Ing.

Christian Lezama Cuellar

1. Conduccin en los materiales
Diodo semiconductor: Componente electrnico
formado por la unin de dos materiales
semiconductores con distintos tipos de impurezas.

Modelo de bandas de energa:

Materiales (por el ancho de banda prohibida):

Aislante: Anchura del orden de varios eV (aprox. 6 eV).

Semiconductor: Anchura relativamente pequea

(aprox.1eV). Aislante a bajas temperaturas y con su
aumento algunos electrones obtienen energa trmica
para superar la banda prohibida. Usuales los del grupo
IV de la T.P: Silicio (1.21a 0K), Germanio (0.785 a 0K).

Metal: Bandas de valencia y conduccin solapadas a

temperatura ambiente de modo que los electrones
circulan libremente.
Algo sobre la estructura de los semiconductores
Semiconductores ms comunes
La capacidad de compartir o aceptar 4 electrones es una
caracterstica comn en ellos

Todos tienen una brecha indirecta, eso los hace pobres

para posibles aplicaciones pticas.

Compuesto

Este tipo de compuesto tienen la cualidad de tener una

brecha directa. Esto lo hace apto para aplicaciones pticas
como foto diodos y lseres.
2. Conduccin en los materiales semiconductores
Comportamiento del Germanio:
Representacin plana del Germanio a 0K

Situacin del Germanio a 300K

3. Materiales semiconductores
Tipos de semiconductores:
Semiconductores intrnsecos: Semiconductores
puros.

Semiconductores extrnsecos: Semiconductores

dopados (aadidos tomos de impurezas a un
intrnseco). Tipos:
Tipo n: Se le aaden impurezas donadoras
(electrones). Ej: Sb al Ge.

Tipo p: Se le aaden impurezas receptoras (huecos).

Ej: Al al Ge
Comportamiento:
 + + +
+
+ +
Impurezas grupo V
+ +
+ +
+
+
+
300K
+ + +

Electrones libres tomos de impurezas ionizados

Los portadores de carga en un semiconductor tipo N son electrones

libres
 - - -
-
- -
- -
- -
-
-
-
300K
- - -

Huecos libres tomos de impurezas ionizados

Los portadores de carga en un semiconductor tipo P son huecos.

Actan como portadores de carga positiva.
La unin P-N en equilibrio

- - - + + +
+
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

 La unin P-N en equilibrio Zona de transicin

- - - + + +
+
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

- +

Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de

carga espacial denominada zona de transicin. Que acta como una
barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona.
 Note como ante una fuente externa, despus de
hacerse agotado el intercambio de electrones en la
regin de agotamiento, se produce un flujo masivo
de electrones hacia los huecos (corriente
electrnica). Por convencin se ha adoptado el
movimiento de huecos como el sentido de la
corriente elctrica
 La unin P-N polarizada en directa

P - - - + + + + N
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

La zona de transicin se hace ms pequea. La corriente comienza a

circular a partir de un cierto umbral de tensin directa.
 La unin P-N polarizada en directa

P - - - + + + + N
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

Concentracin de huecos Concentracin de electrones

+

La recombinacin electrn-hueco hace que la concentracin de electrones

en la zona P disminuya al alejarse de la unin.
Consideremos un diodo PN polarizado como se muestra.
La polarizacin jala a los huecos y a los electrones alejndolos
de la unin incrementando el ancho de la regin de
agotamiento.
Se produce una pequea corriente de huecos provenientes del
lado n y electrones de lado p llamada Corriente Inversa de
Saturacin.
 La unin P-N polarizada inversamente

P - - - + + + + N
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

La zona de transicin se hace ms grande. Con polarizacin inversa no hay

circulacin de corriente.
 P N
+
nodo Ctodo -
DIODO SEMICONDUCTOR
 CARACTERSTICA DEL DIODO
Idealmente, permite corriente directa (se comporta como un cable) y bloquea o
no permite la corriente inversa (se comporta como un cable roto)

I
I
+ PRESENTA UN
P COMPORTAMIENTO
NO LINEAL !!
V

N V
-

ANCDOTA
Un smil hidrulico podra ser una vlvula anti-retorno, permite pasar el agua
(corriente) en un nico sentido.
Funcionamiento de una vlvula anti-retorno

