Ingeniería Civil Electrónica

Electrónica I

Conductores, aislantes y semiconductores

Conductores: se les llama conductores a aquellos materiales que poseen muy baja
resistencia paso de corriente eléctrica por el (muy buena conductividad), estos
materiales poseen un gran número de electrones (potencialmente electrones libres) que
pueden moverse fácilmente de átomo en átomo con muy poca energía externa.
Típicamente, los buenos conductores tienen sólo un electrón en la órbita de valencia (la
más alejada del núcleo). Todos los metales son conductores, unos mejores que otros.
Buenos conductores son: la plata, el cobre, el aluminio, el estaño.

Plata:47
(2,8,18,32,1) Electrón de
valencia
(electrón 47)

El término valencia se utiliza para

indicar que el potencial (potencial de
ionización) requerido para remover
cualquiera de estos electrones de la
estructura atómica es significativamente
más bajo que el requerido para cualquier
otro electrón en la estructura.

Configuración electrónica
de la plata
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Oro:79 Electrón de
Electrón de valencia valencia
N (electrón 29) (2,8,18,32,18,1)
Cobre: 29 (electrón 79)
M
(2, 8, 18, 1) L
K
+ 29

Configuración
electrónica del cobre
Configuración
electrónica del oro
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Aislantes
Se les llama aislantes a aquellos materiales cuyos electrones están fuertemente ligados
al núcleo, y por lo tanto son incapaces de desplazarse por el interior y
consecuentemente, conducir electricidad (poseen alta resistencia). Buenos aislantes
son por ejemplo: los plásticos, la mica, la porcelana, el poliéster, el vidrio, el caucho, el
aire, etc.

En un dieléctrico los electrones

están fuertemente unidos a su
núcleo por lo que se necesita
aplicar mucha energía para que
los electrones de valencia entren
en la banda de conducción.
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Semiconductores
Los semiconductores son una clase especial de elementos cuya
conductividad se encuentra entre la de un buen conductor y la de un
aislante. Los semiconductores más utilizados por la industria electrónica
son el Silicio (Si), el Germanio (Ge) y el Galio-Arsénico (GaAs).

Silicio y Germanio,
átomos tetravalentes

Galio átomo Arsénico átomo

trivalente pentavalente
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Niveles de energía
Dentro de la estructura atómica de cada átomo aislado hay niveles
específicos de energía asociados con cada capa y electrón en órbita. Los
niveles de energía asociados con cada capa son diferentes según el
elemento de que se trate. Sin embargo, en general:

“Cuanto más alejado está un electrón del núcleo, mayor es su

estado de energía y cualquier electrón que haya abandonado
a su átomo padre tiene un estado de energía mayor que todo
electrón que permanezca en la estructura atómica”
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Bandas de conducción y valencia de un

aislante, un semiconductor y un conductor.
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Configuración electrónica
Es la manera en la cual los electrones se estructuran dentro de un
átomo. El número de electrones posibles dentro de una capa es
determinada por la expresión 2n², donde n corresponde al número de la
capa. Así la primera capa puede tener un máximo de 2 electrones, la
segunda 8, la tercera 18 y la cuarta 32 y así sucesivamente. Las capas
sucesivas son denominadas K, L, M, N, O, P y Q en orden creciente de
distancias respecto del núcleo. Al completarse una capa de electrones, el
siguiente electrón se ubica en la capa de energía inmediatamente mayor.

N Electrón de valencia
Cobre:29 M (electrón 29)
L
(2, 8, 18, 1)
K
+ 29

Configuración electrónica del cobre

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Cada capa se divide a su vez en subcapas, donde la primera subcapa

puede contener un máximo de dos electrones; la segunda subcapa, seis
electrones; la tercera, diez electrones. Por lo general las subcapas se
simbolizan mediante las letras s, p, d y f, en ese orden, hacia el exterior
del núcleo.

2e 2e 6e 2e 6e 10e 2e 6e 10e 14e

s s p s p d s p d f
núcleo

Subcapas

Orbita K Orbita L
Orbita M Orbita N
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ENLACE COVALENTE Y MATERIALES INTRÍNSECOS
Enlace covalente: corresponde a la unión reforzada de dos átomos que ocurre
como resultado del compartir uno o más pares de electrones, para intentar llegar
alcanzar la estabilidad (regla del octeto). La regla del octeto dice que un átomo
cuando tiene ocho electrones en su capa de valencia es muy estable.

