiento directo o normal (NPN): VBE> VBC
PED 2002-03
4.11
1. Corte
BE y BC en I.P.
Por tanto VBE 0,7 V y VBC 0,7 V (se suele comprobar slo VBE 0,7 V)
En I.P. no circula corriente, por tanto: IC = 0 A IB = 0 A (por tanto IE = 0 A)
Ya tenemos las dos ecuaciones que nos faltaban
Resumiendo:
condicin
VBE 0,7 V
PED 2002-03
ecuacin
IC = 0 , IB = 0
4.12
condicin
VCE 0,2 V
PED 2002-03
ecuacin
IC
VBE = 0,7 V ,
IB
4.13
3. Saturacin
BE y BC en D.P.
Corriente en las dos uniones, IB mayor que antes
Ambas uniones en D.P.: VBE = 0,7 V y VCE = 0,2 V
No relacin constante anterior
Verificacin de esta zona implica comprobar IC/IB
condicin
IC
IB
PED 2002-03
ecuacin
VBE = 0,7 V
VCE = 0,2 V
4.14
mA IC
IB 100 A
12
8
6
IB 80 A
Saturacin
10
IB 60 A
R.A.N.
IB 40 A
IB 20 A
2
0
PED 2002-03
Corte
0
10
VCE V
4.15
Aproximacin realizada
IC
IB4
IB3
IB2
IB1
0,2V
PED 2002-03
VCE
4.16
V BB
IB
RB
+
V BE
"carga"del
circuitode
entrada
V BB RB I B V BE
V BB
1
IB
V BE
RB
RB
PED 2002-03
4.17
Dibujando esa recta sobre el mismo plano que la curva (IB ,VBE)
IB
VBE
PED 2002-03
4.18
Circuito de salida
V CC
IC
RC
C
+
"carga"del
circuitode V CE
salida
E
V CC RC IC VCE
VCC
1
IC
VCE
RC
RC
PED 2002-03
4.19
Dibujando esa recta sobre el mismo plano que la curva (IC ,VCE)
IC
IB5
IB4
IB3
IB2 =IBQ
IB1
VCE
PED 2002-03
4.20
A
T.C.
i f (v AB , v T.C. )
vT.C.
PED 2002-03
+
v AB
B
4.21
D drenador
puerta
transistorJFETdecanalP
D drenador
S fuente
puerta
S fuente
Otros smbolos
transistorJFETdecanalN
PED 2002-03
transistorJFETdecanalP
4.22
canalP
canalN
IG 0
D
G
VGS
(<0)
PED 2002-03
ID +
VDS
(>0)
IG 0
VGS
VSD
G
D
ID
4.23
ID
IG 0
VGG +
(variable)
PED 2002-03
D
G
VDS
VGS
RD
+
VDD
(variable)
4.24
Dos curvas
ID
IDSS
IDsat
VGS
I Dsat I DSS 1
VGSoff
V GS
PED 2002-03
4.25
IDSS
ID
zona
hm
i c a
V GS 0 V
Saturacin
IDsat
Vgs=2
VDSsatVDSS
Corte
V GS 1V
V GS 2V
V GS VGSoff ( 0 )
V DS
Vgs=2
PED 2002-03
4.26
condicin ecuacin
CORTE:
VGSQ VGSoff
ZONA OHMICA:
VDSQ VDSsat
ID = 0
SATURACIN:
VDSQ VDSsat
VDSS tensin para estrangular el canal : |V GSoff|
VGSQ
K 1
GSoff
V DSsat
PED 2002-03
VGSQ
1
VGSoff
V
GSoff
4.27
PMOSdeenriquecimiento
drenador
drenador
puerta
sustrato
puerta
drenador
drenador
puerta
sustrato
fuente
PED 2002-03
PMOSdeempobrecimiento
sustrato
fuente
fuente
NMOSdeempobrecimiento
puerta
sustrato
fuente
4.28
Otros smbolos
transistoresdeenriquecimiento
PMOS
NMOS
transistoresdeempobrecimiento
PMOS
NMOS
PED 2002-03
4.29
PMOSdeenriquecimiento
(<0)
NMOSdeenriquecimiento
IG 0
+V
+
VDS
GS
(>0)
PED 2002-03
ID
IG 0
VGS
VSD
G
D
ID
4.30
NMOSdeenriquecimiento
IDon
ID
VT
PED 2002-03
V GS V T
I D I Don
V GSon VT
V GSon
V GS
4.31
ID
NMOS de enriquecimiento
V GS 15 V
V GSQ
IDsat
Saturacin
V DSsat
PED 2002-03
Corte
V GS 10 V
V GS 5 V
V GS VT
V DS
4.32
condicin
ecuacin
CORTE:
VGSQ VT
ID = 0
ZONA OHMICA:
VGSQ VT
ID = VDSS / RDS
VDSQ VDSsat
SATURACIN:
PED 2002-03
VGSQ VT
ID = K IDon
VDSQ VDSsat
VGS VT
K
V
GSon
T
4.33