Memoria RAM

La memoria RAM (Random Access Memory) es un tipo de chip electrnico (circuito integrado) que puede almacenar informacin digital. Se pueden leer y escribir datos de tipo binario, 0 y 1, en cantidades muy grandes, organizados normalmente en grupos de 8 bit, que llamamos bytes. La memoria RAM pierde su contenido cuando se desconecta la alimentacin elctrica. Por tanto, se trata de un sistema de almacenamiento temporal.

Tipos de memorias RAM

a) Memoria RAM principal o general Es la que comnmente denominamos memoria RAM. Se trata de una o varias tarjetas con chip electrnicos que se insertan en la placa base, en los zcalos destinados al efecto. b) Memoria RAM grfica Es la memoria que se encuentra en la tarjeta grfica, tambin llamada memoria de Vdeo. Guarda lo que se va a mostrar y lo que se est mostrando en la pantalla. Se ha desarrollado memoria RAM especfica para tarjetas grficas al objeto de obtener un alto rendimiento. Actualmente la RAM grfica ms avanzada es del tipo denominado GDDR3. En algunos ordenadores de sobremesa y en muchos porttiles, no hay tarjeta grfica especfica, independiente. El procesador grfico se encuentra integrado en la placa base, y utiliza una parte de la memoria RAM principal como memoria de vdeo. Se dice que la grfica utiliza Share Memory, SM, memoria compartida. Se comparte la memoria RAM principal instalada en la placa base. Ejemplo: Un equipo tiene instalado un mdulo de memoria de RAM de 1024Mb. Para grficos se utilizan 64Mb y quedan disponibles como RAM general 1024Mb64Mb = 960Mb c) Memoria CACHE del microprocesador Se trata de una memoria RAM con tiempos de acceso ultra-rpidos que se encuentra dentro del chip microprocesador, para acelerar la ejecucin de instrucciones. d) Memoria Buffer del disco duro Es una memoria RAM que se encuentra en la circuitera electrnica del disco duro para permitir la sincronizacin de datos y favorecer una transferencia lo ms rpida posible. e) Memoria Buffer de unidad ptica (DVD): Igual que en el disco duro, es una memoria RAM que se encuentra en la circuitera electrnica de la unidad ptica (CD, DVD, Grabadora) para permitir la sincronizacin de datos y favorecer una transferencia lo ms rpida posible

Clasificaciones de las memorias RAM

a) Tipos de memoria por su tecnologa: , Rambus Inline Module Memory Desarrollada por Rambus Inc. Presente en algunos equipos pero ya obsoleta. Puede funcionar a frecuencias de 400Mhz y 800Mhz, y se instala necesariamente en pack de 2 unidades. En la actualidad es escasa en el mercado por su alto precio y poca implantacin en equipos. SDRAM Synchronous Dynamic Random Access Memory Memoria RAM dinmica (almacenamiento basado en condensadores, que requieren una frecuencia de refresco) con sincronismo de datos. La frecuencia de funcionamiento va desde 66Mhz a 133Mhz. Est diseada para ser capaz de realizar un acceso de lectura o escritura en un nico ciclo de reloj, un avance importante en su momento. Este tipo de memoria ya est obsoleto pero ha sido muy popular. Todava se encuentra en bastantes equipos, sobre todo con frecuencia de 133Mhz, tambin conocidas como PC133. DDR (Double Data Rate) Tambin se trata de un tipo de memoria RAM dinmica. DDR significa Doble Ratio de Datos, es decir, puede realizar dos accesos de lectura o escritura en un nico ciclo de reloj. Fabricada en muchas frecuencias de funcionamiento, las ms utilizadas han sido de 266Mhz, 333Mhz y 400Mhz. Es habitual encontrar memoria DDR de 400Mhz en muchos equipos instalados que funcionan con normalidad. DDR-2 (Double Data Rate- 2) La memoria DDR-2 tiene la posibilidad de realizar hasta 4 accesos de lectura o escritura en un nico ciclo de reloj. Constituyen una mejora del rendimiento sobre los modelos DDR. Es el tipo de mdulo ms utilizado en la actualidad. Las frecuencias normales de funcionamiento son 533Mhz, 667Mhz, 800Mhz.

DDR-3 (Double Data Rate- 3) Se trata de un tipo de memoria RAM recin desarrollado. Se han puesto en el mercado los primeros modelos, con frecuencias de 1066Mhz y 1333Mhz. Algunos fabricantes de placas base estn empezando a ofrecer modelos que soportan esta nueva generacin de memoria RAM. GDDR (Graphics Double Data Rate) Variante de la memoria RAM DDR, especfica para ser utilizada como memoria de vdeo en tarjetas grficas. Se encuentran soldadas en las tarjetas grficas, y no se pueden ampliar o sustituir como los mdulos de RAM general para placa base. Hay disponibilidad del tipo GDDR2, GDDR3 y en desarrollo GDDR4, con diferentes frecuencias y capacidades.