Material intrínseco: se aplica a cualquier material semiconductor que haya sido

cuidadosamente refinado (material casi puro) para reducir el número de
impurezas a un nivel muy bajo; en esencia, lo más puro posible que se pueda
fabricar utilizando tecnología actual.

Cristal de Silicio  Es un material eléctricamente neutro

 En un cristal de silicio o germanio

intrínseco, los cuatro electrones de
valencia de un átomo forman un arreglo
de enlace con cuatro átomos
adyacentes. (regla del octeto)
Enlace A temperatura ambiente hay
covalente alrededor de 15.000.000.000 (quince mil
millones) de electrones libres en un 1
cm³de material de silicio intrínseco.

 Los niveles de impureza actuales

pueden alcanzar 1 parte en 10 mil
millones.
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Enlace
covalente

Cristal
compuesto de
Arsénico - Galio
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 Movilidad de electrones libre GaAs 5 veces mayor al de Silicio. Se

utiliza para aplicaciones de alta velocidad circuitos integrados a gran
escala (VLSI) de alta velocidad, más caro de producir.

 Portadores libres en el Ge tienen más de dos veces la movilidad de

los electrones en el Si. Se utiliza en aplicaciones de frecuencia de
radio de alta velocidad. Más sensible a la temperatura que el Silicio.

 El Silicio es el menos sensible a la temperatura, simple proceso de

construcción (menos costo) y gran disponibilidad (uno de los más
abundantes de la tierra)
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MATERIALES EXTRÍNSECOS
Material extrínseco se conoce al semiconductor relativamente puro, que ha sido
sometido al proceso de dopado, es decir el proceso de adición de átomos de impureza
específicos.
“Hay dos materiales extrínsecos de inmensurable importancia en la
fabricación de dispositivos semiconductores: materiales tipo n y tipo p”

Tipo N
Un material tipo N se crea introduciendo elementos de impureza que contienen cinco
electrones de valencia (pentavelantes), como el antimonio, el arsénico y el fósforo.
 Los cuatros enlaces covalentes permanecen

 Quinto electrón del antimonio (Sb), queda

enlazado débilmente a su átomo padre, está en
cierto modo libre para moverse dentro del material
tipo n formado.

 El material sigue siendo eléctricamente neutro,

pero aumenta su conductividad (aumenta la cantidad
de portadores libres), si el dopado es 1 en 10
millones la concentración de portadores aumenta
unas 100.000 veces.

 Las impurezas difundidas con cinco electrones de

valencia se conocen como átomos donadores.
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Tipo P
El material tipo P se forma dopando un cristal de germanio o silicio puro con átomos de impureza que
tienen tres electrones de valencia. Los elementos más utilizados para este propósito son boro, galio e
indio.

 Número de electrones insuficientes para

completar las bandas covalentes
 El vacío resultante se llama hueco y se denota
con un pequeño círculo o un signo más, para indicar
la ausencia de un electrón.
 El vacío resultante aceptará con facilidad un
electrón libre.

 El material sigue siendo eléctricamente neutro.

 Las impurezas difundidas con tres electrones de

valencia se conocen como átomos aceptores.
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Flujo de electrones contra flujo de huecos

El efecto del hueco en la conducción se muestra en la figura. Si un electrón de valencia

adquiere suficiente energía cinética para romper su enlace covalente y llenar el vacío creado
por un hueco, entonces se creará un vacío o hueco en la banda covalente que cedió el electrón.
Existe, por consiguiente, una transferencia de huecos hacia la izquierda y de electrones hacia
la derecha.

 Un semiconductor puede conducir

electricidad.
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Portadores mayoritarios y minoritarios
En el estado intrínseco, el número de electrones libres en Ge o Si se debe sólo a los
electrones en la banda de valencia que adquirieron suficiente energía de fuentes térmicas o
luminosas para romper la banda covalente o a las impurezas que no pudieron ser eliminadas.
Los vacíos que quedan en la estructura de enlace covalente representan una fuente muy
limitada de huecos. En un material tipo n, el número de huecos no cambia significativamente
con respecto a este nivel intrínseco. El resultado neto, por consiguiente, es que el número de
electrones sobrepasa por mucho al de huecos. En el material tipo p el número de huecos
excede por mucho al de electrones.