Caudal
h1 h2

h1 - h 2
DIODO REAL

i [mA]
nodo ctodo 1

p n Ge Si

A K
V [Volt.]
Smbolo -0.25
0
0.25 0.5
Silicio
Germanio IS = Corriente Saturacin Inversa
K = Cte. Boltzman
K = 11600/ (=1 para Ge, y =2 para Si)
VKDTq VD = Tensin diodo
I D I S e 1 q = Carga del electrn
T = Temperatura (K)
ID = Corriente diodo
 DIODO REAL (Distintas escalas)

i [mA] Ge: mejor en conduccin i [mA]

Si: mejor en bloqueo 30 Ge
1
Si Si
Ge

V [Volt.] V [Volt.]
-0.25 0 -4 0 1
0.25 0.5

i [A] i [pA]

V [Volt.] V [Volt.]
-0.5 0 0
-0.5

Si
Ge
-0.8 -10
DIODO: DISTINTAS APROXIMACIONES

I I
Solo tensin
Ideal de codo
Ge = 0.3
Si = 0.6
V V

I I
Curva real
Tensin de codo y (simuladores,
Resistencia directa anlisis grfico)

V V
 DIODO: LIMITACIONES
Corriente mxima
I
Tensin inversa
Lmite trmico,
mxima
seccin del conductor
Ruptura de la Unin
por avalancha

600 V/6000 A 1000 V /1 A

200 V /60 A
 DIODO: Parmetros facilitados por fabricantes
id

IOmax

VR = 1000V Tensin inversa mxima

IOMAX (AV)= 1A Corriente directa mxima VR
VF = 1V Cada de Tensin directa
IR = 50 nA Corriente inversa iS Vd

NOTA:
Se sugiere con un buscador obtener las
VR = 100V Tensin inversa mxima
hojas de caractersticas de un diodo (p.e.
IOMAX (AV)= 150mA Corriente directa mxima
VF = 1V Cada de Tensin directa 1N4007). Normalmente aparecern varios
IR = 25 nA Corriente inversa fabricantes para el mismo componente.
 DIODO: Parmetros facilitados por fabricantes

Tiempo de recuperacin inversa

UE
iS
Bajafrecuencia
Alta frecuencia
+
UE R
iS

trr = tiempo de recuperacin inversa

A alta frecuencia se aprecia un intervalo en el cual el diodo conduce

corriente inversa.
DIODOS ESPECIALES

Diodo Zener (Zener diode) La ruptura no es destructiva.

(Ruptura Zener).

En la zona Zener se comporta

Tensin I como una fuente de tensin
Zener (Tensin Zener).
(VZ)
Necesitamos, un lmite de
corriente inversa.

V Podemos aadir al modelo lineal

la resistencia Zener.

Lmite mximo Aplicaciones en pequeas

fuentes de tensin y referencias.
Normalmente, lmite
de potencia mxima
DIODOS ESPECIALES

Diodo LED (LED diode) Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode

El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unin

PN polarizada directamente emiten fotones (luz) de una cierta
longitud de onda. (p.e. Luz roja)

A K
 DIODOS ESPECIALES
Los diodos basados en compuestos III-V, presentan
Fotodiodos (Photodiode) una corriente de fugas proporcional a la luz incidente
(siendo sensibles a una determinada longitud de onda).

Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante.

Siendo su aplicaciones principales:
i Sensores de luz (fotmetros)
Comunicaciones
V
0
COMENTARIO
iopt Los diodos normales presentan variaciones en la corriente
de fugas proporcionales a la Temperatura y pueden ser
usados como sensores trmicos
i
El modelo puede ser una fuente de
I = f(T)
V
corriente dependiente de la luz o de
T1 0
la temperatura segn el caso
T2>T1
 DIODOS ESPECIALES
Cuando incide luz en una unin PN, la
caracterstica del diodo se desplaza hacia el 4
Clulas solares (Solar Cell) cuadrante.

i En este caso, el dispositivo puede usarse como

generador.

VCA V

Zona
uso
iCC

Paneles de clulas
solares
DIODOS ESPECIALES

Diodo Schottky (Schottky diode)

Unin Metal-semiconductor N. Producindose el llamado efecto

schottky.

La zona N debe estar poco dopada.

Dispositivos muy rpidos (capacidades asociadas muy bajas).

Corriente de fugas significativamente mayor.

Menores tensiones de ruptura.

Cadas directas mas bajas (tensin de codo 0.2 V).

Aplicaciones en Electrnica Digital y en Electrnica de Potencia

El efecto Schottky fue predicho tericamente en 1938 por Walter H.