B) Tipos de memoria por su forma externa Mdulos DIMM (Dual In-line Memory Module) para pc de sobremesa. De 168 contactos Para la memoria SDRAM. Ntese que el lado de los contactos tiene dos hendiduras.

De 184 Contactos para la memoria DDR. Ntese que el lado de los contactos tiene slo una hendidura.

De 240 Contactos para la memoria DDR-2. El lado de contactos tiene slo una hendidura pero no es compatible con el zcalo de los mdulos de DDR.

DDR3 DDR3 es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologas de memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas implementaciones de la DRAM. DDR3 tiene la habilidad de hacer transferencias de datos ocho veces ms rpido, entonces permitiendo velocidades pico de transferencia y velocidades de bus ms altas que las versiones DDR anteriores. Sin embargo, no hay una reduccin en la latencia, la cual es proporcionalmente ms alta. La DDR3 permite usar integrados de 512 megabits a 8 gigabits, siendo posible fabricar mdulos de hasta 16 Gb.

DDR3 permite ms bajas corrientes de operacin y voltajes (1,5 V, comparado con los 1,8 del DDR2 los 2,5 del DDR). Dispositivos pequeos, ahorradores de energa, como computadoras porttiles quizs se puedan beneficiar de la tecnologa DDR3. Estos mdulos pueden transferir datos a una tasa de reloj efectiva de 800-2600 MHz, comparado con el rango actual del DDR2 de 533-1200 MHz 200-400 MHz del DDR. Las latencias tipicas para el estndar JEDEC para dispositivos DDR3 son 7-7-7-20 para DDR3-1066 y 7-7-7-24 para DDR3-1333. Los DIMMS DDR3 tienen 240 pines, el mismo nmero que DDR2; sin embargo, los DIMMs son fsicamente incompatibles, debido a una ubicacin diferente de la muesca. Los mdulos ms rpidos de tecnologa DDR3 ya estn listos al mismo tiempo que la industria se preparara para adoptarla.

Mdulos SO-DIMM (Small Outline DIMM) Se utilizan en ordenadores porttiles. De 144 contactos para memoria SDRAM, de 200 contactos para memoria DDR y DDR2

Caractersticas de la memoria RAM

a) Cantidad de datos - Tamao La cantidad de datos que se puede almacenar en un mdulo de memoria RAM (El tamao de memoria) se expresa habitualmente en Mbytes o Gbytes. Los tamaos ms habituales en la actualidad son: 128Mb, 256Mb, 512Mb, 1Gb y 2Gb. Recordamos que en cantidad de datos binarios 1MB = 1024KB y 1GB = 1024MB b) Frecuencia de funcionamiento Se diferencia entre la frecuencia interna y la externa. La frecuencia interna es la que suele figurar en la informacin general del producto. Resulta de multiplicar la frecuencia externa por el valor de un reloj multiplicador. Los valores ms habituales que nos podemos encontrar como frecuencia interna son: 133Mhz, 266Mhz, 333Mhz, 400Mhz, 533Mhz, 667Mhz y 800Mhz, 1066MHz. c) Memoria ECC - no ECC ECC significa Error Checking and Correcting, cdigo de correccin de errores. La mayora de los mdulos de memoria que se utilizan son no ECC. Para servidores y equipos con especiales requisitos de fiabilidad se utilizan memorias ECC, ms fiables, pero tambin ms caras. Chip ECC en el centro del modulo de memoria La memoria ECC es una memoria ms avanzada que puede automticamente detectar y corregir errores de un bit sin parar el sistema. Tambin puede para el sistema cuando ms de un error es detectado.

Chip ECC en el centro del modulo de memoria

 d)

