CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES

Captulo 3 Arreglos atmicos y inicos

Objectivos del Captulo 3

Estudiar la clasificacin de los materiales basado en los arreglos atmicos y inicos. Describir los arreglos en los slidos cristalinos de acuerdo con las estructuras de la red, base y cristalina.

Contenido

3.1 Orden de corto alcance Vs. orden de largo alcance. 3.2 Materiales amorfos, principios y tecnologa de aplicacin 3.3 Redes, celdas unitarias, bases y estructuras cristalinas 3.4 Tranformaciones alotrpicas o polimorfas 3.5 Puntos, direcciones y planos en la celda unitaria. 3.6 Sitios intersticiales. 3.7 Estructuras cristalinas de los materiales inicos. 3.8 Estructuras covalentes
3

Seccion 3.1 Orden de corto alcance Vs. Orden de largo alcance

SRO Un material tiene orden de corto alcance si el arreglo espacial de los tomos solo se extiende a su vecindad . LRO El arreglo tomico espacial abarca escalas de longitud mayores a 100 nm, formando un patron regular y repetitivo. Condensado de Bose-Einstein (BEC) Predijeron la existencia de este estado de la materia, donde un grupo de tomos enfriados a temperaturas muy bajas (justo arriba de 0 K, mediante lseres y trampas magnticas, tiene el mismo estado cuntico fundamental. Uno de sus usos podra ser lseres atmicos

Figura 3.1 Niveles de ordenamiento tomico en los materiales: (a)Los gases monotomicos inertes no tienen ordenamiento regular de tomos. (b y c) algunos materiales que incluyen vapor de agua, nitrogeno gaseoso, silicio amorfo y vidrios de silicato, tienen orden de corto alcance. (d) Metales,aleaciones y muchas cermicas, as como polmeros, tienen ordenamiento regular de tomos o iones que se extiende a travs del material.
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Figura 3.2 Tetraedro bsico de Si-O en el vidrio de silicio.

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Figura 3.3 Arreglo tetradrico de los enlaces C-H en el polietileno.

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Figura 3.4 (a) Fotografa de un monocristal de silicio. (b) Micrografa de un acero inoxidable policristalino, donde se ven los granos y los lmites de grano (Cortesia de los Dr. M. Hua, Dr. I. Garcia, y Dr. A.J. Deardo.)

Figura 3.5 Pantalla de cristal lquido, estos materiales son amorfos en un estado y sufren cristalizacin localizada como respuesta a un campo elctrico externo se usan mucho en las pantallas de cristal lquido (LCD). (Cortesia de Nick Koudis/PhotoDisc/Getty Images.)

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Figura 3.7 Clasificacin de los materiales con base en la clase de orden atmico.

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Seccin 3.2 Materiales amorfos: Principios y aplicaciones tecnolgicas

Materiales amorfos Vidrios Vitroceramicas

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Figura 3.9 (b) Esquema del proceso de formado por soplado y estirado para fabricar una botella de dos litros de PET (tereftalato de polietileno) a partir de una pre forma. El esfuerzo inducido en la cristalizacin causa la formacin de cristales pequeos que contribuyen a reforzar el resto de la matriz amorfa.

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Figura 3.10 Arreglos atmicos en el silicio cristalino y en el silicio amorfo. (a) silicio amorfo. (b) Silicio cristalino. Obsrvese la variacin en la distancia interatmica en el silicio amorfo.

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Seccin: 3.3
Celdas unitarias,bases y estructuras cristalinas
La red Es una coleccin de puntos llamados puntos de red ordenados en un patrn peridico de manera que los alrededores de cada punto de la red son idnticos. Base Son un grupo de tomos asociados con un punto de la red. Estructura cristalina = red + base Celda unitaria Es la sub divisin de una red que sigue conservando las caractersticas generales de toda la red. Radio Atomico El tamao aparente del tomo en una celda unitaria se calcula en base al radio de un tomo. Factor de empaquetamiento Es la fraccin de espacio ocupada por tomos, suponiendo que son esferas que tocan a su vecino cercano.

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Figura 3.11 Los catorce tipos de redes de Bravais, agrupados en siete sistemas cristalinos. En las figuras 3.12 y 3.16 se muestra la celda unitaria real para un sistema hexagonal.

