UNIVERSIDADE FEDERAL DO MARANHO CENTRO DE CINCIAS EXATAS E TECNOLOGIA

MTODO DAS QUATRO PONTAS

Aluno: Cssio Soares

So Lus-MA - 2011-

SUMRIO

1 PARTE: INTRODUO RESISTNCIA, RESISTIVIDADE E A LEI DE OHM MTODOS EXPERIMENTAIS MTODO DUAS PONTAS MTODO QUATRO PONTAS MTODO DUAS PONTAS X MTODO QUATRO PONTAS

2 PARTE
MTODO QUATRO PONTAS FATORES DE CORREO 1. Amostras depositadas sobre substratos condutores (metais, etc.)
a) Amostras circulares de dimenses laterais semi-infinitas (d>40s) e espessura w. b) Amostras circulares de dimenses laterais finitas (d < 40 s) e espessura w. c) Amostras retangulares de comprimento finito a, largura finita d e espessura w

2. Amostras depositadas sobre substratos no-condutores (vidro, madeira, polmeros isolantes, etc.)
a) Amostras circulares de dimenses laterais semi-infinitas e espessura w
b) Amostras circulares de dimenses laterais finitas (d < 40 s) e espessura w

c) Amostras retangulares de comprimento finito a, largura finita d e espessura w CONSIDERAES FINAIS

MTODO DAS QUATRO PONTAS

1 PARTE

INTRODUO
Um dos parmetros fsicos de grande importncia, utilizado na caracterizao eltrica de materiais a resistividade eltrica, que uma caracterstica ou propriedade fsica de cada material ou elemento especfico. Existem vrios mtodos experimentais usados para a sua determinao, que so freqentemente de fcil compreenso e que no requerem conhecimentos aprofundados sobre Fsica do Estado Slido. A tcnica de medida de quatro pontas largamente usada para a medida de resistividades e resistncias de folha. O mtodo em si no novo, tendo sido empregado j em 1916 .

RESISTNCIA, RESISTIVIDADE E A LEI DE OHM

Resistncia eltrica uma grandeza fsica que expressa o impedimento sofrido pelos portadores de carga, sujeitos ao de um campo eltrico, ao atravessarem de um ponto a outro em um determinado corpo, sendo dependente das dimenses e do tipo de material do qual este corpo constitudo.
Resistividade eltrica uma grandeza que tambm est relacionada a um impedimento sofrido pelos portadores de carga, porm, uma propriedade intrnseca da matria, sendo independente das dimenses do corpo estudado. Portanto, resistividade uma propriedade da matria.

Consideraremos que os mtodos de medida de resistividade sero aplicados em materiais isotrpicos, nos quais as propriedades eltricas so as mesmas em qualquer direo analisada e que ainda possuam caractersticas hmicas.

Podemos definir a resistncia entre dois pontos quaisquer de um material isotrpico, aplicando-se uma diferena de potencial V entre estes pontos e medindo a corrente eltrica i que flui entre eles.
Desta forma, a resistncia do material ser dada pela equao 1. (1) Onde (1) a expresso matemtica para a lei de Ohm. Como estaremos interessados em estudar fenmenos eltricos localizados em um ponto especfico da amostra, devemos focalizar no a diferena de potencial e a corrente eltrica neste ponto, mas sim, o campo eltrico e a densidade de corrente eltrica no ponto em questo.

Em um condutor sujeito ao de um campo eltrico E , os portadores de carga fluem na direo deste campo. Sendo assim, podemos definir a densidade de corrente eltrica nesse condutor como J = i/A.

Fonte: Qumica Nova - DC electrical resistivity measurements in solids how to proceed correctly.mht

A densidade de corrente eltrica no material se relaciona com o campo eltrico aplicado da seguinte maneira: (2)

Podemos tambm definir a condutividade eltrica (), como:

(3) Partindo das definies de densidade de corrente eltrica e campo eltrico, podemos escrever:

(4)
As grandezas V, i e R so grandezas macroscpicas de grande interesse quando estamos fazendo medidas eltricas em materiais.

