TCNICAS DE MICROANLISIS EN MICROSCOPIA ELECTRNICA DE BARRIDO

LA MICROSCOPIA ELECTRONICA DE BARRIDO

Un can de electrones con un filamento que acta como emisor o fuente de iluminacin. Un sistema de lentes electromagnticas para focalizar y reducir a un dimetro muy pequeo el haz de electrones. Un sistema de barrido que hace recorrer el haz de electrones por la superficie de la muestra. Uno o varios sistemas de deteccin que permiten captar el resultado de la interaccin del haz de electrones con la muestra. Una salida conectada a una o varias bombas que producen el vaco necesario para que el conjunto funcione adecuadamente.

LA MICROSCOPIA ELECTRONICA DE BARRIDO

La tcnica esencialmente consiste en hacer incidir en la muestra un haz de electrones. Este bombardeo de electrones provoca la aparicin de diferentes seales que, captadas con detectores adecuados, proporcionan informacin acerca de la naturaleza de la muestra.

LA MICROSCOPIA ELECTRONICA DE BARRIDO

Informacin que se obtiene:

TOPOGRAFA: Caractersticas superficiales de un material (textura) MORFOLOGA: Forma y tamao de las partculas que constituyen al material. COMPOSICIN: Elementos qumicos mayoritaros presentes; anlisis cualitativo y semicuantitativo.

CRISTALOGRAFA: Como se arreglan los tomos que conforman al material (EBSDP)

MICROSCOPIA ELECTRONICA DE BARRIDO Rayos X caractersticos Al interaccionar el haz de electrones incidente con los tomos del material, puede incluso arrancar electrones (secundarios) de las capas electrnicas internas de los tomos, ionizndolos y por ende dejndolos en un estado excitado. Para regresar al estado base o de mnima energa, un electrn de una capa externa ocupar la vacancia, emitindose el remanente de energa a travs de un R-X caracterstico o un electrn Auger.

MICROSCOPIA ELECTRONICA DE BARRIDO Rayos X caractersticos Vs Electrones Auger

Z4 W= -------a+ Z4

La probabilidad de emisin de rayos X caractersticos respecto de emisin de electrones Auger depende del nmero atmico Z y decrece de manera proporcional a Z4 conforme Z decrece.

MICROSCOPIA ELECTRONICA DE BARRIDO Rayos X caractersticos De acuerdo al modelo atmico, existe una diferencia energtica entre cada capa (y subcapa) electrnica en el tomo.

Esta diferencia de energas se pierde en forma de radiacin electromagntica (R-X) cuando un electrn ocupa una vacancia en una capa ms interna.
La energa de los rayos X emitidos indica cual fue el elemento emisor (Ley de Moseley) y la intensidad de esta seal depende de la concentracin de dicho elemento en la muestra.

MICROSCOPIA ELECTRONICA DE BARRIDO

Rayos X caractersticos - Energa crtica de ionizacin

El electrn incidente debe transmitir una cantidad mayor de energa que cierto valor crtico (Ec - energa critica de ionizacin) al electrn de una capa interna para producir la ionizacin. El valor de Ec se incrementa cuando los electrones estn ms fuertemente amarrados al ncleo para tomos con mayor nmero atmico Ec es alto.

C 0.284 keV O 0.532 keV S K 2.47; L1 0.229 keV Cr K 5.989; L1 0.695, L2 0.584, L3 0.640 keV

MICROSCOPIA ELECTRONICA DE BARRIDO Radiacin de frenado Las partculas elctricamente cargadas experimentan cierta fuerza en presencia de un campo elctrico o magntico experimentando una aceleracin o desaleracin.
Los electrones en el MEB poseen sufiente energa (altas velocidades) que al pasar en las vecindades de un ncleo atmico (de la muestra) sufre una desviacin y/o desaleracin. En consecuencia, radiacin electromagntica en la regin de los rayos X es emitida

MICROSCOPIA ELECTRONICA DE BARRIDO Radiacin de frenado

Dado la interaccin puede ocurrir en cualquier punto del campo elctrico del ncleo atmico y que todas las flexiones son posibles, se producir un espectro continuo de energas.

El espectro de energas de R-X consiste, por lo tanto de dos componentes: los picos caractersticos y la radiacin de frenado (Bremsstrahlung)

Z nmero atmico, N(E) nmero de rayos X (fotones) de energa E, Eo energa del electrn incidente y K constante de Kramer

MICROSCOPIA ELECTRONICA DE BARRIDO Penetracin del haz

Las diferentes formas que puede tomar el volumen de interaccin depende del nmero atmico promedio del material y de la energa del haz.

R=0.064(Eo1.68-Ec1.68)/
Simulacin con Monte-Carlo de la dispersin del haz de electrones incidentes de 20 keV en carbn y fierro R = resolucin espacial (m); Eo = energa del haz incidente (keV); Ec = energa crtica de ionizacin (keV); = densidad media de la muestra (g/cm3).
John J. Friel. X-ray and Image Analysis in Electron Microscopy, Princeton Gamma-Tech.

MICROSCOPIA ELECTRONICA DE BARRIDO Influencia de la presin en la cmara

Ionizacin del gas en la cmara de muestreo del microscopio electrnico de barrido de presin controlada.