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Tabla 3.1 Caractersticas de los siete sistemas cristalinos

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Figura 3.12 Definicin de los parmetros de la red y su aplicacin en los sistemas cristalinos cbico, ortorrmbico y hexagonal.

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Figura 3.13 (a) Ilustracin de la distribucin de los tomos en caras y vrtices. (b) Los modelos de celdas unitarias cbica simple (SC), cbica centrada en el cuerpo (BCC), y cbica centrada en las caras (FCC) asumiendo que hay un solo tomo por punto de red.

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Ejemplo 3.1 Determinacin de la cantidad de puntos de red en sistemas cristalinos cbicos

Calcule los puntos red por celda en los sistemas cristalinos cbicos. Si solo hay un tomo en cada punto de red, calcule la cantidad de tomos por celda unitaria. SOLUCION En la celda unitaria SC : puntos de red / celda unitaria = (8 vrtices)1/8 = 1 En BCC : puntos de red / celda unitaria = (8 vrtices)1/8 + (1 centro)(1) = 2 En FCC : Puntos de red / celda unitaria = (8 vrtices)1/8 + (6 caras)(1/2) = 4 Como se supone que solamente hay un tomo en cada punto de red, la cantidad de tomos por celda unitaria sera 1, 2, y 4,para las celdas unitarias cbica simple, cbica centrada en el cuerpo y cbica centrada en las caras, respectivamente. 19

Ejemplo 3.2 Determinacin de la relacin entre el radio atmico y los parmetros de red.
Determine la relacin entre el radio atmico y el parmetro de red en las estructuras SC, BCC, y FCC cuando se tiene un tomo en cada punto de red.

Figura 3.14 Relaciones entre el radio atmico y el parmetro de red en sistemas cbicos.

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Ejemplo 3.2 SOLUCION De la figura 3.14, vemos que los tomos se tocan a lo largo de la arista del cubo en las estructuras SC.

a0

= 2r

En BCC , Los tomos se tocan a lo largo de la diagonal del cuerpo, que tiene una longitud

a03, hay 4 radios

a0

4r = 3

En FCC , Los tomos se tocan a lo largo de la diagonal de la cara del cubo, su longitud es

a02 y hay 4 radios

a0

4r = 2
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Figura 3.15 Nmeros de coordinacin en celdas unitarias (a) SC y (b) BCC . En SC seis tomos tocan a cada tomo, mientras que en la celda unitaria BCC son 8.

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Ejemplo 3.3: Clculo del factor de empaquetamiento

Calcular el factor de empaquetamiento de una celda FCC SOLUCION Hay 4 puntos de red por celda, si hay un tomo por punto de red, tambin hay 4 tomos por celda. El volumen es 4r3/3 y el volumen de la celda unitaria es :
3 a0

4 3 (4 atoms/cel. )( r ) 3 Factor empaquet. = 3

a0

Como para FCC

2 4 3 (4)( r ) 3 Factor de empaquet. = = 0.74 3 ( 4r / 2 ) 18

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a 0 = 4r/

Ejemplo 3.4 Determine la densidad del hierro BCC

El hierro BCC , tiene un parmetro de red de 0.2866 nm. SOLUCION Atoms/cel = 2, a0 = 0.2866 nm = 2.866 10-8 cm masa a. = 55.847 g/mol Volumen = (2.866 10-8 cm)3 = 23.54 10-24 cm3/cell 3 Avogadro NA = 6.02 1023 atoms/mol

a0

(numer de atoms/cel) ( masa del hierro) Densidad = (volume cel. unit )(Nm. Avogadro) (2)(55.847 ) = = 7.882 g / cm 3 (23.54 10 24 )(6.02 10 23 )
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Figura 3.16 La estructura hexagonal compacta HCP (izquierda) y su celda unitaria.

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Tabla 3.2 Propiedades de la estructura Cristalina de algunos metales

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Seccin 3.4 Transformaciones alotrpicas o polimorfas

Alotrpicas Los elementos que tienen mas de una estructura cristalina se llaman alotrpicos. Este trmino suele reservarse para los elementos puros, donde el efecto de la presin o la temperatura hace que cambie la estructura. Poliformismo Se emplea el mismo concepto pero para materiales compuestos.

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Figura 3.17 Los sensores de oxgeno gaseoso que se usan en automviles y otras aplicaciones se basan en composiciones de zirconia estabilizada. (Cortesa de Bosch Robert Bosch GmbH.)