Tipo P Tipo N

En un material tipo P el En un material tipo n el

electrón se llama portador electrón se llama portador
minoritario y el hueco mayoritario y el hueco
portador mayoritario. portador minoritario
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DIODO SEMICONDUCTOR
¿Qué ocurre cuando se unen un semiconductor tipo P y otro tipo N?

Sin polarización aplicada (Vd=0 volt)  En la región de la unión, los electrones

del tipo N se recombinan con los huecos del
P, provocando carencia de portadores libres
en esa región.

 Esta región de iones positivos y

negativos revelados se llama región de
“empobrecimiento”, debido a la disminución
de portadores libres, o zona de deflexión.

 En esta zona se crea un campo eléctrico

que a su vez crea una diferencia de
potencial, llamada también tensión umbral
E del diodo.

Sin ninguna polarización aplicada a través

de un diodo semiconductor, el flujo neto
de carga en una dirección es cero
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Polarización inversa (Vd < 0 volt)

La condición de polarización reversa o “bloqueo” se establece aplicando el potencial
positivo al material tipo N y el potencial negativo al tipo P.

 Electrones de la región de empobrecimiento

del material tipo N son atraídos hacia el
terminal positivo de la fuente (aumenta cargas
positivas o huecos), y cargas positivas son
atraídas hacia el terminal negativo desde la
zona P (aumentando cargas negativas), aumenta
la región de empobrecimiento.

 Al aumentar la región de empobrecimiento

se crea una barrera demasiado grande para
que los portadores mayoritarios la puedan
superar, por lo que el flujo de portadores
mayoritarios se reduce efectivamente Casi a
La corriente en condiciones de cero.
polarización en inversa se llama
corriente de saturación en inversa y
está representada por Is.
.
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Polarización directa (Vd > 0 volt)

La condición de polarización en directa o “encendido” se establece aplicando el potencial
positivo al material tipo p y el potencial negativo al tipo n.

 Se reduce la región de
empobrecimiento, debido a que cargas
positivas (huecos) son atraídos hacia el
terminal negativo de la fuente y cargas
negativas son atraídas hacia el terminal
positivo.

 En cuanto se incrementa la magnitud

de la polarización aplicada, el ancho de
la región de empobrecimiento continuará
reduciéndose hasta que un flujo de
electrones pueda atravesar la unión, lo
que produce un crecimiento exponencial
de la corriente.
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Indica como es la corriente por un

Ecuación de Shockley diodo bajo cualquier condición de
polarización (Inversa o directa)

Vd  Voltaje polarización directa aplicado al diodo

I s  Corriente de saturación inversa o corriente de fuga (entre 1µA y 1pA)
  Factor de idealidad (constante empírica cuyo valor esta entre 1 y 2 )
TK  Tc  273º Temperatura del diodo en grados kelvin

Voltaje térmico

 11.605 V  d


Id  Is e  T
 1
K

 
 
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Curva V – I del Diodo

Curva
comercial Real
Ecuación
Shockley
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Región Zener
En un diodo cuando se aplica un voltaje negativo de gran magnitud, este producirá un
cambio abrupto de sus características. La corriente se incrementa muy rápido en una
dirección opuesta a la de la región de voltaje positivo. El potencial de polarización en
inversa que produce este cambio dramático de las características se llama potencial
Zener y su símbolo es Vz.

PRB

VK
Región de
avalancha o
zona zener Vd < 0 Región Vd > 0 Región de
de polarización polarización directa
inversa

PRB : Voltaje de ruptura (Peak Inverse Voltage)

VK : Voltaje umbral (Threshold)

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Comparación curvas Si, Ge, GaAs

Vk Vk Vk

V K(v)
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Ejemplo:
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Resumen uso comercial actual de Ge, Si y GaAs

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NIVELES DE RESISTENCIA

Resistencia de CD o estática

La aplicación de un voltaje de cd a un circuito que contiene un diodo semiconductor produce

un punto de operación en la curva de características que no cambia con el tiempo. Los
niveles de resistencia de cd en el codo y debajo de el son mayores que los niveles de
resistencia obtenidos para la sección de levantamiento vertical de las características. Los
niveles de resistencia en la región de polarización en inversa son por naturaleza bastante
altos

Determinación de la resistencia de cd de un
diodo en un punto de operación particular.
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Ejemplo: Determine los niveles de resistencia de cd del diodo de la figura

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Resistencia de CA o dinámica (determinación gráfica)

Si se aplica una entrada senoidal en lugar de una de cd, la situación cambiará por completo. La
entrada variable moverá el punto de operación instantáneo hacia arriba y hacia abajo de una
región de las características, y por lo tanto define un cambio específico de la corriente y
voltaje como se muestra en la figura. Sin ninguna señal variable aplicada, el punto de
operación sería el punto Q que aparece en la figura, determinado por los niveles de cd
aplicados.