Diagrama del microscopio electrnico de barrido

MICROSCOPIA ELECTRONICA DE BARRIDO Sistema de deteccin - EDS

El mecanismo de deteccin consiste principalmente de un detector de Si(Li) montado en tubo enfriado con LN2 (dedo fro), la electrnica asociada al detector, una analizador multicanal y procesador de datos.

MICROSCOPIA ELECTRONICA DE BARRIDO Sistema de deteccin - EDS

MICROSCOPIA ELECTRONICA DE BARRIDO Sistema de deteccin - EDS

Vista transversal del detector de Si(Li). Los R-X crean pares electron-hueco en la regin activa del semiconductor; estas cargas migran a los electrodos correspondientes al aplicar una diferencia de potencial (bias).

Energa de R-X carga elctrica: 3.8eV / electron-hueco

MICROSCOPIA ELECTRONICA DE BARRIDO Sistema de deteccin - EDS

Tiempo real: tiempo vivo y tiempo muerto. El tiempo vivo es el tiempo en el que el detector es capaz de recibir y procesar un evento. El tiempo muerto es aquel en el que el detector o el pre-amplificador estn procesando un evento, por lo que no pueden, durante ese tiempo recibir otro evento. Fluorescencia interna del Si puede conducir a
una incorrecta presencia de Si (ms probable para R-X con energas ligeramente superiores que la de Si K).

Efecto de amontonamiento Posibilidad (para alta

razn de conteo) de que dos R-X entren al detector al mismo tiempo.

Picos de escape

MICROSCOPIA ELECTRONICA DE BARRIDO Sistema de deteccin - EDS

Eficiencia en la geometra de coleccin se refiere al ngulo slido de coleccin en un espectrmetro. Su valor depende del rea del detector (10 mm2) y la distancia hacia la muestra. El sistema esta diseado para muestras planas y colocadas de manera normal a la direccin del haz.

MICROSCOPIA ELECTRONICA DE BARRIDO Sistema de deteccin - EDS

Al modificar la elevacin del portamuestras (z), se aleja o acerca la muestra a las lentes objetivas (8 WD 48).
WD

Esta distancia, llamada distancia de trabajo, WD (distancia entre la parte inferior de la pieza polar de la lente objetiva y la superficie superior de la muestra) mejora la resolucin de la imagen cuando es pequea, pero incrementa la visin de campo cuando es grande.
WD

Influye en el anlisis qumico elemental.

MICROSCOPIA ELECTRONICA DE BARRIDO Sistema de deteccin - EDS

MICROSCOPIA ELECTRONICA DE BARRIDO Sistema de deteccin - EDS

ALGUNOS EJEMPLOS

Muestras en forma de polvos

Anlisis por EDS a 100X Distancia de trabajo: 10 mm Modo de alto vaco Energa del haz: 10, 15, 20, 25 y 30 keV

Microscopio electrnica de barrrido de bajo vaco JSM5900LV Con sonda para anlisis qumico elemental por EDS marca Oxford

RESULTADOS
Cuarzo - SiO2 10 keV
Elemento % en peso O 55,12 Si 44,88

20 keV
Elemento % en peso O 41,49 Si 58,51

(K)

(K)

30 keV
Elemento % en peso O 34,75 Si 65,25

RESULTADOS
Cuarzo - SiO2

SiO2 Si (46.74 % wt) O (53.26 % wt)

(K)

(K)

RESULTADOS ZrO2
10 keV
Elemento % en peso O 43,94 Zr 56,06

20 keV
Elemento % en peso O 26,77 Zr 73,23

(K)

(L)

30 keV
Elemento % en peso O 15,73 Zr 84,27

RESULTADOS ZrO2

ZrO2

Zr (74.03 % wt) O (25.97 % wt)

(K)

(L)

RESULTADOS
Sin limpieza
Elemento Promedio C 18,12 O 24,38 Mg 0,35 Si 0,79 S 0,39 Cu 0,79 Ag 55,18

Con limpieza
Elemento Promedio C 9,22 O 6,69 S 0,49 Cu 2,11 Ag 81,48

Elemento Promedio C 7,53 O 13,34 Mg 0,07 Si 0,67 S 0,45 Cu 7,20 Ag 70,73

Elemento Promedio C 3,26 O 0,46 S 0,30 Cu 22,40 Ag 73,59

RESULTADOS
Elemento Promedio C 5,17 O 1,70 S 0,87 Cu 14,14 Ag 78,13

Elemento Promedio C 8,03 Cr 15,89 Fe 76,07

Elemento Promedio C 8,84 Cr 16,41 Fe 74,75

Elemento Promedio C 11,86 O 0,32 Al 10,47 Ni 1,78 Cu 75,59

ANLISIS QUMICO-ELEMENTAL - EDS

VENTAJAS EDS es una tcnica no destructiva que permite el anlisis de reas tan pequeas de algunos micrmetros y elementos con nmero atmico de 5 o ms. Una amplia gama de materiales pueden ser analizados. Es posible realizar mapeos elementales. Aceptable resolucin de seal. DESVENTAJAS Resolucin: 130 eV No detecta elementos con Z<5. Se llega a observar la superpocin de seales (p. ej. SK and AuL). No posible distinguir estados valencia (e.g. Fe2+ vs. Fe3+). No distingue istopos. Aceptable sensibilidad de

Su sensibilidad permite detectar niveles elementales tan bajos como 0.1 ppmw (elementos mayoritarios).
La cuantificacin relativamente rpida. elemental es

REFERENCIAS
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10.

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