Schottky
 ASOCIACIN DE DIODOS
Puente rectificador

Monofsico
Diodo de alta tensin +
(Diodos en serie)

-
Trifsico
+

DISPLAY
-
 Smbolo

Ecuacin caracterstica:
Regiones de Operacin
Regin de polarizacin directa o regin de conduccin
(VD>V)
Regin de polarizacin inversa (VZ < VD < V)

Regin de ruptura o Zener (VD<VZ)

 Caracterstica Tensin-Intensidad
 Limitacin de intensidad
Los diodos poseen cotas mximas de intensidad (potencias de
mW)
Para limitar se suele emplear una resistencia en serie con el diodo
Dependencia de la temperatura.

Cada 10C Is se duplica

VT=KT/q crece linealmente con la
temperatura.

En conmutacin
Tiempo de recuperacin inversa: del orden de los 10 seg.
Tiempo de recuperacin directa: suele despreciarse
 Punto de trabajo: conjunto de valores de tensin e
intensidad que satisfacen tanto las ecuaciones
caractersticas de un dispositivo electrnico como
aquellas ecuaciones impuestas por la topologa del
circuito del que forma parte el dispositivo.
Recta de carga:
Q: punto de trabajo
 Modelado de dispositivos: Modelar un dispositivo consiste
en simplificar la expresin matemtica que describe su
comportamiento.
Condiciones:
Modelo que abstraiga el funcionamiento bsico del dispositivo a nivel
fsico.
Debe establecerse un rango de validez para el modelo.
Usualmente un modelo para cada regin de operacin.
Relacin entre el grado de complejidad y la precisin del modelo.

Anlisis de un circuito en gran seal: Supone el rango

completo de sus variables V,I considerando que los
dispositivos operen en distintas zonas de funcionamiento
y por tanto utilizando el modelo correspondiente.

Anlisis de un circuito en pequea seal: Supone la

linealizacin del comportamiento de un dispositivo en
torno a un Punto de Trabajo (Q).
 Modelos de circuito del diodo de unin PN
Modelo Ideal:

Modelo Simplificado: Modelo de segmentos lineales:

VT VT rav
 Rectificador: Circuito capaz de convertir una seal
alterna (que toma valores positivos y negativos) en
una seal directa o unidireccional (slo toma
valores positivos o negativos pero no ambos).
 Regulador: Circuito cuyo propsito es
proporcionar una tensin de continua de valor
constante a su salida. Esta tensin de salida ha de
permanecer insensible frente a cambios en la
fuente de seal y en la carga.
 Limitador: Circuito empleado para eliminar en la
salida una porcin de la seal de entrada que se
encuentre por encima, por debajo o situada fuera
de dos niveles de referencia, sirviendo tambin
como circuitos de proteccin contra sobretensiones
 Puertas lgicas
In1 In2 V0 In1 D1

0 0
V o.
In2 D2
0 1

1 0 1k

1 1
0

In1 D1 In1 In2 V0

V o. 0 0
In2 D2

0 1
1k

5V
1 0

1 1
0
APLICACIONES DE DIODOS EN LAS INDUSTRIAS

Detectores reflexin de objeto

Detectores de barrera
APLICACIONES DE DIODOS

Sensores de luz: Fotmetros

Sensor de lluvia en vehculos
Detectores de humo
Turbidmetros
Sensor de Color
LED

Fotodetector

Objetivo

LED azul

LED verde LED

LED rojo Fotodiodo
COMENTARIOS SOBRE CIRCUITOS

Los diodos (y el resto de dispositivos electrnicos) son dispositivos

no lineales.

Cuidado, no se puede aplicar el principio de superposicin!

VE VS
EJEMPLO TPICO: +
RECTIFICADOR VS
t VE
- t

VMAX ID
VE R

t
VMAX VD
RECTA DE CARGA Y PUNTO DE FUNCIONAMIENTO

CIRCUITO
LINEAL ID
RTH +

VTH VD

-
I
Caracterstica
VTH
del diodo
RTH
ID
Caracterstica del
PUNTO DE circuito lineal
FUNCIONAMIENTO (RECTA DE CARGA)

VD VTH V
 Resumen
Representacin del componentes elctricos en
diagrama V-I

I I I I I I
+ + +
V V
V
- V - V - V
Abierto Corto Resistencia
(R = ) (R = 0) (R)

I I I I
+ +
V V
- V - V
Batera Fuente
Corriente
 Savant. C, Roden. M, Carpenter. G, DISEO
ELECTRNICO, Addison-Wesley
Iberoamericana, 2010
Millman. J, Grabel. A, MICROELECTRNICA,
(6 Ed), Hispano Europea, 2012