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Ejemplo 3.5 Clculo de cambios de Volumen en polimorfos de zirconia

Calcular el cambio de volumen porcentual cuando la zirconia pasa de una estructura tetragonal a una estructura monoclinica.[9] la constante de red para estructuras unitarias monoclinicas son: a = 5.156, b = 5.191, y c = 5.304 , respectivamente. El ngulo de la celda monoclinica es 98.9. Para la celda tetragonal las constantes de red son: a = 5.094 y c = 5.304 , respectivamente. [10] durante la transformacin se expande o se contrae la zirconia? Cuales son los efectos de esta transformacin sobre las propiedades mecnicas de la cermica de la zirconia?

29

Ejemplo 3.5 SOLUCION El volumen de una celda unitaria tetragonal V = a2c = (5.094)2 (5.304) = 134.33 3. El volumen de una celda unitaria monoclnca es = abc sin = (5.156) (5.191) (5.304) sin(98.9) = 140.25 3. V

Entonces hay una expansin de la celda unitaria conforme el ZrO2, se transforma de tetragonal a monoclnico. El cambio porcentual de volumen es: = (Volumen final-Volumen inicial)/(volumen inicial)* 100 = (140.25 - 134.33 3)/140.25 3 * 100 = 4.21%. La mayoria de los cermicos son muy frgiles y no pueden resistir un cambio de volumen mayor al 0.1%.La conclusin es que los cermicos de ZrO2 no pueden usarse en su forma monoclnica por que cuando la zirconia pase a su forma tetragonal, casi con seguridad se rompe.Por lo tanto, el ZrO2 se estabiliza con frecuencia en una forma cbica, usando diversos aditivos, como CaO, MgO, and Y2O3.

30

Ejemplo 3.6 Diseo de un sensor para medir el cambio de volumen

Para estudiar el comportamiento del hierro a temperaturas elevadas, nos gustaria disear un instrumento que pueda detectar , con exactitud del 1%, el cambio de volumen de un cubo de hierro de 1-cm3 cuando se calienta pasando por su temperatura de transformacin polimrfica. A 911oC, el hierro es BCC, con un parmetro de red de 0.2863 nm. A 913oC, el hierro es FCC, con un parmetro de red de 0.3591 nm. Determine la exactitud que se requiere en el instrumento medidor. SOLUCION El volumen de una celda unitaria del hierro BCC antes de transformarlo es: VBCC = a0 = (0.2863 nm)3 = 0.023467 nm3 31
3

Ejemplo 3.6 SOLUCION (Continuacin) El volumen de una celda unitaria de hierro FCC : VFCC = 3 = (0.3591 nm)3 = 0.046307 nm3 a0 Pero este es el volumen que ocupa 4 tomos de hierro en FCC, en consecuencia se deben comparar 2 celdas BCC, con un volumen de 2(0.023467) = 0.046934 nm3, con cada celda FCC, El cambio porcentual de volumen durante la transformacin es:

(0.046307 - 0.046934) Cambio de volumen = 100 = 1.34% 0.046934

El cubo de hierro de 1-cm3 se contrae a 1 - 0.0134 = 0.9866 cm3 despues de la transformacin;en consecuencia, para asegurar una exactitud de 1% el instrumento debe detectar un cambio de: V = (0.01)(0.0134) = 0.000134 cm3 32

Seccin 3.5:Puntos, direcciones y planos en la celda unitaria.

Indices de Miller - Es la notacin abreviada para describir las direcciones y planos metalogrficos. Las direcciones se denotan con corchetes [ ] y los planos con parntesis ( ). Los nmeros negativos se representan con una barra encima del nmero. Direcciones de una forma o familia Grupo de direcciones equivalentes forman familias, se usa los parntesis especiales. Distancia de repeticin. Es la distancia entre puntos de la red a lo largo de la direccin. Densidad lineal Es la cantidad de puntos de la red por unidad de longitud, a lo largo de la direccin. Fraccin de empaquetamiento Es la fraccin realmente ocupada por tomos. 33

Figura 3.18 Coordenadas de puntos seleccionados en la celda unitaria. El nmero indica la distancia al origen, en trminos de parmetros de red.

