Multiplicación de Dislocaciones

Ing. Nilthon Zavaleta G.

 Fuente de dislocaciones – Foco de Frank - Read

En metales recocidos (sin deformación plástica) la

densidades de dislocaciones es del orden de 1010 disl./m2;
mientras que, metales altamente deformados en frío
alcanzan valores de 1015 disl./m2.
Esto significa que la deformación plástica aplicada a un
metal, no solamente pone en movimiento las dislocaciones
sino que produce la multiplicación de ellas.
Uno de los mecanismos más conocidos de generación de
dislocaciones es el Generador de Frank-Read (1948).
(Charles Frank y Thornton Read)
Fuente de dislocaciones de FRANK-READ
Considérese una dislocación de
borde positiva bc, que queda en
el plano de deslizamiento ABCD,
y se conecta a otras t dos
dislocaciones de borde ab y cd.
Estas dos últimas dislocaciones
son sésiles porque no se
encuentran en el plano de
deslizamiento apropiado.

Si el cristal es sometido a una tensión de corte τ, paralelo al vector

de Burgers b, la dislocación experimenta una fuerza normal F= τ.b
y la porción deslizante bc, de borde positivo, se empieza a mover
hacia la derecha sobre el plano de deslizamiento, mientras
permanece fija en los puntos b y c.
Fuente de dislocaciones de FRANK-READ
El segmento bc se moverá bajo la
acción de la tensión cortante τ.
Esta tensión cortante τ doblará la
dislocación
di l ió hasta un radio dedi
curvatura R dado por: Gb
τ≈
R
2R
El radio de curvatura variará. En la
posición 1, R = ∞; en la posición 2,
R = L/2; y en la posición 3, R > L/2.

El
El radio de
de curvatura alcan ará un valor
alcanzará alor mínimo dede L/2 2 en lala
posición semicircular 2, y para cualquier otra posición su valor será
mayor. Así, la posición 2 semicircular, es una posición crítica y por lo
i á una tensión cortante
tanto requerirá t t máxima, dadad d por: Gb
Si τaplicada > τcrítica la dislocación se expandirá
τcrítica ≈
L
Fuente de dislocaciones de FRANK-READ
Si en la posición 4 adicionamos el
sentido de la dislocación, tenemos:
En los puntos II, IV y VI las
dislocaciones son de borde puro,
siendo de sentidos opuestos II y VI
respecto a IV, y se alejarán uno de
otro bajo la acción de la tensión
cortante τ.
En los puntos I, III, V y VII las
dislocaciones son de hélice pura.
Puesto que I y VII son de sentidos
opuestos, se moverán en direcciones opuestas acercándose la una
hacia la otra, y cuando se encuentran se aniquilan haciendo que la
línea se rompa en dos partes, como se muestra en la porción
punteada de la posición 4’.
Fuente de dislocaciones de FRANK-READ
En la posición 4 ´ la l
dislocación se ha roto en dos
partes, una que está
conectada aúnú a los puntost b
y c, y la otra que se ha
convertido en un lazo de
dislocación. El lazo de
dislocación se deslizará hacia
la superficie del cristal
generando la deformación. La
porción conectada aún a los
puntos b y c regresará a la
posición 1 y luego continuará
hasta la posición 2, 3, …
hasta la 5. Esto generará
varios lazos conforme se
repite este ciclo.
Fuente de dislocaciones de FRANK-READ
 Regresa a su posición inicial
para generar otro lazo

Formará el lazo de dislocación

Aniquilamiento de dislocaciones: (a) El vector de Burger es el mismo pero el

sentido de las líneas de dislocación son contrarias, ambas dislocaciones se
atraerán hasta cancelarse. (b) Después del aniquilamiento de las dislocaciones.
Fuente de dislocaciones de FRANK-READ
No obstante, la fuente de Frank-
Read no continúa generando
dislocaciones indefinidamente.
Cada lazo de dislocación
generado produce un tensor de
tensiones que se opone a la
tensión aplicada para formar el
nuevo lazo. Cuando el número
de lazos de dislocaciones es tal
que la tensión aplicada iguala a
la tensión impuesta por el
apilamiento de dislocaciones, la
fuente de Frank-Read llega a ser
cancelada.
Fuente de dislocaciones en aluminio-3.5%Mg
 Defectos superficiales
Los defectos cristalinos superficiales son alteraciones en el
apilamiento de planos atómicos a través de una superficie. Dicha
alteración puede ser tanto de orientación, como en la secuencia de
apilamiento de planos.
Tipos de defectos superficiales para distintas relaciones entre
superficies cristalinas