MTODOS EXPERIMENTAIS a) Pontes de impedncia: um mtodo menos comum, que consiste no uso de pontes de impedncia (e.g. pontes de Wheatstone)

b) Mtodo de pulsos: tambm um mtodo pouco comum, que consiste na aplicao de um pulso de tenso (ddp) de curta durao e na medida da corrente eltrica que flui atravs da amostra.

c) Mtodos sem contato: nos mtodos descritos acima necessrio que haja o contato mecnico amostra-terminais; contudo, existem outros mtodos que podem ser empregados com a mesma finalidade nos quais no existe o contato mecnico.
d) Mtodo de Duas Pontas: um mtodo bastante comum e tambm de muito fcil utilizao. Conhecendo-se com preciso as dimenses do material, pode-se fazer uma medida direta de sua resistividade eltrica medindo-se a diferena de potencial e a corrente eltrica que flui atravs da amostra sob a ao de um campo eltrico dc aplicado.

MTODO QUATRO PONTAS A tcnica de medida de quatro pontas largamente usada para a medida de resistividades e resistncias de folha. O mtodo em si no novo, tendo sido empregado j em 1916 para a medida de resistncia de terra.

Trata-se, em princpio, de um mtodo no destrutivo, muito embora a presso exercida pelos eletrodos sobre a superfcie da amostra possa vir a danificar o material caso venha a ser excessivamente alta.
A grande vantagem do mtodo a simplicidade da medida, incluindo se o fato de no ser necessrio um bom contato ohmico entre o eletrodo e a amostra.

Esquema:

Fonte: Qumica Nova - DC electrical resistivity measurements in solids how to proceed correctly.mht

Sendo este o mtodo experimental mais utilizado para caracterizao eltrica de metais e semicondutores, tambm a tcnica que mais provoca confuses quanto ao uso das equaes matemticas utilizadas nos clculos de resistividade, pois, para cada formato diferente de amostra tm-se uma equao diferente.

MTODO DAS QUATRO PONTAS

2 PARTE

MTODO QUATRO PONTAS A geometria das pontas usualmente empregada na medida de quatro pontas mostrada na abaixo:

Figura 5: Geometria empregada na medida de quatro pontas.

Fonte: Oka,Mauricio Massazumi.Medida de Quatro Pontas. Verso 1.0, jan 2000.

De maneira geral, a tenso V a uma distncia s de um eletrodo que transporta uma corrente i em um material de resistividade eltrica dada por: (6)

Considerando-se um material de dimenses semi-infinitas, como mostrado na Figura 5, com a corrente entrando pela ponta 1 da sonda e saindo pela ponta 4, a tenso V se torna:

(7)

Determinando-se o valor de V para as pontas 2 e 3, temos que:

(8)

Assim, a diferena de potencial total, V = V2 - V3, equivale a:

(9)

A partir de (9) temos que a resistividade dada por:

(10)

Usualmente, o espaamento entre as pontas das sondas igual, portanto, S1 = S2 = S3 e ento: (11)

Contudo, existem situaes onde no temos um material de dimenses semi-infinitas e, portanto, a equao 11 deve ser corrigida para uma geometria finita.

(12)

FATORES DE CORREO O fator de correo depende da geometria da amostra e deve ser utilizado para corrigir efeitos de espessura, efeitos de fronteiras e efeitos de localizao das pontas na amostra. O fator de correo F um produto de vrios fatores de correo independentes.

(13)

Fe o fator de correo para a espessura; Fdl para as dimenses laterais e; Flp o fator de correo para o local onde so colocadas as pontas

1. Amostras depositadas sobre substratos condutores (metais, etc.) a) Amostras circulares de dimenses laterais semi-infinitas (d > 40 s) e espessura w

Fonte: Schroder, D. K.; Semiconductor Material and Device Characterization, John Wiley & Sons: New York, 1990.

(14)

sendo que F1 pode ser calculado atravs da equao 15. A Tabela 1 apresenta alguns valores calculados de F1.