34

Ejemplo 3.7 Determinacin de Indices de Miller de direcciones

Determine los ndices de Miller en las direcciones A, B, y C en la figura 3.19.

Figura 3.19 Direcciones y coordenadas cristalogrficas, para el ejemplo 3.7.

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Ejemplo 3.7 SOLUCION Direccin A 1. Los puntos son 1, 0, 0, y 0, 0, 0 2. 1, 0, 0, -0, 0, 0 = 1, 0, 0 3. No hay fracciones que eliminar ni enteros que reducir 4. [100] Direccin B 1. Los puntos son 1, 1, 1 y 0, 0, 0 2. 1, 1, 1, -0, 0, 0 = 1, 1, 1 3. No hay fracciones que eliminar ni enteros que reducir 4. [111] Direccin C 1. Los puntos son 0, 0, 1 y 1/2, 1, 0 2. 0, 0, 1 -1/2, 1, 0 = -1/2, -1, 1 3. 2(-1/2, -1, 1) = -1, -2, 2

4. [ 1 2 2]
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Figura 3.20 Equivalencia de las direcciones cristalogrficas de una forma, en sistemas cbicos.

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Tabla 3.3 Direcciones de la familia 110 en sistemas cbicos

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Figura 3.21 Determinacin de la distancia de repeticin, densidad lineal y fraccin de empaquetamien to para una direccin [110] en el cobre FCC.

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Ejemplo 3.8, Determinacin de los Indices de Miller de planos

Determine Los ndices de Miller de los planos A, B, y C en la figura 3.22.

Figura 3.22 Planos cristlograficos y sus intersecciones (para el ejemplo 3.8)

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Ejemplo 3.8 SOLUCION Plano A 1. x = 1, y = 1, z = 1 2.1/x = 1, 1/y = 1,1 /z = 1 3. No hay fracciones que eliminar 4. (111) Plano B 1. El plano nunca cruza el plano z por lo que x = 1, y = 2, y = 2.1/x = 1, 1/y =1/2, 1/z = 0 3. Eliminar fracciones: 1/x = 2, 1/y = 1, 1/z = 0 4. (210) Plano C 1. Se debe cambiar origen, por que el plano pasa 0, 0, 0. Mover en direccin y, entonces, x = , y = -1, and z = 2.1/x = 0, 1/y = 1, 1/z = 0 3. No hay fracciones que eliminar. z

4. ( 0 1 0)
41

Tabla 3.4 Planos de la familia {110} en los sistemas cbicos

42

Ejemplo 3.9 Clculo de la densidad planar y la fraccin de empaquetamiento

Calcule la la densidad planar y la fraccin de empaquetamiento planar para los planos (010) y (020) en el Polonio cbico, cuyo parmetro de red es 0.334 nm.
Figura 3.23 Las densidades planares de los planos (010) y (020) en celdas unitarias SC no son idnticas (para el Ejemplo 3.9).

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Ejemplo 3.9 SOLUCION El total de tomos en cada cara es uno. La densidad planar es:

atoms por cara 1 atom por cara Densidad planar (010) = = rea de cara (0.334) 2 = 8.96 atoms/nm 2 = 8.96 1014 atoms/cm 2 rea de atoms por cara (1 atom) (r 2 ) Fraccin de Emp. (010) = = rea de cara (a 0) 2

r 2 = = 0.79 2 ( 2r )
Sin embargo no hay tomos con centros en los planos (020). Por consiguiente la densidad planar y la fraccin de empaquetamiento planar son cero. Los planos (010) y (020) no son equivalentes!. 44

Ejemplo 3.10 trazado de direccin y plano

trazar (a) [1 2 1] direccin y (b) el plano unitaria cbica.

[ 2 10] en una celda

Figura 3.24 Construccin de a (a)una direccin y (b) un plano dentro de una celda unitaria (para el ejemplo 3.10)
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Example 3.10 SOLUCION a. Como sabemos que hay que moverse en la direccin negativa, ubiquemos el origen en 0, +1, 0. La cola de la direccin estar en el nuevo origen. Se determina un segundo punto de la direccin avanzando +1 en la direccin x, -2 en la direccin y, y +1 en la direccin z (Figura 3.24(a)]. b. Para dibujar el [ 2 10] se determinan primero los plano, recprocos de los ndices para obtener las intercepciones: x = 1/-2 = -1/2 y = 1/1 = 1 z = 1/0 = Como el cruce en x esta en una direccin negativa y se desea trazar el plano dentro de la celda unitaria, se cambia el origen +1 en la direccin x hasta 1, 0, 0. Entonces se puede ubicar la interceccin con x en - 1/2 y con y en +1. El plano ser paralelo al eje Z [Figura 3.24(b)]. 46

Figura 3.25 Indices de MillerBravais en celdas unitarias HCP usando un sistema coordenado de 4 ejes. Los planos identificados con A y B y las direcciones identificadas con C y D son del ejemplo 3.11.