Relación Defecto superficial

Igual orientación pero desplazada Falla de apilamiento
Diferente orientación con simetría Límite de macla
Diferente orientación con ángulo pequeño Límite de ángulo pequeño
Diferente orientación con ángulo grande Limite de grano
1. Falla de apilamiento
Es un defecto superficial donde la secuencia de apilamiento ha sido
interrumpido. Por ejemplo, para la estructura FCC el apilamiento de
planos atómicos es ABCABCABC…… pero puede cambiar de
secuencia a:

Esta falla se puede describir como una región delgada de

apilamiento HCP en un cristal FCC. Estas fallas se forman durante el
crecimiento cristalino o durante la disociación de una dislocación
perfecta en dislocaciones parciales.
A ambos lados de la imperfección, el material cristalino tiene la
misma orientación, pero existe un desplazamiento relativo cuya
magnitud es igual al vector de Burgers de la dislocación parcial.
Fallas de empaquetamiento en un cristal de silicio, limitados por dislocaciones
parciales (flechas). Los defectos de apilamiento cortan las superficies libres de
la lámina delgada, por eso se observa como cintas de anchura constante (lados
superiores rectos)
Dislocaciones disociadas en el ZrN mostrando las fallas de empaquetamiento y
las dislocaciones parciales
 Mecanismo de deslizamiento cruzado en cristales FCC
a) Dislocación de hélice disociada en su plano de deslizamiento
b) Asociación puntual por colisión con un obstáculo
c) Disociación y expansión en el plano secundario a partir de la asociación
 Defectos superficiales: Límite de macla
2. Maclas
Se pueden formar en un cristal (a) durante su crecimiento y (b) durante su
deformación.
2.1. Maclas de crecimiento:
En metales FCC (Cu, Al, Latón, Acero inoxidable austenítico, etc.) es común
la formación de maclas de crecimiento durante la recristalización, y se le
conoce como maclas de recocido.

La región maclada tiene la misma

estructura cristalina que la matriz, pero
diferente orientación.
Latón (FCC) recocido.
Morfología de las maclas de recocido:

La parte “B” del grano a

maclado respecto a la
parte “A”. Es poco
común

La parte A1 y A2 del
grano presentan la
misma orientación. La
pare “B” presenta Acero inoxidable austenítico (fcc)
diferente orientación
y a maclado respecto
a A1 y A2 .
2.2. Maclas de deformación
Existe casos en que la deformación por deslizamiento no es favorecido por
diferentes motivos como: Pocos sistemas de deslizamiento (HCP),
orientación no favorable (bajo fsch), alta velocidad de deformación y baja To.
Esto genera otra forma de deformación plástica llamada maclaje con ciertas
características:
1. Se origina por una tensión de corte que produce la deformación de una
sección completa del cristal (no por el movimiento de dislocaciones).
2. La región maclada es imagen especular de la región no maclada.
3. La tensión de corte requerida para producir maclado es, por lo general,
mayor que para producir deslizamiento de dislocaciones.
4. Es un mecanismo de deformación importante en metales HCP (HCP
presenta pocos sistemas de deslizamiento). A su vez un metal HCP
maclado puede ser más fácilmente deformado que uno libre de maclas.
5. En metales BCC solo aparece el maclado con alta velocidad de
deformación y baja To. En metales FCC solo se ha observado maclas de
deformación a muy bajas To (4 K).
2.2. Maclas de deformación
Los planos atómicos se mueven en la red paralelo al
plano de macla, de manera que la red se divide en
dos partes simétricas pero con diferente orientación.
La cantidad de movimiento de cada plano es
proporcional a su distancia del plano de maclaje.
En un sistema FCC, la red sigue siendo FCC tanto en la
macla como en la matriz, la diferencia es que en la
macla los planos se encuentran desplazados.

ABCABCABCABC
ABCBACABCABC
Granos equiaxiales y maclas de deformación en Zn de alta pureza
 Imperfecciones Superficiales
3. Límites de grano
Los granos, en especial en metales deformados, no son monocristales
perfectos, sino que se encuentran divididos en subgranos. Estos subgranos
pueden ser considerados monocristales.
Los granos y subgranos forman
interfases dentro del cristal
separando dos regiones con
diferentes orientaciones.
Según el ángulo de orientación se
les conoce como limites de alto
ángulo y límites de bajo ángulo.
Los límites que son observados
mediante el ataque metalográfico
corresponden a los límites de alto
ángulo.
3.1. Límites de grano de bajo ángulo
Corresponden a los sub-granos formados dentro del grano. La diferencia
de orientación es de 0 – 10o, y pueden visualizados como un arreglo de
dislocaciones de borde o hélice.