Memoria de doble canal (Dual channel) En la actualidad prcticamente todas las placas base incluyen la gestin de memoria de doble canal, dual channel. Esta gestin la realiza el chipset puente norte. Hay que destacar que es una caracterstica incorporada en la placa base, no en la memoria. Permite gestionar la memoria RAM principal haciendo operaciones de lectura/escritura en dos (o cuatro) mdulos a la vez, que funcionaran en paralelo. Los dos (o cuatro) mdulos de memoria instalados en dual channel deben ser iguales en capacidad, frecuencia y tiempos de latencia (tiempos de acceso a los datos). e) Ancho de banda - Tasa de transferencia La tasa de transferencia o Ancho de banda representa el nmero de datos mximo que se puede transferir (leer o escribir) por unidad de tiempo. Cuando surgi la memoria DDR se empez a generalizar la utilizacin del valor de transferencia de datos de memoria, es decir, el nmero de datos que se transfieren por unidad de tiempo, adems de la frecuencia de funcionamiento. Como los nuevos micros Pentium IV tenan 64bit de datos, un total de 8 Bytes, la tasa de transferencia de datos, tambin denominada ancho de banda de la memoria se defini como: Tasa de transferencia (MBytes/seg) = Frecuencia de la memoria (Mhz) x 8 bytes Con la llegada de las memorias DDR-2 se aument la frecuencia de funcionamiento y tambin el valor de la tasa de transferencia de datos. Las tasa de transferencia (MBytes/seg) correspondientes son 533Mhz x 8 = 4.264 MB/s y por aproximacin 4200MB/s => PC2-4200 667Mhz x 8 = 5.336 MB/s y por aproximacin 5300MB/s => PC2-5300 800Mhz x 8 = 6.400 MB/s y por aproximacin 6400Mb/s => PC2-6400 Si se trata de dos mdulos idnticos, sobre una placa base que soporte dual channel deber multiplicarse x2 la tasa de transferencia (ancho de banda) mxima del conjunto, quedando: Tasa de transferencia (MBytes/seg)= Frecuencia de memoria (Mhz) x 8 bytes x 2 e) Latencia CAS La memoria RAM se estructura en una tabla de filas y columnas. El trmino CAS significa Column Address Strobe. Se trata de una seal que indica la direccin de la columna en una ubicacin especfica de memoria. Latencia CAS (CL), indica el tiempo que tarda un dato en estar disponible desde que se realiza la peticin de leer ese dato. Se expresa en nmero de ciclos de reloj. Cuanto menor es el valor de latencia CAS (CL), ms rpido es el acceso a los datos y por tanto mejor es el rendimiento de la memoria. Los valores de latencia CAS (CL) habituales suelen ser = CL25, CL3, CL4, CL5.

Fabricantes de memorias RAM

A-Data http://www.adata.com.tw/adata_es/ Buffalo http://www.buffalotech.com/products/memory/ Corsair http://www.corsairmemory.com/ Elixir http://www.elixir-memory.com/ Hynix http://hynix.com Infineon thhp://www.infineon.com/memory_products.htm Kingston http://www.kingston.com/esroot/ OCZ http://www.ocztechnology.com/products/ Samsunghttp://www.samsung.com/global/business/semic onductor/ Transcend http://www.transcendusa.com/

Vengeance 4GB Dual Channel DDR3 Memory Kit (CMZ4GX3M2A1600C9) 4GB Dual Channel DDR3 Memory Kit (CMZ4GX3M2A1600C9

Memory Type: Speed Rating: Tested Latency: SPD Latency:

DDR3 PC3-12800 (1600MHz) 9-9-9-24 9-9-9-24

667MHz, PC-5300 Unbuffered x32 Non-ECC, 240 Pin

BUFFALO Capacity CAS Part # Latency PX6671GB 5 1G Voltage 1.8V

HyperX Genesis DDR3 Memory HyperX DDR3 memory; the latest generation of DDR memory technology. Like all Kingston HyperX products, DDR3 modules are specifically engineered and designed to meet the rigorous requirements of PC enthusiasts. DDR3 memory offers faster speeds, lower latencies, higher data bandwidths and lower power consumption than DDR2. HyperX DDR3 modules are available in single, dual and triple-channel memory kits. HyperX DDR3* features: 1.7v - 1.95v voltage range for dual-channel applications for AMD based systems and Intel chipsets older than X58 1.65v voltage for triple-channel Intel Core i7 9xx series applications 1.65v voltage for dual-channel Intel Core i5 7xx series and Core i7 8xx series applications Currently available in speeds up to 2000MHz and kits capacities of 8GB dual-channel, and 12GB triple-channel configurations

2133MHz DDR3 CL 8-9-8-24 Available in 6GB (3x2048) Triple Channel Optimized Kits Unbuffered 1.65 Volts 240 Pin DIMM Pure Aluminum Heatsink OCZLifetime Warranty Part Numbers 6GB (3x2048) T/C Kit PN OCZ3B2133LV6GK

Zcalos de memoria en una placa base o bancos de memoria

Este modelo permite que se puedan instalar mdulos RAM tipo DDR DDR2. Tambin soporta dual channel.

Como manejar la memoria RAM

1. Localiza el mdulo de RAM que deseas sustituir de la tarjeta madre. 2. Retira una de las palancas laterales que sujetan al mdulo de la memoria RAM.

3. Inserta el nuevo mdulo como puedes apreciar en la imagen.

4. Presiona con firmeza y cuidado a la vez, para que la memoria quede bien colocada en su ranura. 5. Si el mdulo est bien instalado, entonces sus muescas deben encajar perfectamente las palancas laterales que sirven para mantenerlo fijo.

6. Despus de haber instalado la memoria conecta el cable de energa y enciende la computadora, si tomaste en cuenta las indicaciones tu equipo debe de prender.