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Figura 3.26 Direcciones comunes en la celda unitaria HCP usando sistemas con 3 y 4 ejes. Las lneas punteadas muestran que la direccin [1210] es equivalente a una direccin [010].
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Ejemplo 3.11 Determinacin de los Indices de Miller-Bravais para planos y direcciones

Determine los ndices de Miller-Bravais para los planos A y B y para las direcciones C y D en la Figura 3.25.

Figura 3.25 Los Indices Miller-Bravais son obtenidos usando un sistema de coordenadas de 4 ejes. Los planos identificados con A y B, y las direcciones con C y D son del ejemplo 3.11.

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Ejemplo 3.11 SOLUCION Plano A 1. a1 = a2 = a3 = , c = 1 2. 1/a1 = 1/a2 = 1/a3 = 0, 1/c = 1 3. No hay fracciones que simplificar 4. (0001) Plano B 1. a1 = 1, a2 = 1, a3 = -1/2, c = 1 2. 1/a1 = 1, 1/a2 = 1, 1/a3 = -2, 1/c = 1 3. No hay fracciones que simplificar (112 1) 4. Direccin C 1. Dos puntos son 0, 0, 1 y 1, 0, 0. 2. 0, 0, 1, -1, 0, 0 = -1, 0, 1 3. No hay fracciones que eliminar ni enteros que reducir. 4. [ 1 01] [2 113] 50

Example 3.11 SOLUCION (Continuacin) Direccin D 1. Dos puntos son 0, 1, 0 y 1, 0, 0. 2. 0, 1, 0, -1, 0, 0 = -1, 1, 0 3. No fracciones que eliminar ni enteros quereducir 4. [ 1 10] [ 1 100]

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Tabla 3.5 Planos y direcciones compactas

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Figura 3.27 La secuencia de apilamientoABABAB de planos compactos produce la estructura HCP.

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Figura 3.28 La secuencia de apilamiento ABCABCABC de planos compactos produce la estructura FCC.

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Seccin 3.6 Sitios Intersticiales

Sitios Intersticiales En cualquiera de las estructuras cristalinas hay pequeos huecos entre los tomos normales, y en ellos se pueden ubicar tomos ms pequeos. Esos huecos reciben el nombre de sitios intersticiales El sitio cbico Con un nmero de coordinacin de 8 se presenta en la estructura simple SC. Sitios octadricos Producen un nmero de coordinacin de 6. Los tomos tocan al tomo intersticial y forman un octaedro y los tomos mayores ocupan los puntos normales de la red. Sitios tetradricos Producen un nmero de coordinacin igual a 4. Un tomo o ion toca 4 tomos o iones. 55

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Figura 3.29 Ubicacin de los sitios intersticiales en las celdas unitarias cbicas. Solo se muestran sitios reprentativos.

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Ejemplo 3.12 Clculo de sitios octadricos

Calcule la cantidad de sitios octadricos que pertenezcan en forma exclusiva a una celda unitaria FCC. SOLUCION: Los sitios octadricos incluyen las 12 aristas de la celda unitaria, con las coordenadas:

1 ,0,0 2 1 0, ,0 2 1 0,0, 2

1 1 1 ,1,0 ,0,1 ,1,1 2 2 2 1 1 1 1, ,0 1, ,1 0, ,1 2 2 2 1 1 1 1,0, 1,1, 0,1, 2 2 2

mas la posicin central, 1/2, 1/2, 1/2. 57

Ejemplo 3.12 Continuacin Cada uno de los sitios en la arista de la celda unitaria se comparte entre 4 celdas unitarias por lo que solo un de cada sitio pertenece exclusivamente a cada celda unitaria, entonces la cantidad de sitios que pertenecen exclusivamente a cada celda : (12 aristas) (1/4 por celda) + 1 en centro = 4 sitios octadricos

58

59

Ejemplo 3.13 Diseo de una pared absorbente de radiacin

Se desea producir una pared absorvente de radiacin formada por 10000 esferas de Pb, cada una de 3 cm de dimetro, en arreglo FCC. Se decide que habra mejor absorcin si se llenan con esferas mas pequeas los sitios intersticiales. Disee el tamao de las esferas de Pb mas pequeas y determine cuntas se necesitan.