Este ordenamiento es muy estable

considerando que cancela las
regiones de tracción y compresión de
las dislocaciones a través del límite de
sub-grano, eliminando los campos de
tensiones de largo alcance.

Las regiones alrededor del límite

están débilmente deformados, por lo
que su energía de límite de sub-grano
es pequeña menor a 0.3 J/m2.
3.2. Límites de grano de alto ángulo
Cuando el ángulo de desorientación es mayor a 10o. Se lo describe como
dos cristales que crecen y se tocan en puntos irregulares

El límite contiene átomos que pertenecen a ambos

cristales (D) y átomos que no pertenecen a ningún
cristal (A); contiene zonas de compresión (B), y
zonas de tracción (C). Su amplitud es de solo unos
pocos ángstroms.
El ajuste a través del límite es pobre (estructura
abierta), lo cual permite una mayor difusión de
otros elementos (aleantes) en la red. Asimismo, en
esta estructura abierta, las uniones entre los
átomos son rotas o altamente distorsionadas por
ello presentan una alta energía de superficie
alrededor 0.5 – 0.6 J/m2.
En los metales policristalinos más del 90% son de
alto ángulo.
4. Límites de grano entre fases presentes en metales policristalinos
Corresponde al límite entre dos fases sólidas con diferente estructura y
composición. Pueden ser subdivididas en; (a) límite coherente; (b) límite
semi-coherente y ; (c) límite incoherente.

¿Que interfase presentan estos precipitados con la matriz?

4.1. Límites coherente
Ocurre cuando las dos fases encajan perfectamente a través de la interfase.
La condición principal (sin considerar especie química) es que ambas fases
tengan la misma configuración atómica, para lo cual debe tener una
orientación particular.

Interfases coherentes sin presencia de deformación. (a) Cada fase tiene

diferente composición química pero la misma estructura cristalina. (b)
Cada fase tiene diferente composición química y diferente estructura
cristalina
4.1. Límites coherente
Ejemplo: en una aleación Cu-Si, se
forman dos fases con límite coherente:
Fase k (HCP) rica en silicio
Fase  (FCC) rica en cobre
Sus parámetros son tales que el plano
(111) FCC es idéntico al plano (0001)k
HCP. Ambos son planos compactos y su
distancia interatómica son muy
similares. Su relación de orientación es:
Interfases coherentes con ligero desajuste
que conduce a una deformación de
coherencia en las redes adyacentes.

(111) // (0001) k
[1 10] // [1120]k
4.1. Límites coherente
No obstante que existe coherencia, también existe un cambio químico a través de
la interfase. Esto incrementa la energía de los átomos en la interfase debido a la
contribución química:
 coherente   q   deformación

Por lo general la energía de interfase coherente oscila hasta 0.2 J/m2.

En el caso que ambas fases contiguas

son similares en estructura pero sus
parámetros son ligeramente
diferentes ( 2% diferencia). Se puede
mantener la coherencia con una
pequeña deformación en ambas redes.
Esto es conocido como coherencia
deformada. Esto ocurre con
precipitados pequeños (50 nm).
Ejemplo: VC/NbC
4.1. Límites coherente
4.2. Límites semicoherente
Cuando la deformación asociada con la interfase coherente es muy alta; esto
genera un incremento en la energía del sistema y energéticamente llega a ser más
favorable la interfase semi-coherente.
Ejemplo: Se produce un desajuste de la red
perfecta cada 7 espaciamientos de la red .
Cada 7 espaciados se forma una dislocación
de borde para relajar la deformación.
El Parámetro que mide el desajuste o
discrepancia, es:
a  a 

a
Espaciamiento entre las dislocaciones:
 semi coherente   q   st D
a


La energía de interfase semicoherente es alrededor de 0.2 – 0.5 J/m2. Conforme

incrementa , disminuye D y el sistema tenderá a una interfase incoherente. Esto ocurre
cuando   0.25 (D4).
4.3. Límites incoherente
Ocurre cuando en el plano de interfase /, las dos fases tienen una
configuración diferente. Esto puede deberse:
• Ambas fases presentan estructuras cristalinas muy distintas.
• Presentan las mismas estructuras cristalinas, pero sus distancias interatómicas
difieren por más del 25%.

Presentan rasgos comunes con los límites de alto

ángulo, su energía de interfase es alrededor de
0.5-1 J/cm2.
4.3. Límites incoherente

Presentan rasgos comunes con los límites de alto ángulo, su energía

de interfase es alrededor de 0.5-1 J/cm2.