(15)

b) Amostras circulares de dimenses laterais finitas (d < 40 s) e espessura w.

(16)

Fonte: Schroder, D. K.; Semiconductor Material and Device Characterization, John Wiley & Sons: New York, 1990.

sendo que F2 pode ser calculado atravs da equao 17. A Tabela 2 apresenta alguns valores calculados de F2.

(17)

c) Amostras retangulares de comprimento finito a, largura finita d e espessura w

Fonte: Schroder, D. K.; Semiconductor Material and Device Characterization, John Wiley & Sons: New York, 1990.

(18)

sendo que F3 pode ser calculado atravs da equao 19. A Tabela 3 apresenta alguns valores calculados de F3.
(19)

2. Amostras depositadas sobre substratos no-condutores (vidro, madeira, polmeros isolantes, etc.) a) Amostras circulares de dimenses laterais semi-infinitas e espessura w

Fonte: Schroder, D. K.; Semiconductor Material and Device Characterization, John Wiley & Sons: New York, 1990.

(20)

(21)

sendo que F4 pode ser calculado atravs da equao 22. A Tabela 4 apresenta alguns valores calculados de F4. (22)

b) Amostras circulares de dimenses laterais finitas (d < 40 s) e espessura w

Fonte: Schroder, D. K.; Semiconductor Material and Device Characterization, John Wiley & Sons: New York, 1990.

(23)

(24) sendo que F2 e F4 podem ser calculados atravs das equaes 17 e 22 (ou obtidos nas Tabelas 2 e 4), respectivamente.

c) Amostras retangulares de comprimento finito a, largura finita d e espessura w

Fonte: Schroder, D. K.; Semiconductor Material and Device Characterization, John Wiley & Sons: New York, 1990.

(25)

(26) sendo que F3 e F4 podem ser calculados pelas equaes 19 e 23 (ou obtidos nas Tabelas 3 e 4), respectivamente.

Possveis Fontes de Erro da Medida Dimenso da Amostra O erro mais bvio no uso da tcnica ocorre quando no se efetua todas as correes decorrentes das limitaes geomtricas. Corrente de fuga do Substrato Em casos de dvida necessrio efetuar medidas para vrias correntes e efetuar a medida na faixa em que a medida independente da corrente usada. Espaamento das pontas Conforme visto, o espaamento entre as agulhas entra diretamente no clculo da resistividade. Portanto qualquer erro na determinao do espaamento reverte em erro de leitura. Temperatura Como a resistividade dos semicondutores costumam variar de forma considervel com a temperatura, um erro de at alguns porcentos pode ser introduzido, tanto pela falta de controle da temperatura ambiente quanto pelo aquecimento da amostra por efeito Joule devido corrente injetada.

Luz A luz incidindo sobre a superfcie pode adicionar uma tenso espria devido ao efeito fotovoltaico.

Efeito termoeltrico Gradientes de temperatura causados tanto pelo ambiente quanto por uma corrente excessivamente alta podem gerar tenses devido ao efeito termoeltrico.
Correntes Induzidas Em sistemas que trabalham em corrente contnua pode ocorrer das correntes esprias induzidas na amostra serem retificadas nos contatos das pontas. Corrente Injetada Se a corrente injetada for muito alta causando aquecimento da amostra, a prpria condutividade pode ser modulada. Tenso Aplicada Se o campo eltrico torna-se muito alto a mobilidade dos portadores se satura resultando uma resistividade maior que a real.

CONSIDERAES FINAIS Os mtodos duas pontas tornam-se, geralmente, indesejveis para medidas que requerem alta preciso. De maneira geral, recomenda-se o uso do mtodo da sonda quatro pontas para medidas em materiais metlicos e semicondutores. importante realizar os experimentos sempre em um ambiente com temperatura e umidade controladas.

A sonda quatro pontas pode ser adquirida comercialmente ou construda em laboratrio. O nico desconforto na construo da com relao disposio das pontas, que devem ser colineares e equidistantes.