Figura 3.30 Clculo de un sitio intersticial octadrico, para el ejemplo 3.13.

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Ejemplo 3.13 SOLUCION Para este diseo, podemos introducir esferas pequeas de Pb que quepan exactamente en todos los sitios intersticiales octadricos. Primero calculamos el dimetro de los sitios octadrico entre las esferas de 3 cm de dimetro: Longitud AB = 2R + 2r =4R/ r = 2 2 R-R = (2 2 -1)R r/R = 0.414
2

Esto es consistente con la tabla 3.6, como r/ R = 0.414, el radio de la esfera pequea de Pb es : r = 0.414 * R = (0.414)(3 cm/2) = 0.621 cm. En el ejemplo 3-12, se observa que hay 4 sitios octadricos en el arreglo FCC que tambien tiene 4 puntos de red. Entonces se necesita la misma cantidad de esferas pequeas 10,000.

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Seccin 3.7 Estructuras cristalinas de los materiales inicos

Se deben tener en cuenta los siguientes factores para comprender las estructuras cristalinas de los slidos con enlaces inicos: Radios inicos Neutralidad elctrica Conexin entre poliedros de anion Visualizacin de estructuras cristalinas en computadoras.

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Figura 3.31 Conexin entre poliedros de aniones. tetraedros con vrtices compartidos, (b) tetraedros con aristas compartidas y (c) tetraedro con cara compartida

(a)

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Figura 3.32 (a) Estructura del cloruro de cesio, una celda unitaria SC con dos iones (Cs+ y CI-) por punto de red. (b) La estructura del cloruro de sodio,una celda unitaria FCC con dos iones (Na+ + CI-) por punto de red. Nota: los tamaos de los iones no estan a escala.

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Ejemplo 3.14 Relacin de radios del KCl

Para el cloruro de potasio (KCl), (a) verificar que el compuesto tiene la estructura del cloruro de cesio y (b) calcular el factor de empaquetamiento de este compuesto.
SOLUCION

a. De tablas, rK+ = 0.133 nm y rCl- = 0.181 nm, entonces: rK+/ rCl- = 0.133/0.181 = 0.735 Como 0.732 < 0.735 < 1.000, El nmero de coordinacin de cada clase de ion es 8 y la estructura del CsCl es la mas probable.

65

Ejemplo 3.14 continuacin de la SOLUCION b. Los iones se tocan a lo largo de la diagonal del cuerpo de la celula unitarial,entonces: a03 = 2rK+ + 2rCl- = 2(0.133) + 2(0.181) = 0628 nm

4 3 4 3 rK + (1 K ion) + rCl (1 Cl ion) 3 Factor de empaquetam iento = 3 3 a0 4 4 3 (0.133) + (0.181) 3 3 =3 = 0.725 3 (0.363 )

a0 = 0.363 nm

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Ejemplo 3.15 Ilustracin de una estructura cristalina y clculo de su densidad

Demuestre que el MgO tiene la estructura cristalina del cloruro de sodio y calcule la densidad del MgO. SOLUCION De tablas, rMg+2 = 0.066 nm y rO-2 = 0.132 nm, entonces: rMg+2 /rO-2 = 0.066/0.132 = 0.50 Como 0.414 < 0.50 < 0.732, el nmero de coordinacin de cada ion es 6, y es posible la estructura del cloruro de sodio.

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Ejemplo 3.15 SOLUCION Las masas atmicas son 24.312 y 16 g/mol para el magnesio y oxgeno respectivamente. Los iones se tocan a lo largo de la arista del cubo, entonces:

a0 = 2 rMg+2 + 2rO-2 = 2(0.066) + 2(0.132)

= 0.396 nm = 3.96 10-8 cm

(4Mg +2 )(24.312) + (4O -2 )(16) = = 4.31g / cm3 (3.96 10 8 cm) 3 (6.02 10 23 )

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Figura 3.33 (a) La estructura de la blenda de zinc (b) vista de planta.