Cuanto más inclinada sea la pendiente, menor

será el valor de Vd con el mismo cambio de Id y
menor es la resistencia. La resistencia de ca en
la región de levantamiento vertical de la
característica es, por consiguiente, bastante
pequeña, en tanto que la resistencia de ca es
mucho más alta con niveles de corriente bajos
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Ejemplo: Para las características de la figura:

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Resistencia de CA o dinámica (aproximación analítica)

Hay una definición básica en el cálculo diferencial que

manifiesta que:
Invirtiendo el resultado para definir una
“La derivada de una función en un punto es igual a la relación de resistencia (R=V/I) se tiene:
pendiente de la línea tangente trazada en dicho punto”
dVD nV
 rd  T
dI D ID

d(I D ) 1
 I S eV D
/nVT

dVD nVT Sustituyendo n=1 y VT26 mV se obtiene:

d(I D ) 1 La resistencia dinámica se

 [ I S eV D
/nVT
 IS  IS ] 26mV
dVD nVT rd  determina sólo con reemplazar
ID el valor de trabajo de la
ID corriente del diodo Id.
d(I D ) 1
 [ I D  I S ] En general: I D  I S
dVD nVT Recordar que:

d(I D ) I D

dVD nVT
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Resistencia de ca promedio

Si la señal de entrada es suficientemente grande para producir una amplia variación tal como se
indica en la figura, la resistencia asociada con el dispositivo en esta región se llama resistencia
de ca promedio. La resistencia de ca promedio es, por definición, la resistencia determinada
por una línea recta trazada entre las dos intersecciones establecidas por los valores máximo y
mínimo del voltaje de entrada.

El hecho de que un nivel de resistencia se pueda

utilizar en un intervalo tan amplio de
características comprobará su utilidad en la
definición de circuitos equivalentes de un diodo.
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Tabla de resumen
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Circuitos equivalentes para diodos
Un circuito equivalente es una combinación de elementos elegidos de forma apropiada
para representar de la mejor manera las características terminales reales de un
dispositivo, sistema o similar, para una región de operación particular.

En otras palabras, una vez que se define el circuito equivalente, es posible eliminar el
símbolo del dispositivo de un diagrama y sustituirlo por el circuito equivalente sin
afectar de forma importante el comportamiento del sistema. El resultado a menudo es
una red que puede resolverse mediante técnicas tradicionales de análisis de circuitos.
Para el diodo se utilizan tres modelos básicos dependiendo del nivel de exactitud que se
desea.

 Circuito equivalente de segmentos lineales.

 Circuito equivalente simplificado.
 Circuito equivalente ideal.
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Circuito equivalente ideal

id Curva característica real

Curva característica ideal

En polarización directa, la caída

de tensión es nula, sea cual sea
el valor de la corriente directa
conducida

Vd
En polarización inversa, la corriente
conducida es nula, sea cual sea el
valor de la tensión inversa aplicada
Modelo equivalente ideal
Id

Interruptor ideal

VD  0
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Circuito equivalente simplificado

id
Curva característica real
Curva característica
simplificada

En polarización directa, la caída de

tensión es igual a 0,7 V (para el
silicio) a cualquier nivel de
corriente (dentro de los valores
nominales).
VK Vd

Modelo equivalente simplificado

Id
Vd  0,7V
Diodo
VT  0,7V ideal
Vd
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Circuito equivalente de segmentos lineales

id Curva característica real

En polarización directa, circulará

corriente por el diodo una vez que la
caída de tensión aplicada sea mayor R prom
a 0,7 V, la caída de tensión en el
diodo depende de el nivel de
corriente y de la resistencia dinámica Curva característica se
promedio del diodo Rprom. segmentos lineales

VK Vd

Modelo equivalente de segmentos lineales

Id
Vd  0,7  R prom  I d
VK  0,7V R prom Diodo
ideal
Vd
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ID

VD
ID

VD
ID

VD