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Ejemplo 3.16 Clculo de la densidad terica del GaAs

La constante de red del Arseniuro de galio (GaAs) es 5.65 . Demuestre que la densidad terica del GaAs es 5.33 g/cm3. SOLUCION En la celda unitaria de la blenda de zinc GaAs hay cuatro tomos de Ga y cuatro de As. De acuerdo a la Tabla Peridica: Cada mol (6.023 1023 atoms) de Ga tiene una masa de 69.7 g. entonces la masa de 4 tomos sera: (4 * 69.7/6.023 1023) g.

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3.16 SOLUCION (Continuacin) Cada mol de As (6.023 1023 atoms) tiene una masa de 74.9 g. Entonces en 4 atomos de As se tiene: (4 * 74.9/6.023 1023) g. Estos tomos ocupan un volumen de (5.65 10-8)3 cm3.

masa 4(69.7 + 74.9) / 6.023 10 23 densidad = = volumen (5.65 10 8 cm) 3

Entonces la densidad terica del GaAs es 5.33 g/cm3.

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Figura 3.34 (a) Celda Fluorita, (b) vista de planta.

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Figura 3.35 Celda unitaria de la perovskita mostrando los cationes en sitio A y B y los iones de oxgeno que ocupan las posiciones de centro de cara de la celda unitaria. Nota: Los Iones no se muestran a escala.

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Figura 3.36 Estructura cristalina de un nuevo super conductor cermico de alta Tc basado en un oxido de cobre, bario e itrio. Estos materiales son excepcionales por ser cermicos cuya resistencia elctrica, desaparece a bajas temperaturas. (Fuente: ill.fr/dif/3D-crystals/superconductor.html; M. Hewat 1998.)

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Figura 3.37 Estructura del corindon de almina alfa (-AI203).

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Seccin 3.8 Estructuras covalentes

Materiales con enlaces covalentes Con frecuencia tienen estructuras complicadas para satisfacer las restricciones direccionales que imponen los enlaces. Estructura cbica del diamante Los elementos como el Si, el Ge, el alfa Sn y el carbono (en su forma de diamante) estan unidos por cuatro enlaces covalentes que producen un tetraedro.

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Figura 3.38 (a) Tetraedro y (b) Celda unitaria cbica del diamante (DC) . Se produce esta estructura abierta por los requerimientos del enlace covalente.

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Ejemplo 3.17 Determinacin del factor de empaquetamiento para el silicio cbico tipo diamante.
Determine su factor de empaquetamiento.
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Figura 3.39 Determinacin de la relacin entre el parmetro de red y el radio atmico en una celda cbica de diamante. (para el ejemplo 3.17).

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Ejemplo 3.17 SOLUCION Los tomos se tocan a lo largo de la diagonal del cuerpo de la celda. Aunque no hay tomos en todos los lugares de la diagonal hay huecos que tienen el mismo dimetro que los tomos, en consecuencia:

3a 0 = 8r 4 (8 atoms/cel. )( r 3 ) 3 Factor Enpaquetam iento = 3 a0 4 (8)( r 3 ) 3 = (8r / 3 ) 3 = 0.34

Comparado con el valor de tablas es el mismo valor. 79

Ejemplo 3.18 Clculo del radio y la densidad del silicio

La constante de red del silicio es 5.43 . Cual ser el radio y la densidad del silicio?. La masa atmica del silicio es 28.1 gm/mol. SOLUCION Tenemos que a = 5.43 , remplazando en la ecuacin tenemos que el radio del silicio es R = 1.176 .

3a 0 = 8r
Si hay 8 tomos por cada celda unitaria entonces la densidad:

masa 8(28.1) / 6.023 10 23 densidad = = = 2.33 g / cm 3 volumen (5.43 10 8 cm) 3

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Figura 3.40 Tetraedro Silicio-Oxgeno y la forma cristobalita de silice resultante.

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Figura 3.41 Celda unitaria del polietileno cristalino

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Ejemplo 3.19 Clculo de la cantidad de tomos de carbono e hidrgeno en el polietileno cristalino.

Cuntos tomos de carbono e hidrgeno hay en cada celda unitaria de polietileno cristalino? Hay el doble de tomos de hidrgeno que de carbono en la cadena. La densidad aproximada del del polietileno es 0.9972 g/cm3. SOLUCION Si x es la cantidad de tomos de carbono, entonces, 2x es la cantidad de hidrgeno. De acuerdo con los parmetros de red en la figura 3.41:

( x)(12 g / mol) + (2 x)(1g / mol) = (7.41 10 8 cm)(4.94 10 8 cm)(2.55 10 8 cm)(6.02 1023 )

x = 4 tomos de carbon por celda 2x = 8 tomos de hidrgeno por celda. 83

Seccin 3.9 Tcnicas de difraccin para el anlisis de la estructura cristalina

Difraccin La estructura de un material se puede analizar refractando Rx o difraccin de electrones. Ley de Bragg Cuando los Rx se difractan, o el haz se refuerza esta cumpliendo el enunciado de la Ley de Bragg, esto es:Sen = / 2dhkl En un difractmetro un detector mvil registra los ngulos 2 con los cuales se difracta el haz y se obtiene una figura caracterstica de difraccin, figura 3.45b.

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Figura 3.43 Interacciones (a) Destructiva y (b)Constructiva entre Rx y el material cristalino. El refuerzo, o interaccin constructiva, sucede en ngulos que satisface la Ley de Bragg.

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Figura 3.44 Fotografa de un difractmetro de Rx. (Cortesia de H&M Analytical Services.)

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Figura 3.45 (a) Diagrama de un difractmetro donde se observan la muestra en polvo y los haces incidente y difractado. (b) Figura de difraccin obtenida con una muestra de polvo en oro.

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Ejemplo 3.20 Anlisis de la difraccin de Rx.

Los resultados de una difraccin de Rx utilizando = 0.7107 (radiacin obtenida con un blanco de molibdeno, Mo) indican que los picos de difraccin estan en los ngulos 2 siguientes:

Determine la estructura cristalina, los ndices del plano que produce cada pico y el parmetro de red del material. 88

Ejemplo 3.20 SOLUCION Primero se determina sin2 para cada pico y despues se divide entre el valor mnimo, 0.0308.

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Ejemplo 3.20 SOLUCION (Continuacin) Para calcular la distancia entre planos se puede usar cualquiera de los valores de 2 de los picos y luego el parmetro de la red.Si escogemos el pico 8: 2 = 59.42 o = 29.71

d 400

0.7107 = = = 0.71699 2 sin 2 sin(29.71)

a 0 = d 400 h 2 + k 2 + l 2 = (0.71699)(4) = 2.868

Este es el parmetro de red del hierro BCC

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Figura 3.46 Fotografa de un microscopio electrnico de transmisin (TEM) usado para el anlisis de la microestructura de materiales. (Cortesia de JEOL USA, Inc.)

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Figura 3.47 Micrografa electrnica de transmisin de una muestra de aleacin de Al. La figura de difraccin de la derecha muestra manchas luminosas grandes que representan la difraccin de los principales granos de la matriz de aluminio, las manchas ms pequeas se originan en cristales de nanoescala de otro compuesto que esta presente en esa aleacin. (Cortesa del Dr. Jrg M.K. Wiezorek, University of Pittsburgh.)

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Figura 3.48 Determine los ndices de Miller, para las direcciones mostradas

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Figura 3.49 Determine los ndices para las direcciones en la celda unitaria.

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Figura 3.50 Determine los ndices para los planos en la celda unitaria cbica.

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Figura 3.51 Determine los ndices para los planos de la celda unitaria cbica.

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Figura 3.52 Determine los ndices para las direcciones en la red hexagonal, usando el sistema de 3 y 4 dgitos.

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Figura 3.53 Determina los ndices para las direcciones en la red hexagonal, usando 3 y 4 dgitos.

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Figura 3.54 Determina los indices para los planos mostrados.

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Figura 3.55 Determina los ndices para los planos mostrados.

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Figura 3.56 Si se usaron Rx longitud de onda de = 0.15418nm Determine:La estructura cristalina,parmetro, los ndices de los planos que produce cada pico.

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Figura 3.57 Si se usaron Rx de = 0.07107 nm, determine:

Estructura cristalina, los indices de los planos y el parmetro del metal.

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